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化学工学会 第85年会

Last modified: 2020-03-02 11:00:00

講演プログラム（会場・日程別） : J会場・第3日

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J 会場(3F 2301) ・ 第 3 日(3月17日(火))

1 基礎物性 | 5,10 反応工学,安全

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
1. 基礎物性
(9:00～10:20) (座長 児玉 大輔・佐藤 善之)
9:00～ 9:20J301連続溶媒和モデルを用いた水溶液中化学種の熱力学データ推算法
(横国大院環情) ○(正)伊里 友一朗・ (産総研) 松木 亮・ (JST-LCS) 越 光男・ (横国大先端) (正)三宅 淳巳
Themochemical data
Quantum chemistry calculation
Continiuum solvation model
1-a465
9:20～ 9:40J302ナノ構造イオン液晶の分子動力学研究:吸水性と拡散性
(兵庫県大院シミュ) ○(正)石井 良樹・ (北里大理) 渡辺 豪・ (阪大院基工) (正)松林 伸幸・ (東大院工) 加藤 隆史・ (兵庫県大院シミュ) 鷲津 仁志
molecular dynamics
ionic liquid crystals
nanostructure
1-a481
9:40～ 10:00J303動粘度および熱伝導率のASOG-VLEパラメータによる推定
(日大理工) ○(正)栃木 勝己・ (正)松田 弘幸・ (正)栗原 清文・ (中央大理工) (正)船造 俊孝・ (GNA U.) ラターン ブイケー
ASOG-VLE parameter
KInematic viscosities
Thermal conductivities
1-a314
10:00～ 10:20J304エタノール+水+溶媒系液液平衡の測定とASOG-LLEモデルによる推定
(日大理工) ○(正)栃木 勝己・ 松谷 好晃・ (正)松田 弘幸・ (正)栗原 清文・ (PreFEED) 横山 克己
Liquid-Liquid Equilibria
Ethanol+Water+Solvent system
ASOG-LLE model
1-a318
(10:20～12:00) (座長 伊里 友一朗・石井 良樹)
10:20～ 10:40J305ポリブチルメタクリレート+アルコール類の拡散係数の測定と相関
(山口大院創) ○(正)小渕 茂寿・ (学)丸山 加寿也
measurement
correlation
diffusion coefficient
1-a559
10:40～ 11:00J306ガラス転移点近傍におけるMMA / EA共重合に対するCO2溶解度および拡散係数の測定および推算に関する研究
(東北大院工) (学·修習)生内 良樹・ (東北工大工) ○(正)佐藤 善之・ (東北大院工) (正)猪股 宏
Glass transition
Equation of state
free volume theory
1-a783
11:00～ 11:20J307イオン液体の電子状態データベース構築とガス吸収能評価への応用
(JST ACT-I/中央大理工研) ○(正)黒木 菜保子・ (中央大理工/JSTさきがけ) (正)森 寛敏
Ionic liquid
Database
Machine learning
1-a581
11:20～ 11:40J308ホスホニウム系イオン液体のガス溶解度に及ぼすアニオンの影響
(日大工) ○(正)児玉 大輔・ 荻野 涼・ (日大院工) (学)高橋 広大・ (JST ACT-I/中央大理工研) (正)黒木 菜保子・ (中央大理工/JSTさきがけ) (正)森 寛敏・ (RITE) (海)Chowdhury Firoz・ (正)山田 秀尚
Ionic liquid
Gas solubility
Anion
1-a665
11:40～ 12:00J309イオン液体中でのCO2溶解度の推算
(法政大生命) ○(正)西海 英雄・ (日大工) (正)児玉 大輔
ionic liquid
CO2 solubility
prediction
1-a719
5,10 反応工学,安全
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
(13:00～14:40) (座長 野田 優・筑根 敦弘)
13:00～ 14:40J313SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討
(東大院工) ○(学)佐藤 登・ (学)大高 雄平・ (学)安治 遼祐・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CH3SiCl3
SiC CVI
surface reaction
5-h222
J314Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation
(東大院工) ○(学)Zhang Jin・ (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
multiscale simulation
chemical vapor deposition
level set method
5-h462
J315固体原料併用PECVD法における分散媒が合成された複合薄膜に及ぼす影響
(広大院工) ○(正)島田 学・ (技基)高橋 一真・ (正)久保 優
titanium dioxide
carbon nanotube
photocatalyst
5-h572
J316プラズマCVD法シリカ系ガスバリア膜の残留応力
(京大工) ○(正)河瀬 元明・ (学)平田 桑一朗・ (学·技基)脇坂 知樹
CVD
residual stress
silica gas barrier film
5-h608
J317ヨウ化鉛メチルアンモニウムペロブスカイト膜のCVDプロセスの開発
(京大工) ○(正)河瀬 元明・ (学)村上 誉紀・ (学)松田 萌
CVD
methylammonium lead iodide
lead melt
5-h614

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