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化学工学会 第41回秋季大会

講演プログラム(セッション別)


シンポジウム <エレクトロニクス材料とプロセス>

H213-H218, H301-H323

最終更新日時:2009-09-07 16:36:42
講演
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講演
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番号
受理
番号
H会場 第2日
(13:00~15:00) (座長 石井 正人・老田 尚久)
13:0013:20H213銀配線、銅配線の配線間短絡までの時間
(京大) ○(正)荻野 文丸
ion migration
short circuit
Ag, Cu wiring
S-5508
13:2013:40H214有機基板を用いた微量イオンセンシングに関する基礎検討
(日立化成工業) ○(正)中村 英博
self-assembling monolayer
sensor
reproducibility
S-5447
13:4014:00H215スパッタイオンプレーティング法を用いたCuシード膜の作製と評価
(新明和) ○(部)丸中 正雄土屋 貴之(阪府大院工) (正)近藤 和夫(正)齊藤 丈靖
Cu Seed
Electoro-Migration
Through Silicon Via
S-543
14:0014:20H216Si貫通電極(TSV)の高速Cuめっき
(阪府大院工) ○(正)近藤 和夫鈴木 裕士(正)齊藤 丈靖(正)岡本 尚樹(新明和) (部)丸中 正雄土屋 貴之
Copper
TSV
Electrodeposition
S-542
14:2014:40H217フィルドビアめっきにおけるジアリルアミン系添加剤の効果
(阪府大院工) ○(学)久利 英之(正)岡本 尚樹(正)齊藤 丈靖(正)近藤 和夫(日東紡) 文屋 勝竹内 実
Copper
Electrodeposition
Via-filling
S-5365
14:4015:00H218高アスペクト比キャビティ内の流動解析
(阪府大院工) ○(学)小山 義則鈴木 裕士(正)岡本 尚樹(正)齊藤 丈靖(正)近藤 和夫
high aspect ratio
bump
numerical analysis
S-5671
H会場 第3日
(9:00~10:40) (座長 中村 英博・近藤 和夫)
9:009:20H301アモノサーマル法によるGaN単結晶育成における金属触媒の検討
(東北大多元研) ○(学)栗林 岳人(学)石鍋 隆幸鏡谷 勇二(正)冨田 大輔石黒 徹(正)横山 千昭
crystal growth
gallium nitride
supercritical ammonia
S-5552
9:209:40H302アモノサーマル法によるGaN単結晶育成において育成温度・圧力が与える影響
(東北大多元研) ○(学)石鍋 隆幸(学)栗林 岳人鏡谷 勇二(正)冨田 大輔石黒 徹(正)横山 千昭
crystal growth
gallium nitride
supercritical ammonia
S-5565
9:4010:00H303塩化水素ガスによる酸化ハフニウムエッチング
(横国大院工) ○(正)羽深 等(横国大工) 山地 正彦小堀 嘉嗣(日立国際電気) 堀井 貞義国井 泰夫
HfO2
hi-k
S-534
10:0010:40H304[招待講演] MEMS動向
(九大) ○澤田 廉士
MEMS
Life
Packaging
S-545
(10:40~12:00) (座長 羽深 等・荻野 文丸)
10:4011:00H306酸化物ナノ結晶の水熱合成とその堆積による電界効果トランジスタの形成
(東北大多元研) ○(正)高見 誠一(NIMS) 早川 竜馬若山 裕知京 豊裕(東北大WPI) (正)北條 大介(正)南 公隆(東北大多元研) (正)有田 稔彦(東北大WPI) (正)阿尻 雅文
metal oxide nanocrystal
drop cast
field-effect transistor
S-5791
11:0011:20H307ZnS基板に対するスルーホールフィリングめっき
(阪府大院工) ○(正)岡本 尚樹(阪府大工) 宮本 めぐみ(阪府大院工) (正)齊藤 丈靖(正)近藤 和夫(日産自動車) 福本 貴文廣田 正樹
ZnS
deposition
Cu
S-5429
11:2012:00H308[招待講演]電子ペーパー「QR-LPD」の実用化と技術開発の状況
(ブリヂストン) ○田沼 逸夫
Electronics
Paper
Packaging
S-5444

(13:00~15:00) (座長 高見 誠一・齊藤 丈靖)
13:0013:40H313[招待講演] 有機エレクトロニクス・フォトニクスの最近の展開
(産総研) ○八瀬 清志
Organic
Device
Printing
S-548
13:4014:00H315ゾルゲル法による酸化亜鉛透明導電膜の調製
(東理大工) ○(学)伊藤 俊尚(正)大竹 勝人(正)庄野 厚(正)高橋 智輝今野 紀二郎
zinc oxide
sol-gel method
thin films
S-5650
14:0014:20H316ITOナノ粒子を用いたホットプレス法による透明導電膜
(広大院工) ○(学)奥村 和磨(正)矢吹 彰広
indium tin oxide
hot-press
nanoparticles
S-5152
14:2014:40H317銅ナノ粒子を用いた導電膜
(広大院工) ○(学)Arriffin N.(正)矢吹 彰広
Copper nanoparticles
Conductive film
Inkjet
S-5153
14:4015:00H318イメージセンサー用感光性接着フィルムの開発
(住友ベークライト) ○高橋 豊誠川田 政和
Adhesive
Photodefinable
Wafer level pakage
S-5646
(15:00~16:40) (座長 岡本 尚樹・矢吹 彰広)
15:0015:40H319[招待講演] LED周辺技術の最新技術動向と将来展望
(山口大) ○田口 常正
LED
Electronics
Packaging
S-5302
15:4016:00H321電解銅箔より発生するノジュールの析出に関する検討
(阪府大院工) ○(正)岡本 尚樹高橋 聡(正)齊藤 丈靖(正)近藤 和夫
Cu
electrodeposition
nodule
S-5119
16:0016:20H322微小形状へのNiめっき膜の作製と形状制御
(阪府大院工) ○(学)安宅 一泰(正)岡本 尚樹(正)齊藤 丈靖(正)近藤 和夫
electrodeposition
nickel
pattern
S-5642
16:2016:40H323FeCoNi三元合金による微小構造物の作製と組成制御
(阪府大院工) ○(学)山田 雅士(正)岡本 尚樹(正)齊藤 丈靖(正)近藤 和夫
electrodeposition
alloy
pattern
S-5818

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