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化学工学会 第86年会

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5) 反応工学

5-h. CVD・ドライプロセス

最終更新日時：2021-08-21 18:44:01

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ているキーワード		キーワード受理件数
CVD4件*
chemical vapor deposition3件*
CVI2件
carbon nanotube2件
SiC2件
nonlinear reaction kinetics1件

受理
番号		講演題目／発表者キーワード発表形式
24HMDSOを主原料としたプラズマCVDによる製膜中の発光分析
(岐阜大院自) (学)○久保庭 惇・ (岐阜大工) 小宮山 正治・ (正)西田 哲		CVD
film
plasma
P
27FeとAl源の気相供給による14cm長カーボンナノチューブフォレストの成長
(早大理工総研) (正)○杉目 恒志・ (早大先進理工) 佐藤 俊裕・ 仲川 黎・ (静大工) 林 竜弘・ (正)井上 翼・ (早大先進理工) (正)野田 優		carbon nanotube
chemical vapor deposition
catalyst
O
42三塩化ホウ素ガスとジクロロシランガスによる S-B 膜形成
(横国大) 大谷 真奈・ 室井 光子・ (正)○羽深 等		Silicon-boron
CVD
BCL3
O
254原料交互供給型超音波霧化法を用いたCuInS2成膜における反応制御
(東大院工) (学)○居城 晃平・ (東大環安セ/東大院工) (正)坂井 延寿・ (正)辻 佳子		CuInS2
ultrasonic spray method
solar cells
P
383MTS/H2を原料としたSiC-CVIにおける擬0次反応と犠牲層を併用したトレンチ内均一製膜
(東大院工) (学)○大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (学)根東 佳史・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		SiC
CVD
CVI
O
424火炎噴霧熱分解により調製したコア-シェル型Ni-SiO2触媒のSiO2シェル生成機構
(山形大院理工) (正)藤原 翔		Flame spray pyrolysis
Ni catalyst
SiO2 shell
O
506塩素フリーSiC-CVIにおける粉体抑制・均一埋め込みに向けたプロセス検討
(東大院工) (学)○根東 佳史・ (学)安治 遼祐・ (学)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		SiC
CVI
CVD
P
518Multiscale simulation framework for chemical vapor deposition in nonlinear surface reaction kinetics case
(東大院工) (学)○Zhang Jin・ (正)Deura Momoko・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro		multiscale simulation
chemical vapor deposition
nonlinear reaction kinetics
O
530クロロホルムを用いたグラフェンの絶縁基板上直接合成
(早大先進理工) (学)○中村 汐里・ (学)田中 秀明・ (早大理工総研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)野田 優		graphene
etching precipitation method
chloroform
P
538理論的検討に基づいたSiC-CVIプロセスにおける炭素種の表面反応モデル構築
(東大院工) (正)○佐藤 登・ (学)根東 佳史・ (学)大高 雄平・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		SiC CVI
surface reaction mechanism
CH3SiCl3
O
565触媒原料急熱による高結晶性単層カーボンナノチューブの気相連続合成
(早大先進理工) (学)○近嵐 樹・ 張 子豪・ (正)大沢 利男・ (早大理工総研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)野田 優		carbon nanotube
chemical vapor deposition
nanoparticle catalyst
P
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