5-h - 講演プログラム検索結果 - 化学工学会第89年会 (堺)

`化学工学会第89年会 (堺)`

講演プログラム検索結果 : 5-h : 24件

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分類番号が『5-h』から始まる講演：24件該当しました。
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講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
第 2 日 9:00～ 9:20	F201	化学気相成長を用いたビスマス系ペロブスカイト薄膜の反応速度式の解析 (京大工) ○(海)楊紫光・ (学)戸上敬登・ (学)田邉舞香・ (正)河瀬元明	Chemical vapor deposition Methylammonium bismuth iodide Perovskite solar cell	5-h	686
第 2 日 9:20～ 9:40	F202	還元性ガスを添加した反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜の形成 (阪公大院工) ○(正)齊藤丈靖・ (学·技基)上田和貴・ (正)岡本尚樹	sputtering MAX-phase	5-h	787
第 2 日 9:40～ 10:00	F203	不飽和度の異なる炭化水素種からの炭素CVD速度の解析 (京大工) (学)仲野真治・ (正)藤墳大裕・ ○(正)河瀬元明	CVD carbon coking	5-h	785
第 2 日 10:20～ 10:40	F205	流体混合制御による浮遊触媒CVD法でのカーボンナノチューブの安定連続合成 (早大先進理工) ○(正)Lang Jianghua・ (正)大沢利男・ (正)野田優	carbon nanotube chemical vapor deposition continuous process	5-h	225
第 2 日 10:40～ 11:00	F206	SiC-CVIプロセスにおける反応モデルの簡略化 (東大院工) ○(正)佐藤登・ (東大工) (学)吉田幸希・ (東大院工) (学)大高雄平・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	SiC-CVI CH3SiCl3 Reduced model	5-h	562
第 2 日 11:00～ 11:20	F207	化学気相含浸法によるSiCセラミックス基複合材料作製におけるSiC埋め込みの炉内均一性向上および高速性向上に関する研究 (東大工) ○(学)吉田幸希・ (東大院工) (学)大高雄平・ (学)木村俊介・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)霜垣幸浩	SiC CVI CVD	5-h	233
第 2 日 11:20～ 11:40	F208	高MTS分圧供給SiC-CVIにおける収率改善と副生成物抑制を目的とした排出ガス改質条件探索 (東大院工) ○(学)大高雄平・ (東大工) (学)吉田幸希・ (東大院工) (正)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	CVI SiC Recycling	5-h	633
第 2 日 11:40～ 12:00	F209	SiC_f/SiC-CMC製造における最適CVIプロセス設計指針 (東大院工) ○(学)大高雄平・ (東大工) (学)吉田幸希・ (東大院工) (正)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	CVI SiC Process design	5-h	634
第 3 日 9:00～ 9:20	G301	ALD用トリメチルアルミニウムの物理吸着の定量分析 (東大院工) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	Atomic Layer Depositon Quartz Crystal Microbalance Surface Adsorption	5-h	383
第 3 日 9:20～ 9:40	G302	原子層堆積法を用いたZrN薄膜形成プロセスの検討 (東大院工) ○(学)田中潤・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	ZrN ALD TEMAZ	5-h	273
第 3 日 9:40～ 10:00	G303	次世代ULSI配線用Moの原子層成長プロセス開発 (東大院工) ○(学)小原聡顕・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	Molybdenum ALD low resistivity	5-h	123
第 3 日 10:00～ 10:20	G304	ヒドラジンを用いた原子層堆積法によるシリコン窒化膜評価 (大陽日酸) ○(法)和田吉史・ (法)村田逸人・ (法)清水秀治	Siicon Nitride Atomic Layer Deposition Incubation Cycle	5-h	109
第 3 日 10:20～ 10:40	G305	Co薄膜熱原子層エッチングプロセスの検討 (東大院工) ○(正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	ALE atomic layer eching cobalt	5-h	516
第 3 日 10:40～ 11:00	G306	反射光強度その場観察を利用した下地選択Co-ALDプロセスの検討 (東大院工) ○(学)木村俊介・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)百瀬健・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	ALD in-situ observation reflectance	5-h	232
第 3 日 11:00～ 11:20	G307	ポリマー上におけるCu連続膜形成プロセスの検討 (東大院工) ○(学)中嶋佑介・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	Atomic Layer Depoition Copper on Polymer	5-h	531
第 3 日 11:20～ 11:40	G308	キセノンエキシマランプを使用したVUV-Redox法による銅表面の活性化 (阪公大院工) ○(正)遠藤真一・ (正)齊藤丈靖	VUV-Redo Surface activation	5-h	786
第 3 日 11:40～ 12:00	G309	CFDシミュレーションによるAlN化合物単結晶成長影響要因の検討 (京大院工) ○(学)李亜飛・村橋孝亮・ (正)河瀬元明	MOCVD CFD III-V compound	5-h	683
第 3 日 13:20～ 15:20	PE326	化学気相成長法によるシリコン-活性炭複合材料の作製とリチウムイオン電池負極への応用 (早大先進理工) ○(学·技基)岡順也・ (クラレ) (法)岩崎秀治・ (法)西浪裕之・ (法)有馬淳一・ (早大ナノライフ) (正)大沢利男・ (早大先進理工) (正)野田優	Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Lithium-ion battery	5-h	73
第 3 日 13:20～ 15:20	PE336	プラズマ処理による炭素繊維材料の表面改質 (岐阜大院自) ○(学)Dinh Thi Quynh・ (岐阜大工) 小宮山正治・ (正)西田哲	plasma carbon materials sem	5-h	263
第 3 日 13:20～ 15:20	PE340	単結晶Si基板への多孔質層形成、単結晶Si膜の急速エピタキシーと機械的剥離 (早大先進理工) ○(学·技基)大橋美彩子・ (早大ナノライフ) (正)大沢利男・ (早大先進理工) (正)野田優	Monocrystalline Si film Rapid vapor deposition Porous Si	5-h	65
第 3 日 13:20～ 15:20	PE344	プラズマCVDによる木質材料へのSiOCコーティング (岐阜大院自) ○(学)伊藤廉・ (岐阜大工) 小宮山正治・ (正)西田哲	PE-CVD water-repellent wood-based material	5-h	261
第 3 日 13:20～ 15:20	PE349	[注目講演] 安全なエッチング剤を用いたカーボンナノチューブの乾式精製法の開発 (早大先進理工) ○(学)田中駿・ (学·技基)後藤拓磨・ (早大ナノライフ) (正)大沢利男・ (早大先進理工) (正)野田優	Carbon nanotubes Purification dry process	5-h	176
第 3 日 13:20～ 15:20	PE356	触媒原料分解促進による浮遊触媒CVD法でのカーボンナノチューブの安定連続合成 (早大先進理工) ○(学)直塚悠希・ (正)Lang Jianghua・ (早大ナノライフ) (正)大沢利男・ (早大先進理工) (正)野田優	carbon nanotube chemical vapor deposition nanoparticle catalyst	5-h	264
第 3 日 13:20～ 15:20	PE357	アルカリエッチングにより作製したシリコンテクスチャの評価手法についての研究 (岐阜大院自) ○(学)澤田昌宏・ (岐阜大工) 小宮山正治・ (正)西田哲	solar cell textured MATLAB	5-h	422

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