SCEJ

化学工学会 第41回秋季大会

講演プログラム（セッション別）

シンポジウム ＜CVD・ドライプロセスシンポジウム　－デバイス構造・機能制御の反応工学－＞

A104-A126, A201-A218

最終更新日時：2009-09-07 16:36:42
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
A会場 第1日
(10:00～11:00)　(座長 羽深 等)
10:00～ 10:20A104InGaN/GaN選択MOVPEによる可視光発光波長シフトのメカニズム
(東大工) ○(正)杉山 正和・(学)塩田 倫也・富田 祐貴・(正)霜垣 幸浩・(東大先端研) 中野 義昭		MOVPE
InGaN
選択成長
S-45943
10:20～ 10:40A105微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの原子構造と光学特性解析
(東大院工) ○(学)出浦 桃子・(学)近藤 佳幸・星井 拓也・竹中 充・高木 信一・(東大先端研) 中野 義昭・(東大院工) (正)杉山 正和		MOVPE
InGaAs
heteroepitaxy
S-45858
10:40～ 11:00A106新規ケミストリによる酸化アルミニウム薄膜のCVD合成と物性評価
(東大工) ○(正)霜垣 幸浩・何 剛・王 暁亮・豊田 智史・尾嶋 正治		Al2O3
CVD
XPS
S-45498
(11:00～12:00)　(座長 齊藤 丈靖)
11:00～ 11:20A107パルス通電加熱によるCNTフィールドエミッタの瞬間実装
(東大院工) ○(正)関口 康太郎・(大日本スクリーン) (正)古市 考次・(東大院工) (正)白鳥 洋介・(学)杉目 恒志・(正)野田 優		carbon nanotubes
field emitters
chemical vapor deposition
S-45678
11:20～ 11:40A108自己組織化カーボンナノチューブエミッターアレイの作製および電界電子放出特性
(東大院工) ○(正)白鳥 洋介・(大日本スクリーン) 古市 考次・(東大院工) (正)野田 優		Carbon nanotube
Self-organization
Field emission
S-45237
11:40～ 12:00A109デバイス基板上でのカーボンナノチューブの垂直配向成長
(東大院工) ○(正)野田 優・(学)白井 聖		carbon nanotubes
device substrates
chemical vapor deposition
S-45290

(13:00～13:40)　(司会 霜垣 幸浩)
13:00～ 13:40A113[展望講演]TFTプロセス技術の現況と将来展望
(シャープ) ○山元 良高		TFT
CVD
LCD
S-45455
(13:40～15:00)　(座長 野田 優)
13:40～ 14:00A115半導体太陽電池への応用を目指した銀ナノ粒子分散膜の光学特性
(炭エネ研) ○(学)田中 佑宜・鉢村 浩徳・(正)伊原 学		solar cell
nano-particles
surface plasmon
S-45470
14:00～ 14:20A116RFプラズマCVD法による絶縁膜の形成と強誘電体の劣化保護効果
(阪府大院工) ○(学)和泉 要・(学)辻 徹・(学)廣田 祐一郎・(正)岡本 尚樹・(正)齊藤 丈靖・(正)近藤 和夫・吉村 武・藤村 紀文		RF plasma CVD
ferroelectric film
encapsulation
S-45687
14:20～ 14:40A117AlPおよびH2Sを用いたGaAs表面のMOVPE反応炉内in situパッシベーション
(東大院工) ○(学)寺田 雄紀・(学)出浦 桃子・(正)霜垣 幸浩・(正)杉山 正和・(東大先端研) (正)中野 義昭		MOVPE
passivation
S-45825
14:40～ 15:00A118In-situ表面異方性観察を用いたGaAs MOVPE成長の高原料効率化
(東大院工) ○(正)鬼塚 隆祐・(正)杉山 正和・(東大先端研) 中野 義昭		MOVPE
Photovoltaics
In-situ monitoring
S-45846

