講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目/発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
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反応工学 | |||||
(9:20~10:20) (座長 齊藤 丈靖) | |||||
O202 | SiC-CVDプロセスにおけるMTS分解素反応メカニズムの構築 | SiC CVD reaction mechanism | 5-h | 174 | |
O203 | 出口ガス分析を用いたSiC-CVDプロセスの反応機構解析 | CVD Silicon carbide reaction kinetics | 5-h | 180 | |
O204 | 急速蒸着法による太陽電池用大粒径結晶シリコン薄膜の作製 | physical vapor deposition silicon thin films large grains | 5-h | 56 | |
(10:20~11:40) (座長 野田 優) | |||||
O205 | SiC-CVD製造プロセスにおける原料ガスへの塩化メチル添加効果 | CVD SiC | 5-h | 176 | |
O206 | SiC-CVDプロセスへの炭化水素ガス添加効果 | Silicon carbide CVD Reaction kinetics | 5-h | 130 | |
O207 | 超臨界流体を用いた太陽電池用CuInSe2の低温製膜プロセス | Solar Cell Supercritical Fluid CuInSe2 | 5-h | 62 | |
O208 | SeO2を用いた超臨界流体セレン化プロセスによる太陽電池化合物半導体薄膜の作製 | Solar Cell Supercritical Fluid CuInSe2/Cu2ZnSnSe4 | 5-h | 146 | |
(11:40~12:00) (司会 霜垣 幸浩) | |||||
O209 | [分科会奨励賞]CVD反応分科会奨励賞受賞式 | CVD reaction enginnering encouraging prize | 5-h | 42 |