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受理済み講演申し込み (5-h) [English]


5) 反応工学

5-h. CVD・ドライプロセス

最終更新日時:2020-09-26 15:59:01

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CVD4件*
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chemical vapor deposition2件
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103TiAlN-CVDプロセスの反応モデル構築に向けた速度過程解析(2)
(東大院工) ○(学)山口 潤平原 智子(京セラ) (法)久保 隼人(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(京セラ) (法)谷渕 栄仁(東大院工) (正)霜垣 幸浩
CVD
TiAlN
cutting tool
P
222SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討
(東大院工) ○(学)佐藤 登(学)大高 雄平(学)安治 遼祐(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CH3SiCl3
SiC CVI
surface reaction
O
396流動層による有機金属蒸気供給と触媒担持および長尺カーボンナノチューブの合成
(早大先進理工) ○(学)立川 明林(早大理工総研) Li Mochen(早大先進理工) (正)杉目 恒志(正)大沢 利男(正)野田 優
carbon nanotube
fluidized bed
chemical vapor deposition
P
450MTS/H2を原料としたSiC-CVDプロセスにおけるSiCl4添加効果の検討
(東大院工) ○(学)大高 雄平(東大工) (学)安治 遼祐(東大院工) (学)佐藤 登(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
Recycle
P
462Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation
(東大院工) ○(学)Zhang Jin(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
multiscale simulation
chemical vapor deposition
level set method
O
515X線管用カーボンナノチューブ電界放出電子源の作製と階層構造制御
(早大理工) ○(学)安井 浩太郎北川 紗映(正)杉目 恒志越智 隼人高橋 大造(早大理工) (正)野田 優
carbon nanotube
electron field emitter
hierarchical structure control
P
572固体原料併用PECVD法における分散媒が合成された複合薄膜に及ぼす影響
(広大院工) ○(正)島田 学(技基)高橋 一真(正)久保 優
titanium dioxide
carbon nanotube
photocatalyst
O
608プラズマCVD法シリカ系ガスバリア膜の残留応力
(京大工) ○(正)河瀬 元明(学)平田 桑一朗(学·技基)脇坂 知樹
CVD
residual stress
silica gas barrier film
O
614ヨウ化鉛メチルアンモニウムペロブスカイト膜のCVDプロセスの開発
(京大工) ○(正)河瀬 元明(学)村上 誉紀(学)松田 萌
CVD
methylammonium lead iodide
lead melt
O

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