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化学工学会 第89年会 (堺)

講演プログラム検索結果 : 筑根 敦弘 : 10件

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発表者または座長 が『筑根 敦弘』と一致する講演:10件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
第 2 日
10:4011:00
F206SiC-CVIプロセスにおける反応モデル簡略化
SiC-CVI
CH3SiCl3
Reduced model
5-h562
第 2 日
11:0011:20
F207化学気相含浸法によるSiCセラミックス基複合材料作製におけるSiC埋め込みの炉内均一性向上および高速性向上に関する研究
SiC
CVI
CVD
5-h233
第 2 日
11:2011:40
F208高MTS分圧供給SiC-CVIにおける収率改善副生成物抑制目的とした排出ガス改質条件探索
CVI
SiC
Recycling
5-h633
第 2 日
11:4012:00
F209SiCf/SiC-CMC製造における最適CVIプロセス設計指針
CVI
SiC
Process design
5-h634
第 3 日
9:009:20
G301ALD用トリメチルアルミニウム物理吸着定量分析
(東大院工) ○(学)Wu Yuxuan(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
Atomic Layer Depositon
Quartz Crystal Microbalance
Surface Adsorption
5-h383
第 3 日
9:209:40
G302原子層堆積法を用いたZrN薄膜形成プロセス検討
(東大院工) ○(学)田中 潤(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
ZrN
ALD
TEMAZ
5-h273
第 3 日
9:4010:00
G303次世代ULSI配線用Moの原子層成長プロセス開発
(東大院工) ○(学)小原 聡顕(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
Molybdenum
ALD
low resistivity
5-h123
第 3 日
10:2010:40
G305Co薄膜熱原子層エッチングプロセス検討
(東大院工) ○(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
ALE
atomic layer eching
cobalt
5-h516
第 3 日
10:4011:00
G306反射光強度その場観察利用した下地選択Co-ALDプロセス検討
(東大院工) ○(学)木村 俊介(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)百瀬 健(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
ALD
in-situ observation
reflectance
5-h232
第 3 日
11:0011:20
G307ポリマー上におけるCu連続膜形成プロセス検討
(東大院工) ○(学)中嶋 佑介(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
Atomic Layer Depoition
Copper
on Polymer
5-h531
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