ST-24 - 講演プログラム（セッション別） - 化学工学会第54回秋季大会 (福岡)

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`化学工学会第54回秋季大会 (福岡)`

Last modified: 2023-12-10 19:09:26

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講演プログラム（セッション別） : ST-24

講演番号先頭がPの講演はポスター講演、それ以外の講演は口頭講演です。
講演要旨を公開しました(要ID/PW)。講演番号をクリックしてください。
(ご招待者・有料参加登録者にお知らせしたID/PWが必要です)

ST-24 [部会横断型シンポジウム]
CVD/ALD・ドライプロセス－構造・機能制御の反応工学－

オーガナイザー：

西田　哲（岐阜大学）・百瀬　健（熊本大学）・清水秀治（大陽日酸(株)）

CVDやALDなどのドライプロセスはエレクトロニクス、エネルギーデバイス、機能性コーティングなど様々な分野で重要な基幹技術となっています。本シンポジウムでは、ドライプロセスを利用した薄膜形成、微粒子合成、微細加工の反応メカニズムを反応工学的見地より理解し、合理的で効率的な反応プロセスや反応装置を議論します。

S 会場・第 1 日 | S 会場・第 2 日

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
S 会場(8号館 1F 815) ・第 1 日(9月11日(月))
(13:15～13:20)
13:15～ 13:20		開会の挨拶
(13:20～14:40) (座長百瀬健・西田哲)
13:20～ 14:00	S114	[展望講演] 三次元積層実装技術の研究開発動向と今後の展望 (熊大) 青柳昌宏	3D-IC chip stacking TSV	ST-24	814
14:00～ 14:20	S116	次世代ULSI配線用モリブデン原子層成長プロセスの開発 (東大院工) ○(学)Liu Haonan・ (学)Wu Yuxuan・ (正)Yamaguchi Jun・ (正)Sato Noboru・ (正)Tsukune Atsuhiro・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro	ALD Molybdenum interconnect	ST-24	845
14:20～ 14:40	S117	Co-ALDによる選択成長プロセスの検討 (東大院工) ○(正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)百瀬健・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	cobalt ALD selective deposition	ST-24	837
14:40～ 15:00		休憩
(15:00～17:00) (座長島田学・羽深等)
15:00～ 15:20	S119	SiC_xN_yO_zの室温プラズマCVD製膜における前駆体の相互作用 (横国大) 川上広樹・堀健太・渡部亨・ ○(正)羽深等	SiCNO PECVD Interaction	ST-24	94
15:20～ 15:40	S120	3次元集積回路用AlN薄膜の低温CVDプロセス開発 (東大院工) ○(学)小原聡顕・二宮健生・高木剛・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	AlN film chemical vapor deposition low temperature	ST-24	229
15:40～ 16:00	S121	ホウ素と水蒸気を用いた気体ホウ素源供給と鋳型法による窒化ホウ素ナノチューブの合成 (早大先進理工) ○(学·技基)甲斐田敬済・髙橋宏夢・ (早大理工総研) (正)李墨宸・ (早大ナノライフ) (正)大沢利男・ (早大先進理工) (正)野田優	Boron Nitride Nanotube (BNNT) Template coating method Boron oxide	ST-24	168
16:00～ 16:20	S122	超臨界流体薄膜堆積法によるポリマー上への低抵抗率銅薄膜形成プロセスの開発 (東大院工) ○(学)中嶋佑介・ (正)霜垣幸浩・ (東大院工/熊大半導体) (正)百瀬健	SCFD Polymer resistivity	ST-24	304
16:20～ 16:40	S123	臭素蒸気を用いたカーボンナノチューブの低損傷乾式精製法の開発 (早大先進理工) ○(学·技基)後藤拓磨・ (早大ナノライフ) (正)大沢利男・ (早大先進理工) (正)野田優	Carbon nanotube Purification Bromine vapor	ST-24	344
16:40～ 17:00	S124	水晶振動子によるトリメチルアルミニウムの吸着状態のその場測定 (U. Tokyo) ○(学)Wu Yuxuan・ (学)Liu Haonan・ (正)Yamaguchi Jun・ (正)Sato Noboru・ (正)Tsukune Atsuhiro・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro	ALD QCM Adsorption	ST-24	705
S 会場(8号館 1F 815) ・第 2 日(9月12日(火))
(9:00～10:20) (座長杉目恒志・清水秀治)
9:00～ 9:20	S201	反射光強度変化を利用したCo製膜初期過程の観測 (東大院工) ○(学)木村俊介・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)百瀬健・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	cobalt ALD reflectance	ST-24	895
