発表者または座長 が『清水 秀治』と一致する講演:1件該当しました。
司会・座長氏名 が『清水 秀治』と一致するセッション:2件該当しました。
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講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目/発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
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オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会) | |||||
第 2 日 | 座長 | ||||
F201 | 化学気相成長を用いたビスマス系ペロブスカイト薄膜の反応速度式の解析 | Chemical vapor deposition Methylammonium bismuth iodide Perovskite solar cell | 5-h | 686 | |
F202 | 還元性ガスを添加した反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜の形成 | sputtering MAX-phase | 5-h | 787 | |
F203 | 不飽和度の異なる炭化水素種からの炭素CVD速度の解析 | CVD carbon coking | 5-h | 785 | |
第 3 日 | G304 | ヒドラジンを用いた原子層堆積法によるシリコン窒化膜評価 | Siicon Nitride Atomic Layer Deposition Incubation Cycle | 5-h | 109 |
第 3 日 | 座長 | ||||
G306 | 反射光強度その場観察を利用した下地選択Co-ALDプロセスの検討 | ALD in-situ observation reflectance | 5-h | 232 | |
G307 | ポリマー上におけるCu連続膜形成プロセスの検討 | Atomic Layer Depoition Copper on Polymer | 5-h | 531 | |
G308 | キセノンエキシマランプを使用したVUV-Redox法による銅表面の活性化 | VUV-Redo Surface activation | 5-h | 786 | |
G309 | CFDシミュレーションによるAlN化合物単結晶成長影響要因の検討 | MOCVD CFD III-V compound | 5-h | 683 |
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化学工学会 第89年会 (堺)