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化学工学会 第89年会 (堺)

講演プログラム検索結果 : 清水 秀治 : 3件

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発表者または座長 が『清水 秀治』と一致する講演:1件該当しました。
司会・座長氏名 が『清水 秀治』と一致するセッション:2件該当しました。
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講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
第 2 日
9:0010:00
   座長 霜垣 幸浩清水 秀治
F201化学気相成長を用いたビスマスペロブスカイト薄膜反応速度式解析
(京大工) ○(海)楊 紫光(学)戸上 敬登(学)田邉 舞香(正)河瀬 元明
Chemical vapor deposition
Methylammonium bismuth iodide
Perovskite solar cell
5-h686
F202還元性ガス添加した反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜形成
(阪公大院工) ○(正)齊藤 丈靖(学·技基)上田 和貴(正)岡本 尚樹
sputtering
MAX-phase
5-h787
F203不飽和度の異なる炭化水素種からの炭素CVD速度解析
CVD
carbon
coking
5-h785
第 3 日
10:0010:20
G304ヒドラジンを用いた原子層堆積法によるシリコン窒化膜評価
Siicon Nitride
Atomic Layer Deposition
Incubation Cycle
5-h109
第 3 日
10:4012:00
   座長 杉目 恒志清水 秀治
G306反射光強度その場観察利用した下地選択Co-ALDプロセス検討
(東大院工) ○(学)木村 俊介(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)百瀬 健(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
ALD
in-situ observation
reflectance
5-h232
G307ポリマー上におけるCu連続膜形成プロセス検討
(東大院工) ○(学)中嶋 佑介(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
Atomic Layer Depoition
Copper
on Polymer
5-h531
G308キセノンエキシマランプ使用したVUV-Redox法による銅表面活性化
VUV-Redo
Surface activation
5-h786
G309CFDシミュレーションによるAlN化合物単結晶成長影響要因検討
MOCVD
CFD
III-V compound
5-h683
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