SCEJ 51st Autumn Meeting (2020): List of the applications (topics)

ST-22. [部会横断型シンポジウム] CVD・ドライプロセス－構造・機能制御の反応工学－

オーガナイザー:

島田　学（広島大学）・羽深　等（横浜国立大学）・西田　哲（岐阜大学）・杉目恒志（早稲田大学）

CVD等のドライプロセスはエレクトロニクス，太陽電池，MEMS，機能性コーティング等の分野において重要な基幹技術となっている。本シンポジウムでは，CVDとその他のドライプロセスを利用した薄膜形成，微粒子合成，微細加工において反応工学的見地より反応メカニズムを理解し，論理的で効率的な反応プロセスや反応装置の開発を目指し議論することを目的とします。なお，優秀な発表をされた若手研究者には，CVD反応分科会奨励賞を贈呈します．

最終更新日時：2021-02-07 15:20:01

この分類でよく使われているキーワード	キーワード	受理件数
CVD	7件
Flame spray pyrolysis	3件
carbon nanotube	3件
SiC	3件
plasma-enhanced chemical vapor deposition	2件
Tubular flame	2件
CH3SiCl3	2件
AlOx	1件

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キーワード

受理件数

CVD

7件

Flame spray pyrolysis

3件

carbon nanotube

3件

SiC

3件

plasma-enhanced chemical vapor deposition

2件

Tubular flame

2件

CH3SiCl3

2件

AlOx

1件

受理番号	講演題目／発表者	キーワード	発表形式
13	プラズマCVD法で作製したシリカ系ガスバリア膜の残留応力 (京大工) (正)○河瀬元明・ (学)平田桑一朗・ (学)脇坂知樹	CVD Residual stress Silica gas barrier film	O
55	直接噴霧型管状火炎を用いたナノ構造化微粒子の合成 (広大先進理工) (学)○平野知之・ (正)荻崇	Nanostructured particle Flame spray pyrolysis Tubular flame	O
62	シリコンミニマルCVD装置内ガス移動の水晶振動子による観察 (横国大院) 大谷真奈・ (正)○羽深等・ (ミニマルファブ) 池田伸一・石田夕起・原史朗	CVD QCM Minimal	O
110	[展望講演] プラズマ成膜技術の将来展望 (東北大NICHe) 後藤哲也	plasma enhanced deposition plasma equipment design reactive species control	O
111	[展望講演] 原子層堆積法の諸課題とセミバッチ法の展開・展望 (東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ) ○加藤寿・瀬下裕志	ALD Equipment Semi-Batch	O
112	[招待講演] 高品質GaN基板を実現するHVPE成長新技術;マスクレス3D法 (サイオクス) 吉田丈洋	GaN substrate, HVPE low dislocation density	O
135	超音波霧化法によるSiO₂, Al₂O₃絶縁薄膜の作製 (東大院工) (学)○木下清佳・ (東大環安研セ) (正)坂井延寿・ (東大環安セ/東大院工) (正)辻佳子	insulator thin-film-transistor mist chemical vapor deposition	O
153	TiAlN-CVDプロセスの反応モデル構築に向けた速度過程解析(2) (東大院工) (学)○山口潤・平原智子・ (京セラ) (法)久保隼人・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (京セラ) (法)谷渕栄仁・ (東大院工) (正)霜垣幸浩	CVD TiAlN cutting tool	O
174	管状火炎を用いた金属微粒子合成 (広大工) (学)○吉川潤・ (学)平野知之・ (正)荻崇	Metal particles Flame spray pyrolysis Tubular flame	O
175	アセチレンの高温熱分解によるナノ粒子・ナノチューブ炭素複合体の連続合成 (早大先進理工) (学)○浦田結文・大田原綾哉・ (正)大沢利男・ (正)杉目恒志・ (デンカ) 名古裕輝・岡田拓也・ (早大先進理工) (正)野田優	Carbon nanoparticle Carbon nanotube CVD	O
213	固体原料併用PECVD法における分散媒が合成された複合薄膜に及ぼす影響 (広大院先進理工) (正)○島田学・ (広大院工) 高橋一真・ (広大院先進理工) (正)久保優	titanium dioxide carbon nanotube photocatalyst	O
230	X線管用カーボンナノチューブ電界放出電子源の作製と階層構造制御 (早大先進理工) (学)○安井浩太郎・北川紗映・ (正)杉目恒志・ (明電舎) 越智隼人・高橋大造・ (早大先進理工) (正)野田優	carbon nanotube electron field emitter hierarchical structure control	O
248	[招待講演] プラズマ化学気相成長法によるケイ素および窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン薄膜の特性評価 (弘前大院理工) 中澤日出樹	diamond-like carbon plasma-enhanced chemical vapor deposition silicon	O
306	ミストCVD法によるAlOx薄膜の作製とFETゲート絶縁膜への応用 (埼玉大院理工) (学)○Arifuzzaman Rajib・志田知洋・ Abdul Kuddus・上野啓司・ (共)白井肇	mist-CVD AlOx	O
310	浮遊PECVD法によるカーボンナノチューブのZnOコーティング (広大院先進理工) (学)○吉武春樹・ (広大院工) (学)Hemanth Lakshmipura R.・ (広大院先進理工) (正)久保優・ (正)島田学	plasma-enhanced chemical vapor deposition nanocoating aerosol	O
414	ペロブスカイト薄膜の中心金属種が構造に与える影響 (京大工) (学)○松田萌・ (学)村上誉紀・ (学)松村南月・ (正)河瀬元明	CVD perovskite central metals	O
499	多結晶SiC-CVDの高速・均一化に向けた反応機構解析 (東大院工) (学)○奥友則・ (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	Reaction model SiC CVD	O
504	Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation (東大院工) (学)○Zhang Jin・ (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	multiscale simulation chemical vapor deposition level set method	O
556	MTS/H₂を原料としたSiC-CVDプロセスにおけるSiCl₄添加効果の検討 (東大院工) (学)○大高雄平・ (学)安治遼祐・ (学)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	CVD SiC Recycle	O
665	SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討 (東大院工) (学)○佐藤登・ (学)大高雄平・ (学)安治遼祐・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	CH3SiCl3 SiC CVI surface reaction	O
682	SiC-CVIプロセスにおける理論的検討に基づいた表面反応モデルの構築 (東大院工) (学)○佐藤登・ (学)根東佳史・ (学)大高雄平・ (学)安治遼祐・ (正)福島康之・ (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC-CVI Surface reaction mechanism CH3SiCl3	O
686	火炎噴霧熱分解法によるNi担持CeO₂のNi微粒化と高担持量化 (山形大院理工) (正)藤原翔	Ni CeO2 Flame spray pyrolysis	O
781	二酸化炭素を用いた超臨界溶体急速膨張(RESS)法による有機薄膜創製と薄膜特性評価 (金沢大院自然) (学)○坂本有衣・小林貴紀・清澤匠・ (学)釜田若奈・ (金沢大理工) (正)内田博久	RESS Organic thin films Supercritical CO2	O
822	テトラメチルシランを用いた塩素フリーな化学気相含浸法によるSiC_f/SiCの製造 (東大院工) (学)○安治遼祐・ (学)大高雄平・ (学)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC chemical vapor infiltration tetramethylsilane	O

