SCEJ

化学工学会 第45回秋季大会

講演プログラム（会場・日程別）

English page

D 会場・第 3 日

最終更新日時：2013-08-20 14:03:53
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
シンポジウム <CVD・ドライプロセス　－構造・機能制御の反応工学－>
(9:40～10:40) (座長 島田 学・玉置 直樹)
9:40～ 10:00D303[招待講演] スパッタ法による鉄チタン複酸化物薄膜の作製と混合原子価制御
(岡山大院自然) ○藤井 達生
reactive sputtering
Hematite-ilmenite solid solution
epitaxial thin
S-2353
10:00～ 10:20D304各種Ti系硬質材料の低温CVDと物性評価
(阪府大院工) ○(学)根崎 基信・ 政岡 弘侑・ (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (正)近藤 和夫・ (アルテックス) 咸 智惇
titanium carbide
hard coating
chemical vapor deposition
S-2946
10:20～ 10:40D305Coアミディネートを用いたCo-CVDプロセスにおける気相反応とその役割
(東大院工) ○(学)鈴木 雄大・ (正)清水 秀治・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
amidinate
cobalt
thermal CVD
S-2508
(10:40～12:00) (座長 野田 優・三浦 豊)
10:40～ 11:00D306高配向性導電性酸化物下部電極を用いた強誘電体キャパシタの作製と評価
(阪府大院工) ○(学)高田 瑶子・ 辻 徹・ (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (正)近藤 和夫・ 吉村 武・ 藤村 紀文・ (阪大産研) 樋口 宏二・ 北島 彰・ 大島 明博
ferroelectric material
pulsed laser deposition
conductive oxide
S-2947
11:00～ 11:20D307新規Ru-CVD/ALD原料を用いた次世代DRAM電極形成プロセスの開発
(東大院工) ○(学)金 泰雄・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
Ruthenium
CVD
ALD
S-2605
11:20～ 11:40D308アミディネート原料を用いたCu-CVDにおける初期核発生の観察
(東大院工) ○(学)嶋 紘平・ (正)清水 秀治・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
Cu-CVD
Nucleation
Amidinate
S-2959
11:40～ 12:00D309[招待講演] TSV実装技術向けSiエッチング技術
(アルバック半導体電子技研) ○森川 泰宏
Si-DRIE
Scallop-free
TSV packaging
S-2356
(13:00～14:20) (座長 秋山 泰伸・三宅 雅人)
13:00～ 13:20D313Kinetic study on Hot-wire-assisted Atomic Layer Deposition of Ni Thin Films
(The U. Tokyo) ○(学)Yuan Guangjie・ (正)Shimizu Hideharu・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro
Hot-wire-assisted ALD
Ni film
Kinetics
S-2803
13:20～ 13:40D314ナノ粒子堆積膜の焼成による構造制御
(広大院工) ○(学)萬谷 勇樹・ (正)久保 優・ (正)島田 学
PECVD
Porous thin film
Sintering
S-2123
13:40～ 14:00D315有機クロロシランを原料としたSiC-CVDプロセス出口ガス分析による反応モデルの検討
(東大院工) ○(学)舩門 佑一・ (学)佐藤 登・ (学)福島 康之・ (学)杉浦 秀俊・ (IHI基盤研) 保戸塚 梢・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
Metyltrichlorosilane
Dimetyldichlorosilane
S-2587
14:00～ 14:20D316ジメチルジクロロシランを原料としたSiC-CVDプロセスのマルチスケール解析
(東大院工) ○(学)杉浦 秀俊・ (学)福島 康之・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (IHI基盤研) 保戸塚 梢・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
Dimethyldichlorosilane
S-2577
(14:20～15:40) (座長 霜垣 幸浩・保戸塚 梢)
14:20～ 14:40D317シラン/水素PE-CVD中のシリコン局所製膜の解析
(岐阜大院工) ○(正)西田 哲・ (正)牟田 浩司・ 栗林 志頭眞
PE-CVD
silicon deposition
S-2454
14:40～ 15:00D318メタンを原料とする化学気相浸透法による炭素繊維強化炭素複合材料製造過程の非定常シミュレーション
(九大) ○(正)則永 行庸・ (学)首藤 大紀・ (学)田中 亮太・ (正)工藤 真二・ (正)林 潤一郎
reaction kinetics
transport phenomena
CVD
S-2899
15:00～ 15:20D319カーボンナノチューブの浮遊コーティング
(広大院工) ○(学)角村 洋文・ (正)久保 優・ (正)島田 学
composite
PECVD
nanoparticles
S-2124
15:20～ 15:40D320Fluidized Bed CVD of Carbon Nanotubes Using a Heat-Exchange Reactor
(東大院工) ○(学)陳 忠明・ (早大院理工) 金 東榮・ (正)長谷川 馨・ (正)大沢 利男・ (正)野田 優
carbon nanotubes
fluidized bed
catalytic chemical vapor deposition
S-2729
講演発表プログラム
化学工学会 第45回秋季大会
(C) 2013 公益社団法人化学工学会 The Society of Chemical Engineers, Japan. All rights reserved.
Most recent update: 2013-08-20 14:03:53
For more information contact 化学工学会 第45回秋季大会 問い合せ係
E-mail: inquiry-45fwww3.scej.org
This page was generated by easp 2.32; proghtml 2.33 (C)1999-2013 kawase