SCEJSCEJ 化学工学会第52回秋季大会 2021.9.22(水) - 9.24(金) 岡山大学 津島キャンパス English page
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ST) 部会横断型シンポジウム

ST-22. [部会横断型シンポジウム] CVD・ドライプロセス −構造・機能制御の反応工学−

オーガナイザー: 河瀬 元明(京都大学)・玉置 直樹(キオクシア(株))・齊藤 丈靖(大阪府立大学)・三宅 雅人(奈良先端科学技術大学院大学)

CVD等のドライプロセスはエレクトロニクス,太陽電池,MEMS,機能性コーティング等の分野において重要な基幹技術となっている。本シンポジウムでは,CVDとALDその他のドライプロセスを利用した薄膜形成,微粒子合成,微細加工において反応工学的見地より反応メカニズムを理解し,論理的で効率的な反応プロセスや反応装置の開発を目指し議論することを目的とします。なお,優秀な発表をされた若手研究者には,CVD反応分科会奨励賞を贈呈します.37才未満の正会員の希望者を対象とし,優秀な発表に対して粒子・流体プロセス部会シンポジウム賞の「奨励賞」を贈呈します.

最終更新日時:2022-01-31 16:50:01

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CVD5件*
CVI2件
Numerical simulation2件
Chemical Vapor Deposition2件
thermal annealing1件

受理
番号
講演題目/発表者キーワード発表形式
40三塩化ホウ素ガスとモノメチルシランガスによる薄膜形成
(横国大院工) 室井 光子(正)羽深 等
Chemical vapor deposition
Silicon-Boron film
Mechanism
O
142超臨界流体薄膜堆積法で作製した酸化チタンの光触媒活性と結晶性への添加物の効果
(東大院工) ○(学)安治 遼祐(正)出浦 桃子(東工大物質理工) (正)下山 裕介(東大院工) (正)霜垣 幸浩(正)百瀬 健
supercritical fluid deposition
photocatalyst
crystallinity
O
154One-step fabrication of CuO-loaded TiO2 nanoparticulate thin film for photocatalytic application under visible light irradiation
(Hiroshima U.) ○(学)Hudandini MedithaJiang Dianping(ITS) Kusdianto K(Hiroshima U.) (正)Kubo Masaru(正)Shimada Manabu
PECVD-PVD
nanocomposite
heterojunction
O
375ビスマスを原料とした太陽電池用ペロブスカイト薄膜CVDプロセスの開発
(京大工) ○(学)戸上 敬登(学)松田 萌楊 紫光(正)河瀬 元明
CVD
perovskite
methylammonium bismuth iodide
O
514[展望講演] 反応性プラズマを用いたナノ粒子の成長制御とその応用展開
(九大シス情) 古閑 一憲
CVD
nano-particles
growth control
O
516[招待講演] 長尺・高密カーボンナノチューブ(CNT)・アレイから作製するCNT乾式紡績糸の物性制御とエネルギー・メカニカルデバイスへの応用
(岡山大院自然) 林 靖彦
Carbon nanotube (CNT) arrays
Dry Spinning CNT yarns
Energy and mechanical devices
O
517[展望講演] 半導体メモリの技術・経済・産業の現在と発展する未来
(マイクロンメモリジャパン) 青砥 なほみ
CVD
semiconductor memory
industry
O
519[招待講演] プラズマ照射下の空間ミクロかつ時間マクロな構造変化の再現計算への挑戦
(核融合研) 伊藤 篤史
CVD
plasma
numerical simulation
O
562CVI法を用いたセラミックス基複合材料製造反応器内の数値シミュレーション
(名大) ○(学)小川 達也(正)福本 一生(正)町田 洋(正)則永 行庸
CVI
Numerical simulation
MTS
O
594パルス供給ALDにおける原料気化特性の検討
(東大院工) ○(学)山口 潤(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(ダイキン工業) (法)松永 隆行(法)山内 昭佳(法)岸川 洋介(東大院工) (正)霜垣 幸浩
ALD
precursor
vaporization
O
629超臨界CO2を反応場とした有機修飾酸化鉄ナノ結晶の直接合成
(東工大物質理工) ○(正)織田 耕彦苅谷 啓杜(学)Wijakmatee Thossaporn(正)下山 裕介
Supercritical carbon dioxide
iron oxide nanocrystals
organic modification
O
672Enhanced CO2-assisted growth of single-wall carbon nanotube arrays with Fe/AlOx catalyst annealed without CO2
(早大理工総研) ○(正)李 墨宸(早大先進理工) (学)安井 浩太郎(近畿大) (正)杉目 恒志(早大先進理工) (正)野田 優
chemical vaper deposition
thermal annealing
single-wall carbon nanotubes
O
689SiCf/SiC CMC合成のための排出ガス改質再利用を含むSiC含浸プロセスの提案
(東大院工) ○(学)大高 雄平(正)佐藤 登(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
reuse
CVI
O
785理論的検討に基づいたTiAlN-CVDプロセスにおける気相素反応機構構築
(東大院工) ○(正)佐藤 登(学)山口 潤(京セラ) (法)久保 隼人(法)杉山 貴悟(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(京セラ) (法)谷渕 栄仁(東大院工) (正)霜垣 幸浩
TiAlN
CVD
Elementary reaction model
O
792多結晶SiC-CVDプロセス設計を目指した総括反応モデルの構築と検証
(東大院工) ○(学)師井 滉平(学)奥 友則(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
Chemical Vapor Deposition
silicon carbide
macrocavity method
O
863Ti[N(CH3)2]4を用いたプラズマCVD法によるTiCN膜の作製
(阪府大院工) ○(学)竹内 陸(正)岡本 尚樹(正)齊藤 丈靖
plasma CVD
TDMAT
TiCN
O
864次世代半導体用配線材料としての MAX化合物の製膜と評価
(阪府大院工) ○(学)若松 和伸(阪府大工) 上田 和貴(阪府大院工) (正)岡本 尚樹(正)齊藤 丈靖
Max Phase
semiconductor
O

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