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化学工学会 第47回秋季大会

講演プログラム（セッション別）

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部会セッション SE-10. <エレクトロニクス材料とプロセス>

N104-N121

最終更新日時：2015-08-26 10:00:42
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
N 会場・第 1 日
(10:00〜12:00) (座長 所 和彦・金子 豊)
10:00〜 10:20N104低線膨張銅めっき
(阪府大) (正)○Kondo Kazuo・ (正)Mukahara Shingo・ (正)Yokoi Masayuki
Copper
Electrodeposition
Thermal Expansion Coefficient
SE-1017
10:20〜 10:40N105マイクロコンタクトプリント法によるパターンめっき用核剤インクの印刷
(産総研) (部)○所 和彦・ 尾上 美紀・ 白川 直樹・ 牛島 洋史・ (日産化学) (法)小島 圭介・ (法)近間 克己
printed electronics
Electrodeposition
micro-contact printing
SE-10217
10:40〜 11:00N106電解銅箔製造プロセスにおける電析シミュレーション
(古河インフォメーションテクノロジー) (部)○石丸 泰之・ (部)宮崎 敏・ (古河電工) (部)折田 伸昭
electrodeposition
simulation
electrolytic copper foil
SE-10736
11:00〜 11:20N107TSV高速めっき充填技術
(阪府大) (部)○ホアン ヴァン ハ・ (正)近藤 和夫
high speed TSV filling
3D packaging
electrolyte optimization
SE-10402
11:20〜 11:40N108モンテカルロシミュレーションを用いたシリコン貫通電極(TSV)埋め込みのモデリング
(京大情報) (学)○津郷 峻弘・ (正)金子 豊
Monte Carlo Simulation
Through-silicon via
Additives
SE-10340
11:40〜 12:00N109Cl-とSPSの共存下における銅ダマシン(銅めっき)プロセスの反応速度論および一価銅濃度の数値解析
(阪府大) (部)○ホアン ヴァン ハ・ (正)近藤 和夫・ 横井 昌幸
TSV filling
Cuprous
Copper plating kinetic
SE-10419

(13:00〜14:20) (座長 近藤 和夫)
13:00〜 13:40N113[招待講演] 電子回路のためのビアとスルーホール埋め込み銅めっき
(國立中興大學) 竇 維平
Copper
Via
additive
SE-1031
13:40〜 14:20N115[招待講演] CCS(Cognitive Computer System)時代を切り開らくデバイス技術の動向
(グローバルネット) (部)武野 泰彦
デバイス
CCS
半導体
SE-10107

(14:40〜16:00) (座長 武野 泰彦・折田 伸昭)
14:40〜 15:20N118[招待講演] アルバックのTSVソリューション
(アルバック) 森川 泰宏
TSV
Etcher
Plasma
SE-1023
15:20〜 16:00N120[招待講演] 電気銅めっきによるビアフィリングと添加剤効果:動的モンテカルロシミュレーションによるアプローチ
(京大) 金子 豊
Monte Calro
Copper electrodeposition
Additive
SE-1025
講演発表プログラム
化学工学会 第47回秋季大会
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Most recent update: 2015-08-26 10:00:42
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