受理
番号

講演題目／発表者

キーワード

発表形式

プラズマCVD法で作製したシリカ系ガスバリア膜の残留応力
(京大工) (正)○河瀬元明・ (学)平田桑一朗・ (学)脇坂知樹

CVD
Residual stress
Silica gas barrier film

直接噴霧型管状火炎を用いたナノ構造化微粒子の合成
(広大先進理工) (学)○平野知之・ (正)荻崇

Nanostructured particle
Flame spray pyrolysis
Tubular flame

シリコンミニマルCVD装置内ガス移動の水晶振動子による観察
(横国大院) 大谷真奈・ (正)○羽深等・ (ミニマルファブ) 池田伸一・石田夕起・原史朗

CVD
QCM
Minimal

110

[展望講演] プラズマ成膜技術の将来展望
(東北大NICHe) 後藤哲也

plasma enhanced deposition
plasma equipment design
reactive species control

111

[展望講演] 原子層堆積法の諸課題とセミバッチ法の展開・展望
(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ) ○加藤寿・瀬下裕志

ALD
Equipment
Semi-Batch

112

[招待講演] 高品質GaN基板を実現するHVPE成長新技術;マスクレス3D法
(サイオクス) 吉田丈洋

GaN substrate,
HVPE
low dislocation density

135

超音波霧化法によるSiO₂, Al₂O₃絶縁薄膜の作製
(東大院工) (学)○木下清佳・ (東大環安研セ) (正)坂井延寿・ (東大環安セ/東大院工) (正)辻佳子

insulator
thin-film-transistor
mist chemical vapor deposition

153

TiAlN-CVDプロセスの反応モデル構築に向けた速度過程解析(2)
(東大院工) (学)○山口潤・平原智子・ (京セラ) (法)久保隼人・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (京セラ) (法)谷渕栄仁・ (東大院工) (正)霜垣幸浩

