ST-22 - 講演プログラム（セッション別） - 化学工学会第52回秋季大会 (岡山)

`化学工学会第52回秋季大会 (岡山)`

Last modified: 2023-05-16 07:28:20

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講演プログラム（セッション別） : ST-22

ST-25,SY-56,SY-64,SY-65,SY-70は双方向ライブ配信利用予定からオンライン実施に変更されました(本変更を最後とします)。
双方向ライブ配信利用はプログラム一覧表で黄色・赤色背景のセッションです。
赤色のセッションは岡山のライブ配信会場にオーガナイザー不在の予定です。黄色は不在となる可能性があります。いずれの場合も会場は開設しますのでご来場いただいて発表・聴講いただけます。
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講演要旨は講演番号からリンクしています(クリックかタップしてください)。
参加登録者(一般公開企画のみ参加者を除く)およびご招待者にメールでお知らせしたID/PWが必要です。

ST-22 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス－構造・機能制御の反応工学－

オーガナイザー：

河瀬元明（京都大学）・玉置直樹（キオクシア(株)）・齊藤丈靖（大阪府立大学）・三宅雅人（奈良先端科学技術大学院大学）

CVD等のドライプロセスはエレクトロニクス，太陽電池，MEMS，機能性コーティング等の分野において重要な基幹技術となっている。本シンポジウムでは，CVDとALDその他のドライプロセスを利用した薄膜形成，微粒子合成，微細加工において反応工学的見地より反応メカニズムを理解し，論理的で効率的な反応プロセスや反応装置の開発を目指し議論することを目的とします。なお，優秀な発表をされた若手研究者には，CVD反応分科会奨励賞を贈呈します．37才未満の正会員の希望者を対象とし，優秀な発表に対して粒子・流体プロセス部会シンポジウム賞の「奨励賞」を贈呈します．

