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化学工学会 第47回秋季大会

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SE) 部会セッション

SE-10. エレクトロニクス材料とプロセス（口頭発表）

オーガナイザー: 近藤　和夫（大阪府立大学）・折田　伸昭（古河電気工業）・武野　泰彦（グローバルネット）

最終更新日時：2016-01-20 13:09:01

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electrodeposition3件*
Copper2件
additive2件
micro-contact printing1件

受理
番号		講演題目／発表者キーワード発表形式
17低線膨張銅めっき
(阪府大) (正)○Kondo Kazuo・ (正)Mukahara Shingo・ (正)Yokoi Masayuki		Copper
Electrodeposition
Thermal Expansion Coefficient
O
23[招待講演] アルバックのTSVソリューション
(アルバック) 森川 泰宏		TSV
Etcher
Plasma
O
25[招待講演] 電気銅めっきによるビアフィリングと添加剤効果:動的モンテカルロシミュレーションによるアプローチ
(京大) 金子 豊		Monte Calro
Copper electrodeposition
Additive
O
31[招待講演] 電子回路のためのビアとスルーホール埋め込み銅めっき
(國立中興大學) 竇 維平		Copper
Via
additive
O
107[招待講演] CCS(Cognitive Computer System)時代を切り開らくデバイス技術の動向
(グローバルネット) (部)武野 泰彦		デバイス
CCS
半導体
O
217マイクロコンタクトプリント法によるパターンめっき用核剤インクの印刷
(産総研) (部)○所 和彦・ 尾上 美紀・ 白川 直樹・ 牛島 洋史・ (日産化学) (法)小島 圭介・ (法)近間 克己		printed electronics
Electrodeposition
micro-contact printing
O
340モンテカルロシミュレーションを用いたシリコン貫通電極(TSV)埋め込みのモデリング
(京大情報) (学)○津郷 峻弘・ (正)金子 豊		Monte Carlo Simulation
Through-silicon via
Additives
O
402TSV高速めっき充填技術
(阪府大) (部)○ホアン ヴァン ハ・ (正)近藤 和夫		high speed TSV filling
3D packaging
electrolyte optimization
O
419Cl-とSPSの共存下における銅ダマシン(銅めっき)プロセスの反応速度論および一価銅濃度の数値解析
(阪府大) (部)○ホアン ヴァン ハ・ (正)近藤 和夫・ 横井 昌幸		TSV filling
Cuprous
Copper plating kinetic
O
736電解銅箔製造プロセスにおける電析シミュレーション
(古河インフォメーションテクノロジー) (部)○石丸 泰之・ (部)宮崎 敏・ (古河電工) (部)折田 伸昭		electrodeposition
simulation
electrolytic copper foil
O
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Most recent update: 2016-01-20 13:09:01
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