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化学工学会 第42回秋季大会

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S) シンポジウム

S-29. CVD・ドライプロセス-構造・機能制御の反応工学-

オーガナイザー 霜垣幸浩(東京大),秋山泰伸(東海大)

CVDやスパッタ,ドライエッチングなどの薄膜形成・微粒子合成,微細加工における反応メカニズムの理解を通じ,デバイス構造を形成し,機能を発現させる方法論について議論することを目的とします。光・電子デバイス,MEMS,マイクロリアクタなどの形成において,必要な薄膜の構造や機能を経験的にではなく,論理的に最適化するための方法論を議論します。単一会場でのシンポジウムとすることで参加者全員による活発な討議を期待します。

最終更新日時:2010-06-21 20:19:01

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受理
番号
講演題目/発表者キーワード受理日時
5ULSI配線のキャップ層用新規原料とプラズマCVDによるSiCH膜
(大陽日酸/東大院工) ○(正)清水 秀治(トリケミカル研) 加田 武史(筑波大) 田島 暢夫(東大院工) (正)霜垣 幸浩
Plasma Enhanced CVD
low-k cap layer
SiCH
4/9
18:56:56
83[展望講演] デバイス開発・生産を目指したプラズマプロセス・装置開発
(サムコ) ○本山 慎一辻 理
プラズマCVD
プラズマRIE
半導体デバイス
4/20
20:17:02
96[展望講演] CVDプロセスの分子論的解明に向けて量子化学の果たす役割
(京大工) ○立花 明知
CVDプロセス
量子化学計算
窒化物半導体
4/21
12:18:55
176無電解めっきによるMWCNT/ニッケル複合体の作製
(阪府大院工) ○(学)高木 康行(正)齊藤 丈靖(正)岡本 尚樹(正)近藤 和夫(大阪市工研) 藤原 裕小林 靖之
carbon nanotube
electroless plating
nickel
4/23
16:19:24
183カーボンナノ粒子添加超音波噴霧熱分解法による燃料電池粒子材料の合成
(阪府大工) ○(学)吉田 俊幸(学)堀田 翔吾(正)木下 卓也(正)足立 元明
carbon nanopowder
ultrasonic spray pyrolysis
fuel cell
4/23
17:17:20
189非貴金属電極/保護絶縁膜による強誘電体の劣化抑制効果
(阪府大院工) ○(学)辻 徹(学)和泉 要廣田 祐一郎(正)岡本 尚樹(正)齊藤 丈靖(正)近藤 和夫吉村 武藤村 紀文(阪大産研) 北島 彰大島 明博
ferroelectric material
pulsed laser deposition
zinc oxide
4/23
17:45:33
190超臨界二酸化炭素中での金属酸化物薄膜形成における添加物効果
(阪府大院工) ○(学)小島 章光廣田 祐一郎(正)齊藤 丈靖(正)岡本 尚樹(正)近藤 和夫(東北大多元研) (正)高見 誠一
supercritical carbon dioxide
metal-oxide thin films
device
4/23
17:46:47
214大型反応器でのGaAs選択MOVPE成長の解析と制御
(東大工) 前代 武瑠(住友化学) 市川 磨秦 雅彦(東大院工) (正)杉山 正和(東大先端研) 中野 義昭(東大院工) ○(正)霜垣 幸浩
GaAs
MOVPE
large scale reactor
4/24
14:30:46
234SCFDによるPd製膜における新規液体還元剤の開発
(東大院工) ○(学)渡邊 圭(正)霜垣 幸浩
SCFD
liquid reducing agent
palladium
4/26
09:46:01
290ナノ細孔内での加水分解反応による金属,金属酸化物ナノ粒子の合成
(京大工) ○(正)河瀬 元明(学)Gerlach I.(正)三浦 孝一
nanoreactor
nanoparticle
rapid heating
4/26
18:53:03
291Siエピタキシャル高速成長向け反応モデル及び反応メカニズムの解析
(豊田中研) ○(正)全 基栄中嶋 健次(部)小澤 隆弘杉山 隆英石子 雅康(岐阜大) (正)西田 哲栗林 志頭眞(東大院工) (正)越 光男
Si epitaxial
