化学工学会横浜大会: 講演プログラム（セッション別）

講演プログラム（セッション別）

シンポジウム <先端材料の今と将来，そして社会実装＜依頼講演、一般公募＞>

A201-A210

オーガナイザー:

羽深等（横浜国立大学）・金井俊光（横浜国立大学）

新たなたな機能を有する材料が発明・発見・開発され，先端的プロセス技術によって様々な用途に産業展開され，日常生活をも一変させるまでになっています。それら先端の材料とプロセス技術の今と将来を展望し，社会実装されることによって描かれる豊かな可能性を俯瞰することを目指してシンポジウムを開催致します。幅広い分野から講演を募集致します。

最終更新日時：2019-07-25 18:46:34

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
A 会場・第 2 日
(10:00～12:30) (座長羽深等・金井俊光)
10:00～ 10:15	A201	マイクロバブル気泡塔による高速ガス吸収 (慶應大院理工) (学)○檜垣雅貴・ (慶應大理工) (正)寺坂宏一・ (正)藤岡沙都子	Microbubbles Bubble Column Gas absorption	2-d	17
10:15～ 10:30	A202	数値混合実験を用いた大型翼層流撹拌における混合物投入位置の検討 (千葉工大) (学)○坂田佳祐・ (元千葉工大) 小島一泰・ (千葉工大) (正)仁志和彦	Laminar Mixing MAXBLEND Injection Point	2-b	84
10:30～ 10:45	A203	シリコン表面における三塩化ホウ素ガスの化学反応 (横国大院工) (学)○室井光子・山田彩未・齋藤あゆ美・ (正)羽深等	doping silicon CVD	S-1	11
10:45～ 11:00	A204	三フッ化塩素ガスによる4H-SiCウェハエッチング分布の均一化 (横国大院工) (学)○入倉健太・ (正)羽深等・ (関東電化) 髙橋至直・ (産総研) 加藤智久		S-1	8
11:00～ 11:15	A205	三フッ化塩素ガスを用いた直径200 mm炭化ケイ素ウェハエッチング装置の設計 (横国大院工) (学)○川崎稜平・ (正)羽深等・ (関東電化工業) 高橋至直・ (産総研) 加藤智久	ClF3 Etching SiC	S-1	7
11:15～ 11:45	A206	炭化珪素パワー半導体の現状と周辺材料への期待 (産総研) 山口浩	Silicon carbide Power devices Development	S-1	18
11:45～ 12:00	A208	液相化学種の熱力学データに関する連続誘電体モデルを用いた半経験的推算方法 (横国大) (正)○伊里友一朗・ (正)三宅淳巳	Themochemical data polarizable continuum model liquid	1-a	53
12:00～ 12:15	A209	FTIR Spectroscopic Measurement for Electrochemical Promotion of Ammonia Synthesis with Proton-Conducting Solid Oxide Fuel Cell (GSFS) ○李建毅・松尾拓紀・大友順一郎	Electrochemical synthesis of ammonia Deuterium isotope analysis Iron catalyst	9-e	62
12:15-12:30	A210	腐食モニタリング手法と腐食速度マップ (東京電力HD) (正)○龍岡照久・黒川晃澄・吉野恵一・岸垣暢浩・ (TEPCOパワーグリッド) 大園智章・斎藤善征・山崎智之・北嶋知樹	corrosion monitoring maintenance	13-i	2

講演
時刻

講演
番号

講演題目／発表者

キーワード

分類
番号

受理
番号

A 会場・第 2 日

(10:00～12:30) (座長羽深等・金井俊光)

10:00～ 10:15

A201

マイクロバブル気泡塔による高速ガス吸収

(慶應大院理工) (学)○檜垣雅貴・ (慶應大理工) (正)寺坂宏一・ (正)藤岡沙都子