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化学工学会 第78年会 (大阪, 2013)

講演プログラム(会場・日程別)


O会場 第2日

最終更新日時:2013-02-18 11:22:25
講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
反応工学
(9:20~10:20) (座長 齊藤 丈靖)
9:209:40O202SiC-CVDプロセスにおけるMTS分解素反応メカニズムの構築
(東大院工) ○(学)佐藤 登(学)舩門 佑一(学)福島 康之(学)杉浦 秀俊(IHI基盤研) 保戸塚 梢(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
reaction mechanism
5-h174
9:4010:00O203出口ガス分析を用いたSiC-CVDプロセスの反応機構解析
(東大院工) ○(学)舩門 佑一(学)佐藤 登(学)福島 康之(学)杉浦 秀俊(IHI基盤研) 保戸塚 梢(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CVD
Silicon carbide
reaction kinetics
5-h180
10:0010:20O204急速蒸着法による太陽電池用大粒径結晶シリコン薄膜の作製
(東大院工) ○(学)廣田 幸祐(半一) 石橋 健一(東大院工) (正)辻 佳子(早大先進理工) (正)野田 優
physical vapor deposition
silicon thin films
large grains
5-h56
(10:20~11:40) (座長 野田 優)
10:2010:40O205SiC-CVD製造プロセスにおける原料ガスへの塩化メチル添加効果
(東大院工) ○(学)杉浦 秀俊(学)佐藤 登(学)福島 康之(学)舩門 佑一(IHI基盤研) 保戸塚 梢(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
5-h176
10:4011:00O206SiC-CVDプロセスへの炭化水素ガス添加効果
(東大院工) ○(学)福島 康之(学)舩門 佑一(学)佐藤 登(学)杉浦 秀俊(IHI基盤研) 保戸塚 梢(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
Silicon carbide
CVD
Reaction kinetics
5-h130
11:0011:20O207超臨界流体を用いた太陽電池用CuInSe2の低温製膜プロセス
(東北大多元研) ○(学)矢中 美紀渡辺 伸司(正)笘居 高明(正)本間 格
Solar Cell
Supercritical Fluid
CuInSe2
5-h62
11:2011:40O208SeO2を用いた超臨界流体セレン化プロセスによる太陽電池化合物半導体薄膜の作製
(東北大多元研) ○(学)中安 祐太(学)矢中 美紀(正)笘居 高明(正)本間 格
Solar Cell
Supercritical Fluid
CuInSe2/Cu2ZnSnSe4
5-h146
(11:40~12:00) (司会 霜垣 幸浩)
11:4012:00O209[分科会奨励賞]CVD反応分科会奨励賞受賞式
(東大院工/大陽日酸) ○(正)清水 秀治(東北大多元研) (学)矢中 美紀(東大院工) (学)小坂 昌輝
CVD
reaction enginnering
encouraging prize
5-h42

講演プログラム
化学工学会 第78年会 (大阪, 2013)

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Most recent update: 2013-02-18 11:22:25
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