化学工学会第45回秋季大会: 講演プログラム（会場・日程別）

講演プログラム（会場・日程別）

D 会場・第 2 日

最終更新日時：2013-08-20 14:03:53

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
シンポジウム <CVD・ドライプロセス　－構造・機能制御の反応工学－>
(10:00～12:00) (座長齊藤丈靖・池田圭)
10:00～ 10:20	D204	Structure and electrochemical performance of rapidly deposited silicon-based porous films for lithium ion rechargeable batteries (東大院工) ○(学)李重昊・ (住友化学) 松本慎吾・中根堅次・ (早大先進理工) (正)野田優	physical vapor deposition porous silicon films lithium ion batteries	S-2	956
10:20～ 10:40	D205	モノメチルトリクロロシランを原料としたSiC-CVDプロセスにおける表面反応を考慮した素反応機構の構築 (東大院工) ○(学)佐藤登・ (学)舩門佑一・ (学)福島康之・ (学)杉浦秀俊・ (IHI基盤研) 保戸塚梢・ (東大院工) (正)百瀬健・越光男・ (東大院工) (正)霜垣幸浩	SiC CVD reaction mechanism	S-2	637
10:40～ 11:00	D206	モノメチルトリクロロシランを原料としたSiC-CVDプロセスの総括反応モデルの検討 (東大院工) ○(学)福島康之・ (学)佐藤登・ (学)舩門佑一・ (学)杉浦秀俊・ (IHI基盤研) 保戸塚梢・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC CVD Methyltrichlorosilane	S-2	436
11:00～ 11:20	D207	プラズマCVD法によるヘキサメチルジシロキサンと酸素からのシリカ成膜 (京大工) ○(学)竹田依加・ (学)永冶渉・ (学)高橋諒・ (正)河瀬元明	Plasma CVD HMDSO silica	S-2	835
11:20～ 11:40	D208	赤色発光シリコン材料の気相合成と発光特性 (東大院工) ○(学)大武秀稔・ (農工大院BASE) (正)稲澤晋・ (東大環安セ/東大院工) (正)辻佳子・ (東大院工) (正)山口由岐夫	CVD nanoparticles photoluminescence	S-2	410
11:40～ 12:00	D209	亜鉛還元法によるシリコン形態形成メカニズム (東大院工) ○(学)小野大和・ (農工大院BASE) (正)稲澤晋・ (東大環安セ/東大院工) (正)辻佳子・ (東大院工) (正)山口由岐夫	zinc reduction reaction silicon supersaturation	S-2	413
(13:00～14:20) (座長下山裕介・川上雅人)
13:00～ 13:40	D213	[展望講演] ナノマテリアルプロセッシングのための超臨界流体の利用 (東北大) ○(正)阿尻雅文	Supercritical Nano Processing	S-2	885
13:40～ 14:00	D215	[招待講演] 超臨界流体を利用した化合物半導体太陽電池製造の低コスト化 (東北大多元研) ○(正)笘居高明・ (正)本間格	supercritical fluid selenization solar cells	S-2	351
14:00～ 14:20	D216	アルコール添加による超臨界流体を用いたTiO₂膜形成 (東大院工) ○(学)趙ユウ・ (学)鄭珪捧・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	Supercritical fluid deposition TiO$2$ alcohol	S-2	622
(14:20～15:40) (座長河瀬元明・筑根敦弘)
14:20～ 15:00	D217	[展望講演] MOCVDによる窒化物半導体の気相成長 (大陽日酸) ○松本功	Nitride Semiconductors MOCVD Quantum Chemical Calculation	S-2	377
15:00～ 15:20	D219	GaN系MOVPEにおける成長速度・組成の解析と制御(1) (東大院工) ○(正)百瀬健・神谷達也・ (正)杉山正和・ (正)霜垣幸浩	GaN MOVPE 反応解析	S-2	855
15:20～ 15:40	D220	GaN系MOVPEにおける成長速度・組成の解析と制御(2) (ミラノ工大) ○Ravasio Stefano Valerio・ (東大院工) (正)百瀬健・藤井克司・ (正)霜垣幸浩・ (ミラノ工大) Carlo Cavallotti・ (東大院工) (正)杉山正和	GaN MOVPE 反応解析	S-2	931

