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化学工学会横浜大会2012

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5) 反応工学

5-h. CVD・ドライプロセス

最終更新日時:2012-06-11 20:59:01

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SiC2件
Low temperature1件

受理
番号
講演題目/発表者キーワード受理日時
4炭化珪素薄膜の低温形成法
(横国大院工) ○津地 雅希(正)羽深 等
SiC
CVD
Low temperature
5/20
21:31:30
5三フッ化塩素ガスにより4H-SiC表面に形成されるエッチピット
(横国大院工) ○(学)福元 裕介(正)羽深 等(産総研) 加藤 智久
SiC
Etching pit
ClF3 gas
5/20
21:37:33

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