Reaction mechanism
Growth rate
4/26
19:06:30
313プラズマCVD法を用いたカーボンナノファイバーの簡易領域選択合成プロセスの開発
(東工大院理工) ○(正)森 伸介(東工大工) 鈴木 俊介(東工大院理工) (正)鈴木 正昭
Plasma-enhanced CVD
Carbon nanofiber
Area-selective synthesis
4/26
21:03:11
561超臨界流体を用いた絶縁性下地上への金属膜形成と埋め込み特性評価
(東大生研) ○(正)百瀬 健(BEANS研) (正)山田 英雄(東大院工) (正)杉山 正和(正)霜垣 幸浩
Supercritical fluid
Deposition
Step coverage
4/27
22:21:45
568微小領域選択MOVPEを用いたSi上InGaAsの形状均一化に向けたSi表面状態とInAs成長の関係
(東大院工) ○(学)出浦 桃子(学)近藤 佳幸竹中 充高木 信一(正)霜垣 幸浩(東大先端研) 中野 義昭(東大院工) (正)杉山 正和
MOVPE
heteroepitaxy
InGaAs on Si
4/27
22:49:26
601超臨界流体を用いたSiO2製膜における埋め込み特性評価
(BEANS研) ○(正)山田 英雄(東大生研) (正)百瀬 健(デンソー) 北村 康宏服部 有(東大院工) (正)杉山 正和(正)霜垣 幸浩
supercritical fluid
deposition
SiO2
4/28
09:51:06
610減圧熱CVD法により作製した酸化亜鉛と二酸化スズ薄膜の電気特性
(東海大院工) ○(学)今 大輔(学)羽柴 和人(正)秋山 泰伸
LPCVD
Zinc oxide
Tin oxide
4/28
10:28:55
630成長領域狭窄化選択MOVPEによるSi上InGaAsの高横/縦比成長
(東大院工) ○(学)近藤 佳幸(学)出浦 桃子竹中 充高木 信一(東大先端研) 中野 義昭(東大院工) (正)杉山 正和
InGaAs
MOVPE
selctive area growth
4/28
11:23:56
666カーボンナノ粒子添加噴霧熱分解法によるフェライトナノ粒子の合成
(阪府大工) ○(学)近田 吏由壱(正)木下 卓也(正)足立 元明
synthesis
ultrasonic spray pyrolysis
ferrite
4/28
12:36:45
794Microstructures and transparent conducting properties of self-organized networks of single-walled carbon nanotubes
(東大院工) ○(学)Ketpreechasawat Suarpa杉目 恒志(正)白鳥 洋介(正)野田 優
carbon nanotubes
self-organization
transparent conducting properties
4/28
16:05:46
797単層カーボンナノチューブの気相合成と反応制御
(東大院工) ○(学)佐藤 佳邦石塚 洋行(正)大沢 利夫(正)野田 優
carbon nanotubes
catalytic chemical vapor deposition
gas-phase synthesis
4/28
16:10:57
808高原料効率GaAs-MOVPEにおける不純物濃度制御と太陽電池応用
(東大院工) ○(学)鬼塚 隆祐(正)杉山 正和(東大先端研) 中野 義昭
MOVPE
photovoltaics
GaAs
4/28
16:36:10
819モノメチルシランを原料とするHotwire-CVDによるSiC製膜の反応シミュレーション
(岐阜大院工) ○(学)亀山 尊寛(正)西田 哲牟田 浩司栗林 志頭眞
CVD
Silicon carbide
Simulation
4/28
16:52:43
838ナノクラスターの気相堆積で形成される薄膜構造の評価
(広大院工) ○(学)飯田 大樹(正)島田 学
cluster
nanostructure
thin film
4/28
17:28:59
843粒子原料導入プラズマCVD法によるナノ複合材料の合成
(広大院工) ○(学)山本 洋彰(正)島田 学
thin film
nanoparticle
nonequilibrium plasma
4/28
17:34:33

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