ST-24. [部会横断型シンポジウム] CVD/ALD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－

オーガナイザー: 西田　哲（岐阜大学）・百瀬　健（熊本大学）・清水 秀治（大陽日酸(株)）

CVDやALDなどのドライプロセスはエレクトロニクス、エネルギーデバイス、機能性コーティングなど様々な分野で重要な基幹技術となっています。本シンポジウムでは、ドライプロセスを利用した薄膜形成、微粒子合成、微細加工の反応メカニズムを反応工学的見地より理解し、合理的で効率的な反応プロセスや反応装置を議論します。

最終更新日時：2024-04-11 13:19:01

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76化学気相成長法によるシリコン-炭素複合材料の作製とリチウムイオン電池負極への応用
(早大先進理工) (学)○岡 順也・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優		Chemical Vapor Deposition (CVD)
Silicon
Lithium-ion battery
O
94SiCxNyOzの室温プラズマCVD製膜における前駆体の相互作用
(横国大) 川上 広樹・ 堀 健太・ 渡部 亨・ (正)○羽深 等		SiCNO
PECVD
Interaction
O
150[展望講演] 化学蒸着法を用いた切削工具用硬質膜の現状と展望
(京セラ) (法)谷渕 栄仁		CVD
Cutting tool
Hard coating
O
168ホウ素と水蒸気を用いた気体ホウ素源供給と鋳型法による窒化ホウ素ナノチューブの合成
(早大先進理工) (学)○甲斐田 敬済・ 髙橋 宏夢・ (早大理工総研) (正)李 墨宸・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優		Boron Nitride Nanotube (BNNT)
Template coating method
Boron oxide
O
2293次元集積回路用AlN薄膜の低温CVDプロセス開発
(東大院工) (学)○小原 聡顕・ 二宮 健生・ 高木 剛・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		AlN film
chemical vapor deposition
low temperature
O
255不飽和度の異なる炭化水素種からのコーク生成速度の解析
(京大工) (学)○仲野 真治・ (正)藤墳 大裕・ (正)河瀬 元明		coking
CVD
Carbon
O
304超臨界流体薄膜堆積法によるポリマー上への低抵抗率銅薄膜形成プロセスの開発
(東大院工) (学)○中嶋 佑介・ (正)霜垣 幸浩・ (東大院工/熊大半導体) (正)百瀬 健		SCFD
Polymer
resistivity
O
344臭素蒸気を用いたカーボンナノチューブの低損傷乾式精製法の開発
(早大先進理工) (学)○後藤 拓磨・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優		Carbon nanotube
Purification
Bromine vapor
O
423DFT study on reaction paths of AlN growth by MOCVD
(京大院工) (学)○李 亜飛・ (正)河瀬 元明		DFT
AlN
MOCVD
O
425Morphology Improvement of Chemical Vapor Deposited Bismuth-based Perovskite Thin Film for Photovoltaic Use
(京大工) (海)○楊 紫光・ (学)戸上 敬登・ (学)田邉 舞香・ (正)河瀬 元明		Chemical vapor deposition
Methylammonium bismuth iodide
Molten bismuth
O
518[招待講演] SiCパワーデバイスの高性能化に向けたエピタキシャル成長技術の開発
(三菱電機先端総研) 田中 貴規		Silicon carbide
Power device
Epitaxial growth
O
705水晶振動子によるトリメチルアルミニウムの吸着状態のその場測定
(U. Tokyo) (学)○Wu Yuxuan・ (学)Liu Haonan・ (正)Yamaguchi Jun・ (正)Sato Noboru・ (正)Tsukune Atsuhiro・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro		ALD
QCM
Adsorption
O
778Photocatalytic Performance Evaluation of TiO2 and TiO2-CuO Nanoparticulate Thin Films Prepared by a Gas Phase System
(Hiroshima U.) (学)○Hudandini Meditha・ (ITS) Kusdianto K.・ (Hiroshima U.) (正)Kubo Masaru・ (正)Shimada Manabu		PECVD
PVD
TiO2-CuO heterojunction
O
783[招待講演] スパッタだからできる薄膜の結晶性・モフォロジー制御
(九大シス情) 板垣 奈穂		sputtering
thin film
morphology control
O
814[展望講演] 三次元積層実装技術の研究開発動向と今後の展望
(熊大) 青柳 昌宏		3D-IC
chip stacking
TSV
O
824金属錯体蒸気圧予測のためのCOSMO-SAC法の改良
(東大院工) (正)○佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		COSMO-SAC
metal complex
vapor pressure
O
837Co-ALDによる選択成長プロセスの検討
(東大院工) (正)○山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		cobalt
ALD
selective deposition
O
843SiC-CVI法における高濃度水素供給を利用した高速含浸条件の検討
(東大院工) (学)○木村 俊介・ (学)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		SiC
CVI
CVD
O
845次世代ULSI配線用モリブデン原子層成長プロセスの開発
(東大院工) (学)○Liu Haonan・ (学)Wu Yuxuan・ (正)Yamaguchi Jun・ (正)Sato Noboru・ (正)Tsukune Atsuhiro・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro		ALD
Molybdenum
interconnect
O
862MTS/H2を用いたSiC-CVIへのSiCl4添加効果の詳細検討
(東大院工) (学)○大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (学)木村 俊介・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		SiC
CVI
MTS
O
876反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜形成と物性評価
(阪公大院工) (学)○上田 和貴・ 若松 和伸・ (正)齊藤 丈靖・ (正)岡本 尚樹		sputtering
MAX-phase
O
895反射光強度変化を利用したCo製膜初期過程の観測
(東大院工) (学)○木村 俊介・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		cobalt
ALD
reflectance
O
926モデル触媒構造を用いた可視光応答型CuOx/TiO2光触媒反応機構の検討
(東大院工) (学)○田中 潤・ (学)中嶋 佑介・ (正)霜垣 幸浩・ (正)百瀬 健		photocatalyst
visible light
reaction mechanism
O
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化学工学会 第54回秋季大会 (福岡)
Most recent update: 2024-04-11 13:19:01
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