霜垣幸浩 - 講演プログラム検索結果 - 化学工学会第89年会 (堺)

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`化学工学会第89年会 (堺)`

講演プログラム検索結果 : 霜垣幸浩 : 11件

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発表者または座長が『霜垣幸浩』と一致する講演：10件該当しました。
司会・座長氏名が『霜垣幸浩』と一致するセッション：1件該当しました。
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講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
第 2 日 9:00～ 10:00	座長霜垣幸浩・清水秀治
	F201	化学気相成長を用いたビスマス系ペロブスカイト薄膜の反応速度式の解析 (京大工) ○(海)楊紫光・ (学)戸上敬登・ (学)田邉舞香・ (正)河瀬元明	Chemical vapor deposition Methylammonium bismuth iodide Perovskite solar cell	5-h	686
	F202	還元性ガスを添加した反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜の形成 (阪公大院工) ○(正)齊藤丈靖・ (学·技基)上田和貴・ (正)岡本尚樹	sputtering MAX-phase	5-h	787
	F203	不飽和度の異なる炭化水素種からの炭素CVD速度の解析 (京大工) (学)仲野真治・ (正)藤墳大裕・ ○(正)河瀬元明	CVD carbon coking	5-h	785
第 2 日 10:40～ 11:00	F206	SiC-CVIプロセスにおける反応モデルの簡略化 (東大院工) ○(正)佐藤登・ (東大工) (学)吉田幸希・ (東大院工) (学)大高雄平・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	SiC-CVI CH3SiCl3 Reduced model	5-h	562
第 2 日 11:00～ 11:20	F207	化学気相含浸法によるSiCセラミックス基複合材料作製におけるSiC埋め込みの炉内均一性向上および高速性向上に関する研究 (東大工) ○(学)吉田幸希・ (東大院工) (学)大高雄平・ (学)木村俊介・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)霜垣幸浩	SiC CVI CVD	5-h	233
第 2 日 11:20～ 11:40	F208	高MTS分圧供給SiC-CVIにおける収率改善と副生成物抑制を目的とした排出ガス改質条件探索 (東大院工) ○(学)大高雄平・ (東大工) (学)吉田幸希・ (東大院工) (正)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	CVI SiC Recycling	5-h	633
第 2 日 11:40～ 12:00	F209	SiC_f/SiC-CMC製造における最適CVIプロセス設計指針 (東大院工) ○(学)大高雄平・ (東大工) (学)吉田幸希・ (東大院工) (正)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	CVI SiC Process design	5-h	634
第 3 日 9:00～ 9:20	G301	ALD用トリメチルアルミニウムの物理吸着の定量分析 (東大院工) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	Atomic Layer Depositon Quartz Crystal Microbalance Surface Adsorption	5-h	383
第 3 日 9:20～ 9:40	G302	原子層堆積法を用いたZrN薄膜形成プロセスの検討 (東大院工) ○(学)田中潤・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	ZrN ALD TEMAZ	5-h	273
第 3 日 9:40～ 10:00	G303	次世代ULSI配線用Moの原子層成長プロセス開発 (東大院工) ○(学)小原聡顕・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	Molybdenum ALD low resistivity	5-h	123
第 3 日 10:20～ 10:40	G305	Co薄膜熱原子層エッチングプロセスの検討 (東大院工) ○(正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	ALE atomic layer eching cobalt	5-h	516
第 3 日 10:40～ 11:00	G306	反射光強度その場観察を利用した下地選択Co-ALDプロセスの検討 (東大院工) ○(学)木村俊介・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)百瀬健・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	ALD in-situ observation reflectance	5-h	232
第 3 日 11:00～ 11:20	G307	ポリマー上におけるCu連続膜形成プロセスの検討 (東大院工) ○(学)中嶋佑介・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	Atomic Layer Depoition Copper on Polymer	5-h	531

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