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化学工学会 第80年会

講演申し込み一覧（シンポジウム・講演分類別）

5) 反応工学

5-h. CVD・ドライプロセス

最終更新日時：2015-07-10 15:24:01

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CVD6件**
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Zinc oxide2件
graphene2件
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番号		講演題目／発表者キーワード発表形式
175エッチング析出法による数層グラフェンの誘電体基板上直接形成と構造制御
(早大先進理工) (学)○秋葉 祥恵・ (東大院工) 小坂 昌輝・ (早大先進理工) (正)長谷川 馨・ (正)野田 優		graphene
crystal growth
dry-etching
P
178浮遊コーティング法によるカーボンナノチューブ上への金属酸化物層の形成
(広大院工) (正)○久保 優・ (学)角村 洋文・ (正)島田 学		Plasma enhanced chemical vapor deposition
Composite materials
Film formation
O
302流動層法によるカーボンナノチューブの粉体上合成とガス流による一括回収
(早大先進理工) (学)○蜂谷 宗一郎・ (学)川端 孝祐・ (正)陳 忠明・ (正)長谷川 馨・ (正)大沢 利男・ (正)野田 優		carbon nanotubes
fluidized bed
chemical vapor deposition
P
303プラズマCVD法によるシリカ成膜へのH2添加の影響
(京大工) (学)○竹田 依加・ (学)出口 利樹・ (正)河瀬 元明		Plasma CVD
silica
hydrogen addition
O
305各種ナノカーボン材料への臭素ドープ・脱ドープ過程と抵抗制御
(早大先進理工) (学)○高畠 麻実・ (正)長谷川 馨・ (正)大沢 利男・ (正)野田 優		graphene
carbon nanotube
doping
P
450各種芳香族炭化水素からの熱分解炭素成膜速度
(京大工) (学)○馬場 翔平・ (学)岩井 豊彦・ (学)長田 翔・ (正)河瀬 元明		Chemical vapor deposition
Pyrolysis
Carbon
P
462アセチルアセトナート亜鉛を原料としたCVD法による酸化亜鉛薄膜の作製
(東海大院) (学)○三澤 京介・ (東海大) 中村 祐介・ 田沢 航海・ 森田 真仁・ (正)秋山 泰伸		CVD
thin film
zinc oxide
P
465常圧熱CVD法を用いて作製した ZnO 薄膜の段差被覆性の評価
(東海大院) (学)○早川 尚志・ (東海大) 山梨 俊弘・ 片岡 隆宏・ 金森 瑞弥・ (正)秋山 泰伸		CVD
Zinc oxide
Thin film
P
510銅薄膜の急速蒸着とリチウム二次電池電極応用
(早大先進理工) (学)○青井 慈喜・ (正)長谷川 馨・ (正)大沢 利男・ 門間 聰之・ 逢坂 哲彌・ (正)野田 優		Rapid vapor deposition
Cu
lithium secondary batteries
P
518ガス中蒸発法によるシリコンナノ粒子の作製と リチウム二次電池用三次元厚膜電極の開発
(早大先進理工応用化) (学)○小輪瀬 敬之・ (正)長谷川 馨・ (正)大沢 利男・ 門間 聰之・ 逢坂 哲彌・ (正)野田 優		Lithium secondary battery
Evaporation
Silicon
P
564トリメチルクロロシランを原料としたSiC-CVDプロセスのマルチスケール解析
(東大院工) (学)○杉浦 秀俊・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		SiC
CVD
trimethylchlorosilane
P
616リチウム二次電池に向けたシリコン粒子膜の集電体上直接形成
(早大先進理工) (学)○森川 裕介・ (正)長谷川 馨・ (正)大沢 利男・ 門間 聰之・ 逢坂 哲彌・ (正)野田 優		Lithium secondary battery
Evaporation
Silicon
P
657モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築
(東大院工) (学)○舩門 佑一・ (学)佐藤 登・ (学)嶋 紘平・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (学)杉浦 秀俊・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		Overall reaction model
SiC
CVD
O
672モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセスにおける製膜種付着確率の詳細解析 (3)
(東大院工) (学)○嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (学)杉浦 秀俊・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		CVD
SiC
methyltrichlorosilane
O
747DCプラズマCVD法によるダイヤモンド成長速度比([100]/[111])と析出形態の制御
(阪府大工) (学)○湯川 光・ (阪府大院工) (学)根崎 基信・ (正)中田 洸樹・ (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (正)近藤 和夫・ (産総研) 山崎 聡・ 大串 秀世		CVD
diamond
plasma
P
785EB蒸着法によりp型ダイヤモンド上に形成したTiCN/Pt/Au電極のTLM評価
(阪府大院工) (学)○鈴木 聡一郎・ (学)根崎 基信・ (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (正)近藤 和夫・ (産総研) 松本 翼・ 牧野 俊晴・ 小倉 政彦・ 加藤 宙光・ 竹内 大輔・ 山崎 聡・ 大串 秀世		diamond
contact resistance
electron beam evaporated
P
809PLD法を用いた強誘電体薄膜の強誘電性及びピエゾ特性評価
(阪府大院工) (学)○天野 泰河・ (学)高田 瑶子・ (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (正)近藤 和夫・ 吉村 武・ 藤村 紀文・ (阪大産研) 樋口 宏二・ 北島 彰		ferroelectric properties
pulsed laser deposition
piezoelectric properties
P
838InGaN-MOVPE用新規窒化原料の反応解析
(東大院工) (学)○鈴木 雄大・ (正)百瀬 健・ (エア・リキード・ラボラトリーズ) 寺本 喬・ Dussarrat Christian・ (東大院工) (正)杉山 正和・ (正)霜垣 幸浩		InGaN
reaction analysis
Qmass
P
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Most recent update: 2015-07-10 15:24:01
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