9:20～ 9:40	S202	Morphology Improvement of Chemical Vapor Deposited Bismuth-based Perovskite Thin Film for Photovoltaic Use (京大工) ○(海)楊紫光・ (学)戸上敬登・ (学)田邉舞香・ (正)河瀬元明	Chemical vapor deposition Methylammonium bismuth iodide Molten bismuth	ST-24	425
9:40～ 10:00	S203	不飽和度の異なる炭化水素種からのコーク生成速度の解析 (京大工) ○(学)仲野真治・ (正)藤墳大裕・ (正)河瀬元明	coking CVD Carbon	ST-24	255
10:00～ 10:20	S204	化学気相成長法によるシリコン-炭素複合材料の作製とリチウムイオン電池負極への応用 (早大先進理工) ○(学·技基)岡順也・ (早大ナノライフ) (正)大沢利男・ (早大先進理工) (正)野田優	Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Lithium-ion battery	ST-24	76
10:20～ 10:40		休憩
(10:40～11:50) (座長杉目恒志・清水秀治)
10:40～ 11:00	S206	MTS/H₂を用いたSiC-CVIへのSiCl₄添加効果の詳細検討 (東大院工) ○(学)大高雄平・ (正)佐藤登・ (学)木村俊介・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC CVI MTS	ST-24	862
11:00～ 11:20	S207	SiC-CVI法における高濃度水素供給を利用した高速含浸条件の検討 (東大院工) ○(学)木村俊介・ (学)大高雄平・ (正)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC CVI CVD	ST-24	843
11:20～ 11:50	S208	[招待講演] SiCパワーデバイスの高性能化に向けたエピタキシャル成長技術の開発 (三菱電機先端総研) 田中貴規	Silicon carbide Power device Epitaxial growth	ST-24	518
(13:00～14:20) (座長百瀬健・野田優)
13:00～ 13:40	S213	[展望講演] 化学蒸着法を用いた切削工具用硬質膜の現状と展望 (京セラ) (法)谷渕栄仁	CVD Cutting tool Hard coating	ST-24	150
13:40～ 14:00	S215	DFT study on reaction paths of AlN growth by MOCVD (京大院工) ○(学)李亜飛・ (正)河瀬元明	DFT AlN MOCVD	ST-24	423
14:00～ 14:20	S216	金属錯体蒸気圧予測のためのCOSMO-SAC法の改良 (東大院工) ○(正)佐藤登・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	COSMO-SAC metal complex vapor pressure	ST-24	824
(14:20～15:50) (座長西田哲・舩門佑一)
14:20～ 14:40	S217	Photocatalytic Performance Evaluation of TiO₂ and TiO₂-CuO Nanoparticulate Thin Films Prepared by a Gas Phase System (Hiroshima U.) ○(学)Hudandini Meditha・ (ITS) Kusdianto K.・ (Hiroshima U.) (正)Kubo Masaru・ (正)Shimada Manabu	PECVD PVD TiO2-CuO heterojunction	ST-24	778
14:40～ 15:00	S218	モデル触媒構造を用いた可視光応答型CuO_x/TiO₂光触媒反応機構の検討 (東大院工) ○(学)田中潤・ (学)中嶋佑介・ (正)霜垣幸浩・ (正)百瀬健	photocatalyst visible light reaction mechanism	ST-24	926
15:00～ 15:20	S219	反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜形成と物性評価 (阪公大院工) ○(学·技基)上田和貴・若松和伸・ (正)齊藤丈靖・ (正)岡本尚樹	sputtering MAX-phase	ST-24	876
15:20～ 15:50	S220	[招待講演] スパッタだからできる薄膜の結晶性・モフォロジー制御 (九大シス情) 板垣奈穂	sputtering thin film morphology control	ST-24	783
(15:50～16:20)
15:50～ 16:20		閉会の挨拶、分科会幹事会

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化学工学会第54回秋季大会 (福岡)

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講演プログラム（セッション別） : ST-24

ST-24 [部会横断型シンポジウム] CVD/ALD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－

`化学工学会第54回秋季大会 (福岡)`

ST-24 [部会横断型シンポジウム]
CVD/ALD・ドライプロセス－構造・機能制御の反応工学－