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化学工学会 第54回秋季大会 (福岡)

講演プログラム検索結果 : Sugime Hisashi : 6件

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ローマ字氏名 が『Sugime Hisashi』と一致する講演:4件該当しました。
司会・座長氏名 が『Sugime Hisashi』と一致するセッション:2件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの2件となります。

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
第 2 日
9:0010:20
   座長 杉目 恒志清水 秀治
S201反射光強度変化を利用したCo製膜初期過程の観測
(東大院工) ○(学)木村 俊介(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)百瀬 健(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
cobalt
ALD
reflectance
ST-24895
S202Morphology Improvement of Chemical Vapor Deposited Bismuth-based Perovskite Thin Film for Photovoltaic Use
(京大工) ○(海)楊 紫光(学)戸上 敬登(学)田邉 舞香(正)河瀬 元明
Chemical vapor deposition
Methylammonium bismuth iodide
Molten bismuth
ST-24425
S203不飽和度の異なる炭化水素種からのコーク生成速度の解析
(京大工) ○(学)仲野 真治(正)藤墳 大裕(正)河瀬 元明
coking
CVD
Carbon
ST-24255
S204化学気相成長法によるシリコン-炭素複合材料の作製とリチウムイオン電池負極への応用
(早大先進理工) ○(学·技基)岡 順也(早大ナノライフ) (正)大沢 利男(早大先進理工) (正)野田 優
Chemical Vapor Deposition (CVD)
Silicon
Lithium-ion battery
ST-2476
第 2 日
9:3011:00
PA227カーボンナノチューブ-ポリアニリン複合膜による高容量電気化学キャパシタの開発
(近畿大院総理工) ○(学)酒井 郁弥(近畿大有害処理) 納谷 真一(近畿大院総理工) 多田 弘明(正)杉目 恒志
carbon nanotube
polyaniline
electrochemical capacitor
SY-79584
第 2 日
9:3011:00
PA235長尺カーボンナノチューブ電極によるグアニンの電気化学的検出
(近畿大院総理工) ○(学)藤原 廉人(近畿大有害処理) 納谷 真一(近畿大院総理工) 多田 弘明(正)杉目 恒志
carbon nanotube
electrochemical biosensor
guanine
SY-79605
第 2 日
10:3012:00
PA212高密度カーボンナノチューブフォレストによるグアニンの電気化学計測
(近畿大院総理工) ○(学)長谷川 直博(近畿大有害処理) 納谷 真一(近畿大院総理工) 多田 弘明副島 哲朗(正)杉目 恒志
Carbon nanotube
Electrochemical Biosensors
Guanine
SY-79650
第 2 日
10:3012:00
PA244フッ素フリーMXeneの合成と水素発生用電気化学触媒への応用
(近畿大院総理工) ○(学)八木 亮エン ヨウソウ(近畿大有害処理) 納谷 真一(近畿大院総理工) 多田 弘明(正)杉目 恒志
MXene
hydrogen evolution reaction
molten salt
SY-79662
第 2 日
10:4011:50
   座長 杉目 恒志清水 秀治
S206MTS/H2を用いたSiC-CVIへのSiCl4添加効果の詳細検討
(東大院工) ○(学)大高 雄平(正)佐藤 登(学)木村 俊介(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
MTS
ST-24862
S207SiC-CVI法における高濃度水素供給を利用した高速含浸条件の検討
(東大院工) ○(学)木村 俊介(学)大高 雄平(正)佐藤 登(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
CVD
ST-24843
S208[招待講演] SiCパワーデバイスの高性能化に向けたエピタキシャル成長技術の開発
(三菱電機先端総研) 田中 貴規
Silicon carbide
Power device
Epitaxial growth
ST-24518

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