SCEJ

化学工学会 第47回秋季大会

講演プログラム(セッション別)

English page

部会セッション SE-10. <エレクトロニクス材料とプロセス>

N104-N121

最終更新日時:2015-08-26 10:00:42
講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
N 会場・第 1 日
(10:00〜12:00) (座長 所 和彦・金子 豊)
10:0010:20N104低線膨張銅めっき
(阪府大) (正)○Kondo Kazuo(正)Mukahara Shingo(正)Yokoi Masayuki
Copper
Electrodeposition
Thermal Expansion Coefficient
SE-1017
10:2010:40N105マイクロコンタクトプリント法によるパターンめっき用核剤インクの印刷
(産総研) (部)○所 和彦尾上 美紀白川 直樹牛島 洋史(日産化学) (法)小島 圭介(法)近間 克己
printed electronics
Electrodeposition
micro-contact printing
SE-10217
10:4011:00N106電解銅箔製造プロセスにおける電析シミュレーション
(古河インフォメーションテクノロジー) (部)○石丸 泰之・ (部)宮崎 敏(古河電工) (部)折田 伸昭
electrodeposition
simulation
electrolytic copper foil
SE-10736
11:0011:20N107TSV高速めっき充填技術
(阪府大) (部)○ホアン ヴァン ハ(正)近藤 和夫
high speed TSV filling
3D packaging
electrolyte optimization
SE-10402
11:2011:40N108モンテカルロシミュレーションを用いたシリコン貫通電極(TSV)埋め込みのモデリング
(京大情報) (学)○津郷 峻弘(正)金子 豊
Monte Carlo Simulation
Through-silicon via
Additives
SE-10340
11:4012:00N109Cl-とSPSの共存下における銅ダマシン(銅めっき)プロセスの反応速度論および一価銅濃度の数値解析
(阪府大) (部)○ホアン ヴァン ハ(正)近藤 和夫横井 昌幸
TSV filling
Cuprous
Copper plating kinetic
SE-10419

(13:00〜14:20) (座長 近藤 和夫)
13:0013:40N113[招待講演] 電子回路のためのビアとスルーホール埋め込み銅めっき
(國立中興大學) 竇 維平
Copper
Via
additive
SE-1031
13:4014:20N115[招待講演] CCS(Cognitive Computer System)時代を切り開らくデバイス技術の動向
(グローバルネット) (部)武野 泰彦
デバイス
CCS
半導体
SE-10107

(14:40〜16:00) (座長 武野 泰彦・折田 伸昭)
14:4015:20N118[招待講演] アルバックのTSVソリューション
(アルバック) 森川 泰宏
TSV
Etcher
Plasma
SE-1023
15:2016:00N120[招待講演] 電気銅めっきによるビアフィリングと添加剤効果:動的モンテカルロシミュレーションによるアプローチ
(京大) 金子 豊
Monte Calro
Copper electrodeposition
Additive
SE-1025

講演発表プログラム
化学工学会 第47回秋季大会

(C) 2015 公益社団法人化学工学会 The Society of Chemical Engineers, Japan. All rights reserved.
Most recent update: 2015-08-26 10:00:42
For more information contact 化学工学会本部大会運営委員会 第47回秋季大会 問い合せ係
E-mail: inquiry-47fwww3.scej.org
This page was generated by easp 2.38; proghtml 2.37 (C)1999-2015 kawase