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化学工学会 第46回秋季大会

講演プログラム（会場・日程別）

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G 会場・第 2 日

最終更新日時：2014-08-08 13:21:03
講演
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番号		受理
番号
シンポジウム <CVD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－>
(9:00～10:00) (座長 森 伸介)
9:00～ 9:20G201ホットワイヤALDによるRu薄膜: 成長特性、組成、および構造特性
(東大院工) ○(学)袁 光杰・ (正)清水 秀治・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
Atomic layer deposition
Hot wire
non-oxidization ambient
S-37386
9:20～ 9:40G202導電性酸化物電極を用いた強誘電体キャパシタの作製と劣化機構
(阪府大院工) ○(学)高田 瑶子・ (学)天野 泰河・ (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (正)近藤 和夫・ 吉村 武・ 藤村 紀文・ (阪大産研) 樋口 宏二・ 北島 彰
ferroelectric capacitor
conductive oxide
degradation mechanism
S-37816
9:40～ 10:00G203常温オゾンCVD法によるリチウムイオン電池用SiOC負極の作製
(阪府大院工) ○(学)辻本 悠一・ (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (正)近藤 和夫・ (リグナイト) 井出 勇・ 西川 昌信・ 大西 慶和
Li-ion batteries
SiOC
CVD
S-37907
(10:00～11:00) (座長 齊藤 丈靖)
10:00～ 10:20G204ホローカソード放電によるカーボンナノファイバーの無触媒合成
(東工大院理工) ○(正)森 伸介・ 田中 瑛智・ (正)鈴木 正昭
Plasma-enhanced CVD
Carbon Nanofiber
Non-catalytic synthesis
S-37999
10:20～ 10:40G205プラズマCVDによるシリコン高速製膜の均一化
(岐阜大) ○(正)西田 哲・ 山本 翔太・ 松永 卓真・ (正)牟田 浩司・ 栗林 志頭眞
プラズマCVD
高速製膜
シリコン
S-37395
10:40～ 11:00G206プラズマCVD法で作製したシリカ膜構造へのキャリアガスの影響
(京大工) ○(学)竹田 依加・ (学)出口 利樹・ (正)河瀬 元明
Plasma CVD
HMDSO
silica
S-37754
(11:00～12:00) (座長 三浦 豊)
11:00～ 11:20G207気固原料PECVDによるナノ複合膜の合成制御と光触媒活性評価
(広大院工) ○(学)田口 智也・ (正)久保 優・ (正)島田 学
thin film
nanoparticle
composite material
S-37345
11:20～ 11:40G208172nmVUVによるチタン表面の改質とMPCポリマーコーティング
(岐阜大院) ○(学)山口 恭平・ (正)神原 信志
VUV
Titan
MPC polymer
S-37290
11:40～ 12:00G209(講演中止)

100150
(13:00～14:00) (座長 三浦 豊)
13:00～ 13:40G213[展望講演] ヘテロ接合デバイスとしてのCIS系薄膜太陽電池技術の現状と将来展望
(昭和シェル石油/ソーラーフロンティア) ○櫛屋 勝巳
CVD
CIS thin film solar cell
Heterojunction device
S-37147
13:40～ 14:00G215超臨界流体反応を用いて作製した太陽電池用Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜の構造特性評価
(東北大多元研) ○(学)中安 祐太・ (正)岡 伸人・ (正)笘居 高明・ (正)本間 格
supercritical fluid
solar cell
CZTS thin film
S-37161
(14:00～15:00) (座長 河瀬 元明)
14:00～ 14:20G216超臨界流体堆積法を用いた量論組成Bi4Ti3O12製膜
(東大院工) ○(学)チョウ ユウ・ (学)鄭 珪捧・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
Bi4Ti3O12
supercritical fluid deposition
stoichiometric
S-37291
14:20～ 14:40G217PLD法による強誘電体薄膜の配向性制御と電気特性
(阪府大院工) ○(学)天野 泰河・ (学)高田 瑶子・ (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (正)近藤 和夫・ 吉村 武・ 藤村 紀文・ (阪大産研) 樋口 宏二・ 北島 彰
ferroelectric material
pulsed laser deposition
orientation control
S-37971
14:40～ 15:00G218[招待講演] 熱CVD法を用いた水平管型反応器内のTiN 薄膜生成過程における熱物質移動解析
(山口大工) ○(正)田之上 健一郎・ (宇部興産) 羽鳥 祐耶・ (山口大工) (正)西村 龍夫
CVD
Titanium nitride
Heat and mass transfer
S-37148
(15:00～16:00) (座長 野田 優)
15:00～ 15:20G219モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセスにおける製膜種付着確率の詳細解析(2)
(東大院工) ○(学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (学)杉浦 秀俊・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
methyltrichlorosilane
S-37387
15:20～ 15:40G220SiC-CVDにおける有機シラン原料の比較検討
(東大院工) ○(学)杉浦 秀俊・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
Chlorosilane
S-37268
15:40～ 16:00G221モノメチルトリクロロシランを原料としたSiC-CVDプロセスにおける圧力依存性を 考慮した素反応機構の構築
(東大院工) ○(学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (学)嶋 鉱平・ (学)杉浦 秀俊・ (正)福島 康之・ (正)百瀬 健・ 越 光男・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
reaction mechanism
S-37312
(16:00～17:00) (座長 西田 哲)
16:00～ 16:20G222モノメチルトリクロロシランを原料としたSiC-CVIプロセス最適化のための反応炉スケールシミュレーション
(東大院工) ○(学)舩門 佑一・ (学)佐藤 登・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (学)嶋 紘平・ (学)杉浦 秀俊・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVI
SiC
Methyltrichlorosilane
S-37285
16:20～ 17:00G223[展望講演] 可溶化カーボンナノチューブを用いた先端ナノ材料開発
(九大院工) ○中嶋 直敏
CVD
Advanced nanomaterial
Carbon nanotube
S-37149
講演発表プログラム
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Most recent update: 2014-08-08 13:21:03
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