講演
時刻

講演
番号

講演題目／発表者

キーワード

分類
番号

受理
番号

シンポジウム <CVD・ドライプロセス　－構造・機能制御の反応工学－>

(10:00～12:00) (座長齊藤丈靖・池田圭)

10:00～ 10:20

D204

Structure and electrochemical performance of rapidly deposited silicon-based porous films for lithium ion rechargeable batteries

(東大院工) ○(学)李重昊・ (住友化学) 松本慎吾・中根堅次・ (早大先進理工) (正)野田優

physical vapor deposition
porous silicon films
lithium ion batteries

S-2

956

10:20～ 10:40

D205

モノメチルトリクロロシランを原料としたSiC-CVDプロセスにおける表面反応を考慮した素反応機構の構築

(東大院工) ○(学)佐藤登・ (学)舩門佑一・ (学)福島康之・ (学)杉浦秀俊・ (IHI基盤研) 保戸塚梢・ (東大院工) (正)百瀬健・越光男・ (東大院工) (正)霜垣幸浩

SiC
CVD
reaction mechanism

S-2

637

10:40～ 11:00

D206

モノメチルトリクロロシランを原料としたSiC-CVDプロセスの総括反応モデルの検討

(東大院工) ○(学)福島康之・ (学)佐藤登・ (学)舩門佑一・ (学)杉浦秀俊・ (IHI基盤研) 保戸塚梢・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

SiC
CVD
Methyltrichlorosilane

S-2

436

11:00～ 11:20

D207

プラズマCVD法によるヘキサメチルジシロキサンと酸素からのシリカ成膜

(京大工) ○(学)竹田依加・ (学)永冶渉・ (学)高橋諒・ (正)河瀬元明

Plasma CVD
HMDSO
silica

S-2

835

11:20～ 11:40

D208

赤色発光シリコン材料の気相合成と発光特性

(東大院工) ○(学)大武秀稔・ (農工大院BASE) (正)稲澤晋・ (東大環安セ/東大院工) (正)辻佳子・ (東大院工) (正)山口由岐夫

CVD
nanoparticles
photoluminescence

S-2

410

11:40～ 12:00

D209

亜鉛還元法によるシリコン形態形成メカニズム

(東大院工) ○(学)小野大和・ (農工大院BASE) (正)稲澤晋・ (東大環安セ/東大院工) (正)辻佳子・ (東大院工) (正)山口由岐夫

zinc reduction reaction
silicon
supersaturation

S-2

413

(13:00～14:20) (座長下山裕介・川上雅人)

13:00～ 13:40

D213

[展望講演] ナノマテリアルプロセッシングのための超臨界流体の利用

(東北大) ○(正)阿尻雅文

Supercritical
Nano
Processing

S-2

885

13:40～ 14:00

D215

[招待講演] 超臨界流体を利用した化合物半導体太陽電池製造の低コスト化

(東北大多元研) ○(正)笘居高明・ (正)本間格

supercritical fluid
selenization
solar cells

S-2

351

14:00～ 14:20

D216

アルコール添加による超臨界流体を用いたTiO₂膜形成

(東大院工) ○(学)趙ユウ・ (学)鄭珪捧・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

Supercritical fluid deposition
TiO$2$
alcohol

S-2

622

(14:20～15:40) (座長河瀬元明・筑根敦弘)

14:20～ 15:00

D217

[展望講演] MOCVDによる窒化物半導体の気相成長

(大陽日酸) ○松本功

Nitride Semiconductors
MOCVD
Quantum Chemical Calculation

S-2

377

15:00～ 15:20

D219

GaN系MOVPEにおける成長速度・組成の解析と制御(1)

(東大院工) ○(正)百瀬健・神谷達也・ (正)杉山正和・ (正)霜垣幸浩

GaN
MOVPE
反応解析

S-2

855

15:20～ 15:40

D220

GaN系MOVPEにおける成長速度・組成の解析と制御(2)

(ミラノ工大) ○Ravasio Stefano Valerio・ (東大院工) (正)百瀬健・藤井克司・ (正)霜垣幸浩・ (ミラノ工大) Carlo Cavallotti・ (東大院工) (正)杉山正和

GaN
MOVPE
反応解析

S-2

931

講演発表プログラム

化学工学会第45回秋季大会

www3.scej.org

This page was generated by

化学工学会 第45回秋季大会

講演プログラム（会場・日程別）

D 会場・第 2 日

`化学工学会第45回秋季大会`