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化学工学会第88年会(東京)

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5) 反応工学

5-h. CVD・ドライプロセス

最終更新日時：2023-05-13 03:59:01

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7ジクロロシラン、三塩化ホウ素とモノメチルシラン混合ガスによる化学気相堆積過程
(横国大院理工) 大谷 真奈・ 室井 光子・ (正)○羽深 等		dihlorosilane
boron trichloride
monomethylsilane
O
79ホウ酸をホウ素源に用いた窒化ホウ素ナノチューブの合成
(早大先進理工) (学)○蛭子 蒼太・ 沢田 哲郎・ (早大理工総研) (正)杉目 恒志・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優		Boron nitride nanotube
Chemical vapor deposition
Template coating
P
157急速蒸着法による多孔質シリコン表面上への単結晶シリコン膜の作製
(早大先進理工) (学)○大橋 美彩子・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優		Mono-crystalline Si film
Rapid vapor deposition
Porous Si
P
217密度汎関数法によるビス(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト)銅(II)の銅(111)表面への吸着に関する研究
(東大工) (学)○Wu Yuxuan・ (正)佐藤 登・ (学)山口 潤・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		Atomic Layer Depositon
Density Function Theory
Surface Adsorption
O
245理論的検討に基づいたSiC-CVIプロセスにおける表面反応モデルの改良
(東大院工) (正)○佐藤 登・ (学)木村 俊介・ (学)大高 雄平・ (東大工) 脇山 知也・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		SiC
CVI
surface reaction model
O
312アルカリエッチングによるシリコン基板上のテクスチャ形成と評価
(岐阜大院自) (学)○中川 雅斗・ 小宮山 正治・ (正)西田 哲		alkaline etching
silicon substrates
texture
P
516超軽量X線望遠鏡への原子層堆積法による Co 成膜の研究
(都立大院理) (学)○辻 雪音・ 伊師 大貴・ 福島 碧都・ 江副 祐一郎・ 石川 久美・ 沼澤 正樹・ 稲垣 綾太・ 上田 陽功・ 森下 弘海・ 関口 るな・ 村川 貴俊・ 山口 和馬・ (都立大理) 石川 怜・ 森本 大輝・ 山田 裕大・ (国立天文台) 満田 和久		Atomic Layer Deposition
micropore optics
x-ray
P
528パラフィン、オレフィンからのコーク生成速度
(京大工) (学)○仲野 真治・ (正)藤墳 大裕・ (正)河瀬 元明		fouling
coking
CVD
O
540トリエチルアルミニウムからのCVD法によるAlN薄膜の作製
(京大工) (学)○村橋 孝亮・ (学)李 亜飛・ (正)河瀬 元明		CVD
triethylaluminum
AlN
O
547分子シミュレーションによるIII族前駆体がIII-V 化合物結晶成長に与える影響の検討
(京大工) (学)○李 亜飛・ (学)村橋 孝亮・ (正)河瀬 元明		MOCVD
molecular simulations
III-V compound
O
554ビスマス系ペロブスカイト薄膜の化学気相成長速度制御による太陽光発電性能の向上
(京大工) (海)○楊 紫光・ (学)戸上 敬登・ (学)田邉 舞香・ (正)河瀬 元明		Chemical vapor deposition
Methylammonium bismuth iodide
Molten bismuth
O
597高下地選択性Co-ALDプロセス設計のための可視光反射率その場観察手法の構築
(東大院工) (学)○木村 俊介・ (学)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		ALD
in-situ observation
reflectance
O
676MTS/H2を原料ガスとしたCVD反応炉のSiC成長簡略化機構による数値流体解析
(名大院工) (学)○小川 達也・ 福本 一生・ (正)町田 洋・ (正)則永 行庸		CVD
MTS
CFD
P
705超臨界流体薄膜堆積法を用いた誘電体上の低抵抗率銅薄膜形成に向けた前処理条件の検討
(東大院工) (学)○中嶋 佑介・ Huang Yuyuan・ (正)霜垣 幸浩・ (正)百瀬 健		SCFD
Polymer
resistivity
O
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