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化学工学会 第54回秋季大会 (福岡)

Last modified: 2023-12-10 19:09:26

講演プログラム（会場・日程別） : S会場・第2日

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S 会場(8号館 1F 815) ・ 第 2 日(9月12日(火))

ST-24

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
ST-24 [部会横断型シンポジウム]
CVD/ALD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－
(9:00～10:20) (座長 杉目 恒志・清水 秀治)
9:00～ 9:20S201反射光強度変化を利用したCo製膜初期過程の観測
(東大院工) ○(学)木村 俊介・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
cobalt
ALD
reflectance
ST-24895
9:20～ 9:40S202Morphology Improvement of Chemical Vapor Deposited Bismuth-based Perovskite Thin Film for Photovoltaic Use
(京大工) ○(海)楊 紫光・ (学)戸上 敬登・ (学)田邉 舞香・ (正)河瀬 元明
Chemical vapor deposition
Methylammonium bismuth iodide
Molten bismuth
ST-24425
9:40～ 10:00S203不飽和度の異なる炭化水素種からのコーク生成速度の解析
(京大工) ○(学)仲野 真治・ (正)藤墳 大裕・ (正)河瀬 元明
coking
CVD
Carbon
ST-24255
10:00～ 10:20S204化学気相成長法によるシリコン-炭素複合材料の作製とリチウムイオン電池負極への応用
(早大先進理工) ○(学·技基)岡 順也・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優
Chemical Vapor Deposition (CVD)
Silicon
Lithium-ion battery
ST-2476
10:20～ 10:40休憩
(10:40～11:50) (座長 杉目 恒志・清水 秀治)
10:40～ 11:00S206MTS/H2を用いたSiC-CVIへのSiCl4添加効果の詳細検討
(東大院工) ○(学)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (学)木村 俊介・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
MTS
ST-24862
11:00～ 11:20S207SiC-CVI法における高濃度水素供給を利用した高速含浸条件の検討
(東大院工) ○(学)木村 俊介・ (学)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
CVD
ST-24843
11:20～ 11:50S208[招待講演] SiCパワーデバイスの高性能化に向けたエピタキシャル成長技術の開発
(三菱電機先端総研) 田中 貴規
Silicon carbide
Power device
Epitaxial growth
ST-24518
(13:00～14:20) (座長 百瀬 健・野田 優)
13:00～ 13:40S213[展望講演] 化学蒸着法を用いた切削工具用硬質膜の現状と展望
(京セラ) (法)谷渕 栄仁
CVD
Cutting tool
Hard coating
ST-24150
13:40～ 14:00S215DFT study on reaction paths of AlN growth by MOCVD
(京大院工) ○(学)李 亜飛・ (正)河瀬 元明
DFT
AlN
MOCVD
ST-24423
14:00～ 14:20S216金属錯体蒸気圧予測のためのCOSMO-SAC法の改良
(東大院工) ○(正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
COSMO-SAC
metal complex
vapor pressure
ST-24824
(14:20～15:50) (座長 西田 哲・舩門 佑一)
14:20～ 14:40S217Photocatalytic Performance Evaluation of TiO2 and TiO2-CuO Nanoparticulate Thin Films Prepared by a Gas Phase System
(Hiroshima U.) ○(学)Hudandini Meditha・ (ITS) Kusdianto K.・ (Hiroshima U.) (正)Kubo Masaru・ (正)Shimada Manabu
PECVD
PVD
TiO2-CuO heterojunction
ST-24778
14:40～ 15:00S218モデル触媒構造を用いた可視光応答型CuOx/TiO2光触媒反応機構の検討
(東大院工) ○(学)田中 潤・ (学)中嶋 佑介・ (正)霜垣 幸浩・ (正)百瀬 健
photocatalyst
visible light
reaction mechanism
ST-24926
15:00～ 15:20S219反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜形成と物性評価
(阪公大院工) ○(学·技基)上田 和貴・ 若松 和伸・ (正)齊藤 丈靖・ (正)岡本 尚樹
sputtering
MAX-phase
ST-24876
15:20～ 15:50S220[招待講演] スパッタだからできる薄膜の結晶性・モフォロジー制御
(九大シス情) 板垣 奈穂
sputtering
thin film
morphology control
ST-24783
(15:50～16:20)
15:50～ 16:20閉会の挨拶、分科会幹事会

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