CVD
TiAlN
cutting tool

174

管状火炎を用いた金属微粒子合成
(広大工) (学)○吉川潤・ (学)平野知之・ (正)荻崇

Metal particles
Flame spray pyrolysis
Tubular flame

175

アセチレンの高温熱分解によるナノ粒子・ナノチューブ炭素複合体の連続合成
(早大先進理工) (学)○浦田結文・大田原綾哉・ (正)大沢利男・ (正)杉目恒志・ (デンカ) 名古裕輝・岡田拓也・ (早大先進理工) (正)野田優

Carbon nanoparticle
Carbon nanotube
CVD

213

固体原料併用PECVD法における分散媒が合成された複合薄膜に及ぼす影響
(広大院先進理工) (正)○島田学・ (広大院工) 高橋一真・ (広大院先進理工) (正)久保優

titanium dioxide
carbon nanotube
photocatalyst

230

X線管用カーボンナノチューブ電界放出電子源の作製と階層構造制御
(早大先進理工) (学)○安井浩太郎・北川紗映・ (正)杉目恒志・ (明電舎) 越智隼人・高橋大造・ (早大先進理工) (正)野田優

carbon nanotube
electron field emitter
hierarchical structure control

248

[招待講演] プラズマ化学気相成長法によるケイ素および窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン薄膜の特性評価
(弘前大院理工) 中澤日出樹

diamond-like carbon
plasma-enhanced chemical vapor deposition
silicon

306

ミストCVD法によるAlOx薄膜の作製とFETゲート絶縁膜への応用
(埼玉大院理工) (学)○Arifuzzaman Rajib・志田知洋・ Abdul Kuddus・上野啓司・ (共)白井肇

mist-CVD
AlOx

310

浮遊PECVD法によるカーボンナノチューブのZnOコーティング
(広大院先進理工) (学)○吉武春樹・ (広大院工) (学)Hemanth Lakshmipura R.・ (広大院先進理工) (正)久保優・ (正)島田学

plasma-enhanced chemical vapor deposition
nanocoating
aerosol

414

ペロブスカイト薄膜の中心金属種が構造に与える影響
(京大工) (学)○松田萌・ (学)村上誉紀・ (学)松村南月・ (正)河瀬元明

CVD
perovskite
central metals

499

多結晶SiC-CVDの高速・均一化に向けた反応機構解析
(東大院工) (学)○奥友則・ (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

Reaction model
SiC
CVD

504

Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation
(東大院工) (学)○Zhang Jin・ (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

multiscale simulation
chemical vapor deposition
level set method

556

MTS/H₂を原料としたSiC-CVDプロセスにおけるSiCl₄添加効果の検討
(東大院工) (学)○大高雄平・ (学)安治遼祐・ (学)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

CVD
SiC
Recycle

665

SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討
(東大院工) (学)○佐藤登・ (学)大高雄平・ (学)安治遼祐・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

CH3SiCl3
SiC CVI
surface reaction

682

SiC-CVIプロセスにおける理論的検討に基づいた表面反応モデルの構築
(東大院工) (学)○佐藤登・ (学)根東佳史・ (学)大高雄平・ (学)安治遼祐・ (正)福島康之・ (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

SiC-CVI
Surface reaction mechanism
CH3SiCl3

686

火炎噴霧熱分解法によるNi担持CeO₂のNi微粒化と高担持量化
(山形大院理工) (正)藤原翔

Ni
CeO2
Flame spray pyrolysis

781

二酸化炭素を用いた超臨界溶体急速膨張(RESS)法による有機薄膜創製と薄膜特性評価
(金沢大院自然) (学)○坂本有衣・小林貴紀・清澤匠・ (学)釜田若奈・ (金沢大理工) (正)内田博久

RESS
Organic thin films
Supercritical CO2

822

テトラメチルシランを用いた塩素フリーな化学気相含浸法によるSiC_f/SiCの製造
(東大院工) (学)○安治遼祐・ (学)大高雄平・ (学)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

SiC
chemical vapor infiltration
tetramethylsilane

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