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化学工学会 第41回秋季大会

講演プログラム（会場・日程別）

A会場 第1日

最終更新日時：2009-09-07 16:36:42
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
シンポジウム ＜CVD・ドライプロセスシンポジウム　－デバイス構造・機能制御の反応工学－＞
(10:00～11:00)　(座長 羽深 等)
10:00～ 10:20A104InGaN/GaN選択MOVPEによる可視光発光波長シフトのメカニズム
(東大工) ○(正)杉山 正和・(学)塩田 倫也・富田 祐貴・(正)霜垣 幸浩・(東大先端研) 中野 義昭		MOVPE
InGaN
選択成長
S-45943
10:20～ 10:40A105微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの原子構造と光学特性解析
(東大院工) ○(学)出浦 桃子・(学)近藤 佳幸・星井 拓也・竹中 充・高木 信一・(東大先端研) 中野 義昭・(東大院工) (正)杉山 正和		MOVPE
InGaAs
heteroepitaxy
S-45858
10:40～ 11:00A106新規ケミストリによる酸化アルミニウム薄膜のCVD合成と物性評価
(東大工) ○(正)霜垣 幸浩・何 剛・王 暁亮・豊田 智史・尾嶋 正治		Al2O3
CVD
XPS
S-45498
(11:00～12:00)　(座長 齊藤 丈靖)
11:00～ 11:20A107パルス通電加熱によるCNTフィールドエミッタの瞬間実装
(東大院工) ○(正)関口 康太郎・(大日本スクリーン) (正)古市 考次・(東大院工) (正)白鳥 洋介・(学)杉目 恒志・(正)野田 優		carbon nanotubes
field emitters
chemical vapor deposition
S-45678
11:20～ 11:40A108自己組織化カーボンナノチューブエミッターアレイの作製および電界電子放出特性
(東大院工) ○(正)白鳥 洋介・(大日本スクリーン) 古市 考次・(東大院工) (正)野田 優		Carbon nanotube
Self-organization
Field emission
S-45237
11:40～ 12:00A109デバイス基板上でのカーボンナノチューブの垂直配向成長
(東大院工) ○(正)野田 優・(学)白井 聖		carbon nanotubes
device substrates
chemical vapor deposition
S-45290
(13:00～13:40)　(司会 霜垣 幸浩)
13:00～ 13:40A113[展望講演]TFTプロセス技術の現況と将来展望
(シャープ) ○山元 良高		TFT
CVD
LCD
S-45455
(13:40～15:00)　(座長 野田 優)
13:40～ 14:00A115半導体太陽電池への応用を目指した銀ナノ粒子分散膜の光学特性
(炭エネ研) ○(学)田中 佑宜・鉢村 浩徳・(正)伊原 学		solar cell
nano-particles
surface plasmon
S-45470
14:00～ 14:20A116RFプラズマCVD法による絶縁膜の形成と強誘電体の劣化保護効果
(阪府大院工) ○(学)和泉 要・(学)辻 徹・(学)廣田 祐一郎・(正)岡本 尚樹・(正)齊藤 丈靖・(正)近藤 和夫・吉村 武・藤村 紀文		RF plasma CVD
ferroelectric film
encapsulation
S-45687
14:20～ 14:40A117AlPおよびH2Sを用いたGaAs表面のMOVPE反応炉内in situパッシベーション
(東大院工) ○(学)寺田 雄紀・(学)出浦 桃子・(正)霜垣 幸浩・(正)杉山 正和・(東大先端研) (正)中野 義昭		MOVPE
passivation
S-45825
14:40～ 15:00A118In-situ表面異方性観察を用いたGaAs MOVPE成長の高原料効率化
(東大院工) ○(正)鬼塚 隆祐・(正)杉山 正和・(東大先端研) 中野 義昭		MOVPE
Photovoltaics
In-situ monitoring
S-45846
(15:20～16:00)　(座長 伊原 学)
15:20～ 15:40A120MOVPE微小領域選択成長におけるSi上InAs核発生の成長条件依存性
(東大院工) ○(学)近藤 佳幸・(学)出浦 桃子・竹中 充・高木 信一・(東大先端研) 中野 義昭・(東大院工) (正)杉山 正和		MOVPE
InAs on Si
nucleation
S-45841
15:40～ 16:00A121マルチスケール解析によるGaN MOVPE反応メカニズムの検討
(東大工) ○(正)杉山 正和・安河内 諭・(学)塩田 倫也・(正)霜垣 幸浩・(東大先端研) 中野 義昭		GaN
MOVPE
multi-scale analysis
S-45947
(16:00～17:00)　(座長 高見 誠一)
16:00～ 16:20A122フッ素非含有原料によるCu-CVDプロセスの評価
(東大工) ○(正)霜垣 幸浩・宋 海政・(APCI) Norman John		Cu-CVD
ULSI
Metallization
S-45484
16:20～ 16:40A123成膜とエッチングの競合による微細孔の選択的埋め込み技術の開発
(東大院工) ○(学)高野 宗一郎・(正)辻 佳子・(正)野田 優		chemical vapor deposition
Copper
selective filling
S-45637
16:40～ 17:00A124多結晶コバルトシリサイド薄膜形成における結晶成長の理解と制御
(東大院工) ○(学)辻 由樹絵・(正)辻 佳子・(正)野田 優		cobalt disilicide
crystal growth
sputter deposition
S-45437
講演プログラム
化学工学会 第41回秋季大会
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Most recent update: 2009-09-07 16:36:42
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