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化学工学会 第54回秋季大会 (福岡)

Last modified: 2023-12-10 19:09:26

講演プログラム(会場・日程別) : S会場・第2日

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S 会場(8号館 1F 815)第 2 日(9月12日(火))

ST-24

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
ST-24 [部会横断型シンポジウム]
CVD/ALD・ドライプロセス -構造・機能制御の反応工学-
(9:00~10:20) (座長 杉目 恒志清水 秀治)
9:009:20S201反射光強度変化を利用したCo製膜初期過程の観測
(東大院工) ○(学)木村 俊介(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)百瀬 健(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
cobalt
ALD
reflectance
ST-24895
9:209:40S202Morphology Improvement of Chemical Vapor Deposited Bismuth-based Perovskite Thin Film for Photovoltaic Use
(京大工) ○(海)楊 紫光(学)戸上 敬登(学)田邉 舞香(正)河瀬 元明
Chemical vapor deposition
Methylammonium bismuth iodide
Molten bismuth
ST-24425
9:4010:00S203不飽和度の異なる炭化水素種からのコーク生成速度の解析
(京大工) ○(学)仲野 真治(正)藤墳 大裕(正)河瀬 元明
coking
CVD
Carbon
ST-24255
10:0010:20S204化学気相成長法によるシリコン-炭素複合材料の作製とリチウムイオン電池負極への応用
(早大先進理工) ○(学·技基)岡 順也(早大ナノライフ) (正)大沢 利男(早大先進理工) (正)野田 優
Chemical Vapor Deposition (CVD)
Silicon
Lithium-ion battery
ST-2476
10:2010:40休憩
(10:40~11:50) (座長 杉目 恒志清水 秀治)
10:4011:00S206MTS/H2を用いたSiC-CVIへのSiCl4添加効果の詳細検討
(東大院工) ○(学)大高 雄平(正)佐藤 登(学)木村 俊介(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
MTS
ST-24862
11:0011:20S207SiC-CVI法における高濃度水素供給を利用した高速含浸条件の検討
(東大院工) ○(学)木村 俊介(学)大高 雄平(正)佐藤 登(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
CVD
ST-24843
11:2011:50S208[招待講演] SiCパワーデバイスの高性能化に向けたエピタキシャル成長技術の開発
(三菱電機先端総研) 田中 貴規
Silicon carbide
Power device
Epitaxial growth
ST-24518
(13:00~14:20) (座長 百瀬 健野田 優)
13:0013:40S213[展望講演] 化学蒸着法を用いた切削工具用硬質膜の現状と展望
(京セラ) (法)谷渕 栄仁
CVD
Cutting tool
Hard coating
ST-24150
13:4014:00S215DFT study on reaction paths of AlN growth by MOCVD
(京大院工) ○(学)李 亜飛(正)河瀬 元明
DFT
AlN
MOCVD
ST-24423
14:0014:20S216金属錯体蒸気圧予測のためのCOSMO-SAC法の改良
(東大院工) ○(正)佐藤 登(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
COSMO-SAC
metal complex
vapor pressure
ST-24824
(14:20~15:50) (座長 西田 哲舩門 佑一)
14:2014:40S217Photocatalytic Performance Evaluation of TiO2 and TiO2-CuO Nanoparticulate Thin Films Prepared by a Gas Phase System
(Hiroshima U.) ○(学)Hudandini Meditha(ITS) Kusdianto K.(Hiroshima U.) (正)Kubo Masaru(正)Shimada Manabu
PECVD
PVD
TiO2-CuO heterojunction
ST-24778
14:4015:00S218モデル触媒構造を用いた可視光応答型CuOx/TiO2光触媒反応機構の検討
(東大院工) ○(学)田中 潤(学)中嶋 佑介(正)霜垣 幸浩(正)百瀬 健
photocatalyst
visible light
reaction mechanism
ST-24926
15:0015:20S219反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜形成と物性評価
(阪公大院工) ○(学·技基)上田 和貴若松 和伸(正)齊藤 丈靖(正)岡本 尚樹
sputtering
MAX-phase
ST-24876
15:2015:50S220[招待講演] スパッタだからできる薄膜の結晶性・モフォロジー制御
(九大シス情) 板垣 奈穂
sputtering
thin film
morphology control
ST-24783
(15:50~16:20)
15:5016:20閉会の挨拶、分科会幹事会

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