(15:20～16:00)　(座長 伊原 学)
15:20～ 15:40A120MOVPE微小領域選択成長におけるSi上InAs核発生の成長条件依存性
(東大院工) ○(学)近藤 佳幸・(学)出浦 桃子・竹中 充・高木 信一・(東大先端研) 中野 義昭・(東大院工) (正)杉山 正和		MOVPE
InAs on Si
nucleation
S-45841
15:40～ 16:00A121マルチスケール解析によるGaN MOVPE反応メカニズムの検討
(東大工) ○(正)杉山 正和・安河内 諭・(学)塩田 倫也・(正)霜垣 幸浩・(東大先端研) 中野 義昭		GaN
MOVPE
multi-scale analysis
S-45947
(16:00～17:00)　(座長 高見 誠一)
16:00～ 16:20A122フッ素非含有原料によるCu-CVDプロセスの評価
(東大工) ○(正)霜垣 幸浩・宋 海政・(APCI) Norman John		Cu-CVD
ULSI
Metallization
S-45484
16:20～ 16:40A123成膜とエッチングの競合による微細孔の選択的埋め込み技術の開発
(東大院工) ○(学)高野 宗一郎・(正)辻 佳子・(正)野田 優		chemical vapor deposition
Copper
selective filling
S-45637
16:40～ 17:00A124多結晶コバルトシリサイド薄膜形成における結晶成長の理解と制御
(東大院工) ○(学)辻 由樹絵・(正)辻 佳子・(正)野田 優		cobalt disilicide
crystal growth
sputter deposition
S-45437

A会場 第2日

(9:40～11:00)　(座長 杉山 正和)
9:40～ 10:00A203熱CVD法で作製したSr-Ti酸化物薄膜の組成
(東海大院工) ○(学)羽柴 和人・今 大輔・(学)佐藤 晃・奥村 優夢・関根 徹明・(正)秋山 泰伸		CVD
EDX
Strontium Titanate
S-45510
10:00～ 10:20A204モノメチルシランガスによる多結晶SiC薄膜低温成長
(横国大院工) ○(正)羽深 等・大森 弘士		SiC
Monomethylsilane
CVD
S-4533
10:20～ 10:40A205RF非平衡プラズマ場を用いた高分散ナノ粒子合成プロセス
(広大院工) ○(学)小坂 知徳・(正)島田 学		Non-agglomerated particle
Nonequilibrium plasma
Unipolar charge
S-45953
10:40～ 11:00A206単層カーボンナノチューブの垂直配向成長におけるAl2O3下地の効果
(東大院工) ○(学)杉目 恒志・(正)野田 優		single-walled carbon nantoube
Co catalyst
Al2O3 underlayer
S-45629
(11:00～12:00)　(座長 瀬戸 章文)
11:00～ 11:20A207COを炭素源とするプラズマCVDによる炭素系高機能材料合成
(東工大院理工) ○(正)森 伸介・(正)上野 高典・(正)鈴木 正昭		Plasma enhanced CVD
Carbon nanowall
Carbon nanofiber
S-45712
11:20～ 11:40A208超臨界二酸化炭素中における金属酸化物薄膜の作製
(阪府大院工) ○(学)廣田 祐一郎・(阪府大工) 小島 章光・(阪府大院工) (正)岡本 尚樹・(正)齊藤 丈靖・(正)近藤 和夫・(東北大多元研) (正)高見 誠一		supercritical carbon dioxide
deposition
metal oxide thin film
S-45706
11:40～ 12:00A209In-situ赤外分光分析を用いた円管型CVD反応器内の2次元濃度分布の測定
(京大工) ○(正)河瀬 元明・(学)伊藤 敬文・(正)三浦 孝一		Pyrocarbon
CVD
Infrared absorption
S-4562

(13:00～13:40)　(司会 河瀬 元明)
13:00～ 13:40A213[展望講演] 気相反応による粒子生成とモデリング
(広大工) ○(正)奥山 喜久夫		CVD
Particle formation
Modeling
S-4560
(13:40～15:00)　(座長 秋山 泰伸)
13:40～ 14:00A215単分散エアロゾル触媒を用いたCNTの気相合成
(金沢大院) ○(学)古川 拓磨・(産総研) (正)平澤 誠一・(金沢大理工) (正)瀬戸 章文・(正)大谷 吉生		Carbon nanotube
Laser ablation
Chemical vapor deposition
S-45418
14:00～ 14:20A216添加剤フリーでの単層カーボンナノチューブ・サブミリメータ成長
(東大院工) ○(学)長谷川 馨・(正)野田 優		single-walled carbon nanotubes
rapid growth
growth mechanism
S-45710
14:20～ 14:40A217ナノサイズクラスターの堆積による表面形態の形成過程
(広大院工) ○(学)村上 詩織・(学)飯田 大樹・(正)島田 学		Cluster
Nanostructure
Thin Film
S-45917
14:40～ 15:00A218微細孔埋め込みプロセスとしてのCVDと超臨界薄膜形成法の比較
(東大工) ○(正)百瀬 健・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩		Supercritical fluid
Chemical vapor deposition
Step coverage
S-45737
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化学工学会 第41回秋季大会
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Most recent update: 2009-09-07 16:36:42
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