J会場・第3日 - 講演プログラム（会場・日程別） - 化学工学会第90年会 (東京)

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`化学工学会第90年会 (東京)`

Last modified: 2025-03-20 07:53:24

講演プログラム（会場・日程別） : J会場・第3日

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それ以外のセッションは現地のみでの実施です。

J 会場(講義棟 4F 402) ・第 3 日(3月14日(金))

11 エレクトロニクス | 5 反応工学

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
11. エレクトロニクス
(10:40～11:40) (座長野田優)
10:40～ 11:00	J306	固体高分子形燃料電池の移動現象の無次元支配因子 (京大院工) ○(正)馬楡塁・ (正)長谷川茂樹・ (正)影山美帆・ (正)河瀬元明	polymer electrolyte fuel cell mass transfer resistance electrochemical reaction engineering	11-a	458
11:00～ 11:20	J307	亜鉛空気電池電極のためのカーボンナノチューブ/活性炭複合材料 (京大院工) ○(海)Kalong Munsuree・ (正)佐野紀彰・鈴木哲夫	Zn-air battery carbon nanotube activated carbon	11-a	573
11:20～ 11:40	J308	Cuペーストの低温接合可能性の探索 -第3報- (住友金属鉱山) ○(法)鳥山隆浩・ (法)柏谷智	copper sintering complex	11-e	294
5. 反応工学
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
(13:00～14:20) (座長島田学・玉置直樹)
13:00～ 13:20	J313	HF蒸気を用いた薄膜エッチングに関する実験および数値シミュレーション (Screen SPE) ○(正)寶田浩延・藤原光・滝朋恵・瀧昭彦・黒枝篤史・折坂昌幸	CFD Vapor Process Etching	5-h	306
13:20～ 13:40	J314	アルミニウム層成長によるトリメチルアルミニウムと水素の気相反応に関する密度汎関数理論研究 (京大院工) ○(学)李亜飛・ (正)河瀬元明	Aluminum deposition Density functional theory MOCVD	5-h	247
13:40～ 14:00	J315	Nb薄膜の低温プラズマ製膜プロセスの検討 (東大院工) ○(学)田中潤・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	niobium plasma deposition low-temperature	5-h	313
14:00～ 14:20	J316	An evaluation of high temperature processed Bi-based perovskite thin film for photovoltaic application (京大工) ○(海)楊紫光・眞榮田亮・ (正)河瀬元明	chemical vapor deposition perovskite solar cells chemical reaction engineering	5-h	564
(14:40～16:20) (座長河瀬元明・清水秀治)
14:40～ 15:00	J318	気相合成されたTiO₂、TiO₂+CuOナノ粒子薄膜の種々の反応場における光触媒性能 (広大院先進理工) Hudandini Meditha・ (ITS Surabaya) Kusdianto K.・ (広大院先進理工) (正)久保優・ ○(正)島田学	PECVD nanoporous composite aerosol deposition	5-h	268
15:00～ 15:20	J319	ニューラルネットワークポテンシャルを用いた吸脱着平衡定数・表面反応速度定数の推算 (東大院工) ○(正)佐藤登・ (学)吉田幸希・ (正)大高雄平・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	machine learned potential surface kinetics	5-h	461
15:20～ 15:40	J320	ニューラルネットワークポテンシャルを用いたトリメチルアルミニウムの吸着状況の解析 (U. Tokyo) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	ALD CVD Surface Adsorption	5-h	263
15:40～ 16:00	J321	Co-ALDにおける初期核発生と成長過程の評価 (東大院工) ○(正)玉置直樹・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	atomic layer deposition initial growth in-situ observation	5-h	551
16:00～ 16:20	J322	Mo(CO)₆を用いたMo原子層成長プロセス開発 (東大院工) ○(学)小原聡顕・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	Mo(CO)6 low resistivity good step coverage	5-h	324
16:20～ 16:40		CVD反応分科会奨励賞授賞式

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