化学工学会 第89年会 (堺)
講演プログラム検索結果 : 霜垣 幸浩 : 11件
発表者または座長 が『霜垣 幸浩』と一致する講演：10件該当しました。
司会・座長氏名 が『霜垣 幸浩』と一致するセッション：1件該当しました。
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| 講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目／発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
|---|---|---|---|---|---|
| オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会) | |||||
| 第 2 日 | 座長 | ||||
| F201 | 化学気相成長を用いたビスマス系ペロブスカイト薄膜の反応速度式の解析 | Chemical vapor deposition Methylammonium bismuth iodide Perovskite solar cell | 5-h | 686 | |
| F202 | 還元性ガスを添加した反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜の形成 | sputtering MAX-phase | 5-h | 787 | |
| F203 | 不飽和度の異なる炭化水素種からの炭素CVD速度の解析 | CVD carbon coking | 5-h | 785 | |
| 第 2 日 | F206 | SiC-CVIプロセスにおける反応モデルの簡略化 | SiC-CVI CH3SiCl3 Reduced model | 5-h | 562 |
| 第 2 日 | F207 | 化学気相含浸法によるSiCセラミックス基複合材料作製におけるSiC埋め込みの炉内均一性向上および高速性向上に関する研究 | SiC CVI CVD | 5-h | 233 |
| 第 2 日 | F208 | 高MTS分圧供給SiC-CVIにおける収率改善と副生成物抑制を目的とした排出ガス改質条件探索 | CVI SiC Recycling | 5-h | 633 |
| 第 2 日 | F209 | SiCf/SiC-CMC製造における最適CVIプロセス設計指針 | CVI SiC Process design | 5-h | 634 |
| 第 3 日 | G301 | ALD用トリメチルアルミニウムの物理吸着の定量分析 | Atomic Layer Depositon Quartz Crystal Microbalance Surface Adsorption | 5-h | 383 |
| 第 3 日 | G302 | 原子層堆積法を用いたZrN薄膜形成プロセスの検討 | ZrN ALD TEMAZ | 5-h | 273 |
| 第 3 日 | G303 | 次世代ULSI配線用Moの原子層成長プロセス開発 | Molybdenum ALD low resistivity | 5-h | 123 |
| 第 3 日 | G305 | Co薄膜熱原子層エッチングプロセスの検討 | ALE atomic layer eching cobalt | 5-h | 516 |
| 第 3 日 | G306 | 反射光強度その場観察を利用した下地選択Co-ALDプロセスの検討 | ALD in-situ observation reflectance | 5-h | 232 |
| 第 3 日 | G307 | ポリマー上におけるCu連続膜形成プロセスの検討 | Atomic Layer Depoition Copper on Polymer | 5-h | 531 |
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