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化学工学会 第89年会 (堺)

講演プログラム検索結果 : 齊藤 丈靖 : 4件

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発表者または座長 が『齊藤 丈靖』と一致する講演:2件該当しました。
司会・座長氏名 が『齊藤 丈靖』と一致するセッション:2件該当しました。
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講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
第 2 日
9:209:40
F202還元性ガス添加した反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜形成
(阪公大院工) ○(正)齊藤 丈靖(学·技基)上田 和貴(正)岡本 尚樹
sputtering
MAX-phase
5-h787
第 2 日
16:0016:40
   座長 齊藤 丈靖友野 和哲
K222全固体電池用電極スラリ電池性能関係
All solid-state batteries
11-a396
K223エタノール電解酸化反応における電解質のpHとアニオン吸着検討
(京大工) ○(学)鄭 凱鴻(学)名村 啓佑(正)河瀬 元明
Ethanol electro-oxidation
Hydrogen generation
Electrolyte
11-a684
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
第 3 日
9:0010:40
   座長 齊藤 丈靖
G301ALD用トリメチルアルミニウム物理吸着定量分析
(東大院工) ○(学)Wu Yuxuan(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
Atomic Layer Depositon
Quartz Crystal Microbalance
Surface Adsorption
5-h383
G302原子層堆積法を用いたZrN薄膜形成プロセス検討
(東大院工) ○(学)田中 潤(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
ZrN
ALD
TEMAZ
5-h273
G303次世代ULSI配線用Moの原子層成長プロセス開発
(東大院工) ○(学)小原 聡顕(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
Molybdenum
ALD
low resistivity
5-h123
G304ヒドラジンを用いた原子層堆積法によるシリコン窒化膜評価
Siicon Nitride
Atomic Layer Deposition
Incubation Cycle
5-h109
G305Co薄膜熱原子層エッチングプロセス検討
(東大院工) ○(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
ALE
atomic layer eching
cobalt
5-h516
第 3 日
11:2011:40
G308キセノンエキシマランプ使用したVUV-Redox法による銅表面活性化
VUV-Redo
Surface activation
5-h786
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