VC 会場・第 1 日 | VC 会場・第 2 日

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
VC 会場(オンライン) ・第 1 日(9月22日(水))
(10:40～12:00) (座長玉置直樹・河瀬元明)
10:40～ 11:20	VC106	[展望講演] 半導体メモリの技術・経済・産業の現在と発展する未来 (マイクロンメモリジャパン) 青砥なほみ	CVD semiconductor memory industry	ST-22	517
11:20～ 11:40	VC108	次世代半導体用配線材料としての MAX化合物の製膜と評価 (阪府大院工) ○(学)若松和伸・ (阪府大工) 上田和貴・ (阪府大院工) (正)岡本尚樹・ (正)齊藤丈靖	Max Phase semiconductor	ST-22	864
11:40～ 12:00	VC109	ビスマスを原料とした太陽電池用ペロブスカイト薄膜CVDプロセスの開発 (京大工) ○(学)戸上敬登・ (学)松田萌・楊紫光・ (正)河瀬元明	CVD perovskite methylammonium bismuth iodide	ST-22	375
(13:20～14:40) (座長河瀬元明・舩門佑一)
13:20～ 13:40	VC114	超臨界CO₂を反応場とした有機修飾酸化鉄ナノ結晶の直接合成 (東工大物質理工) ○(正)織田耕彦・苅谷啓杜・ (学)Wijakmatee Thossaporn・ (正)下山裕介	Supercritical carbon dioxide iron oxide nanocrystals organic modification	ST-22	629
13:40～ 14:00	VC115	超臨界流体薄膜堆積法で作製した酸化チタンの光触媒活性と結晶性への添加物の効果 (東大院工) ○(学)安治遼祐・ (正)出浦桃子・ (東工大物質理工) (正)下山裕介・ (東大院工) (正)霜垣幸浩・ (正)百瀬健	supercritical fluid deposition photocatalyst crystallinity	ST-22	142
14:00～ 14:20	VC116	パルス供給ALDにおける原料気化特性の検討 (東大院工) ○(学)山口潤・ (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (ダイキン工業) (法)松永隆行・ (法)山内昭佳・ (法)岸川洋介・ (東大院工) (正)霜垣幸浩	ALD precursor vaporization	ST-22	594
14:20～ 14:40	VC117	三塩化ホウ素ガスとモノメチルシランガスによる薄膜形成 (横国大院工) 室井光子・ ○(正)羽深等	Chemical vapor deposition Silicon-Boron film Mechanism	ST-22	40
14:40～ 15:10		休憩
(15:10～17:00) (座長三宅雅人・川上雅人)
15:10～ 15:40	VC119	[招待講演] 長尺・高密カーボンナノチューブ(CNT)・アレイから作製するCNT乾式紡績糸の物性制御とエネルギー・メカニカルデバイスへの応用 (岡山大院自然) 林靖彦	Carbon nanotube (CNT) arrays Dry Spinning CNT yarns Energy and mechanical devices	ST-22	516
15:40～ 16:00	VC121	[注目講演] Enhanced CO₂-assisted growth of single-wall carbon nanotube arrays with Fe/AlO_x catalyst annealed without CO₂ (早大理工総研) ○(正)李墨宸・ (早大先進理工) (学)安井浩太郎・ (近畿大) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)野田優	chemical vaper deposition thermal annealing single-wall carbon nanotubes	ST-22	672
16:00～ 16:20	VC122	SiC_f/SiC CMC合成のための排出ガス改質再利用を含むSiC含浸プロセスの提案 (東大院工) ○(学)大高雄平・ (正)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC reuse CVI	ST-22	689
16:20～ 16:40	VC123	多結晶SiC-CVDプロセス設計を目指した総括反応モデルの構築と検証 (東大院工) ○(学)師井滉平・ (学)奥友則・ (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	Chemical Vapor Deposition silicon carbide macrocavity method	ST-22	792
16:40～ 17:00	VC124	CVI法を用いたセラミックス基複合材料製造反応器内の数値シミュレーション (名大) ○(学)小川達也・ (正)福本一生・ (正)町田洋・ (正)則永行庸	CVI Numerical simulation MTS	ST-22	562
VC 会場(オンライン) ・第 2 日(9月23日(木))
(9:00～11:40) (座長齊藤丈靖・玉置直樹)
9:00～ 9:40	VC201	[展望講演] 反応性プラズマを用いたナノ粒子の成長制御とその応用展開 (九大シス情) 古閑一憲	CVD nano-particles growth control	ST-22	514
9:40～ 10:00	VC203	One-step fabrication of CuO-loaded TiO₂ nanoparticulate thin film for photocatalytic application under visible light irradiation (Hiroshima U.) ○(学)Hudandini Meditha・ Jiang Dianping・ (ITS) Kusdianto K・ (Hiroshima U.) (正)Kubo Masaru・ (正)Shimada Manabu	PECVD-PVD nanocomposite heterojunction	ST-22	154
10:00～ 10:20	VC204	Ti[N(CH₃)₂]₄を用いたプラズマCVD法によるTiCN膜の作製 (阪府大院工) ○(学)竹内陸・ (正)岡本尚樹・ (正)齊藤丈靖	plasma CVD TDMAT TiCN	ST-22	863
10:20～ 10:50		休憩
10:50～ 11:20	VC206	[招待講演] プラズマ照射下の空間ミクロかつ時間マクロな構造変化の再現計算への挑戦 (核融合研) 伊藤篤史	CVD plasma numerical simulation	ST-22	519
11:20～ 11:40	VC208	理論的検討に基づいたTiAlN-CVDプロセスにおける気相素反応機構構築 (東大院工) ○(正)佐藤登・ (学)山口潤・ (京セラ) (法)久保隼人・ (法)杉山貴悟・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (京セラ) (法)谷渕栄仁・ (東大院工) (正)霜垣幸浩	TiAlN CVD Elementary reaction model	ST-22	785

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講演プログラム（セッション別） : ST-22

ST-22 [部会横断型シンポジウム] CVD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－

`化学工学会第52回秋季大会 (岡山)`

ST-22 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス－構造・機能制御の反応工学－