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化学工学会 第56回秋季大会

講演プログラム検索結果 : 玉置 直樹 : 7件

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発表者または座長 が『玉置 直樹』と一致する講演：6件該当しました。
司会・座長氏名 が『玉置 直樹』と一致するセッション：1件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの２件となります。

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 1 日
15:00～ 17:20		   座長 藤原 翔・玉置 直樹
EE119[招待講演] 大気圧プラズマを用いたシリカ膜の製膜とガス分離への応用
(広大院先進理工) (正)長澤 寛規
plasma
CVD
gas separation
ST-26731
EE121直流プラズマCVDによるTiSiCN系薄膜の作成及び物性評価
(阪公大院) ○(学)黒木 利津・ (正)齊藤 丈靖・ (正)岡本 尚樹・ (阪公大) 川本 実加
DC plasma CVD
TiSiCN
ST-26914
EE122Growth Dynamics of Bismuth-Based Perovskite Thin Films via Chemical Vapor Deposition
(京大工) ○(海)楊 紫光・ (正)河瀬 元明
Chemical vapor deposition
Perovskite solar cell
crystal orientation control
ST-26888
EE123400℃における高熱伝導率AlN膜形成に向けたTMA/NH3系FM-CVDプロセスの検討
(東大院工) ○(学)畠山 大樹・ (正)大高 雄平・ (正)山口 潤・ (正)玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
FM-CVD
3DIC
AlN
ST-26338
EE124PdによるCo-ALDの成長促進効果に関する研究
(東大院工) ○(正)鄧 玉斌・ (正)山口 潤・ (正)大高 雄平・ (学)永井 総雅・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Nucleation enhancer
ALD
ULSI
ST-26305
EE125HfO2選択成長におけるインヒビターのアルキル鎖長依存性に関する検討
(キオクシア) ○(正)田沼 将一・ 松葉 博・ 浅川 鋼児・ 福水 裕之
Area selective deposition
Inhibitor
ST-26740
第 1 日
16:20～ 16:40		EE123400℃における高熱伝導率AlN膜形成に向けたTMA/NH3系FM-CVDプロセスの検討
(東大院工) ○(学)畠山 大樹・ (正)大高 雄平・ (正)山口 潤・ (正)玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
FM-CVD
3DIC
AlN
ST-26338
第 1 日
16:40～ 17:00		EE124PdによるCo-ALDの成長促進効果に関する研究
(東大院工) ○(正)鄧 玉斌・ (正)山口 潤・ (正)大高 雄平・ (学)永井 総雅・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Nucleation enhancer
ALD
ULSI
ST-26305
第 2 日
9:00～ 9:20		EE201ALDプロセスにおけるQCMを用いた吸着速度解析への壁面吸着および輸送現象の影響評価
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (学)呉 宇軒・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
Atomic Layer Deposition
QCM
ST-26806
第 2 日
10:00～ 10:20		EE204Mo(CO)6を原料としたMo-CVD/ALDの反応機構解析
(東大院工) ○(学)永井 総雅・ 小原 聡顕・ (東大院工) (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)大髙 雄平・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Mo(CO)6
step coverage
interconnect
ST-26405
第 2 日
13:40～ 14:00		EE215CCTBA原料を用いたCo-ALDにおける立体障害効果および反応速度論
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
Atomic Layer Deposition
ST-26801
第 2 日
14:00～ 14:20		EE216ニューラルネットワークポテンシャルを用いたCo-ALDプロセスにおける原料吸着過程の分子動力学計算
(東大院工) ○(正)玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)山口 潤・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Atomic layer deposition
Neural network potential
Growth per cycle
ST-26347

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