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化学工学会 第52回秋季大会 (岡山)

講演プログラム検索結果 : Momose Takeshi : 7件

ST-25,SY-56,SY-64,SY-65,SY-70は双方向ライブ配信利用予定からオンライン実施に変更されました(本変更を最後とします)。
双方向ライブ配信利用はプログラム一覧表で黄色・赤色背景のセッションです。
赤色のセッションは岡山のライブ配信会場にオーガナイザー不在の予定です。黄色は不在となる可能性があります。いずれの場合も会場は開設しますのでご来場いただいて発表・聴講いただけます。
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発表者または座長 が『Momose Takeshi』と一致する講演:7件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの2件となります。

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
第 1 日
13:4014:00
VC115超臨界流体薄膜堆積法で作製した酸化チタンの光触媒活性と結晶性への添加物の効果
(東大院工) ○(学)安治 遼祐(正)出浦 桃子(東工大物質理工) (正)下山 裕介(東大院工) (正)霜垣 幸浩(正)百瀬 健
supercritical fluid deposition
photocatalyst
crystallinity
ST-22142
第 1 日
14:0014:20
VC116パルス供給ALDにおける原料気化特性の検討
(東大院工) ○(学)山口 潤(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(ダイキン工業) (法)松永 隆行(法)山内 昭佳(法)岸川 洋介(東大院工) (正)霜垣 幸浩
ALD
precursor
vaporization
ST-22594
第 1 日
16:0016:20
VC122SiCf/SiC CMC合成のための排出ガス改質再利用を含むSiC含浸プロセスの提案
(東大院工) ○(学)大高 雄平(正)佐藤 登(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
reuse
CVI
ST-22689
第 1 日
16:2016:40
VC123多結晶SiC-CVDプロセス設計を目指した総括反応モデルの構築と検証
(東大院工) ○(学)師井 滉平(学)奥 友則(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
Chemical Vapor Deposition
silicon carbide
macrocavity method
ST-22792
第 2 日
10:4011:00
VN206Supercritical fluid deposition of Cu for sub-millimeter-scale features
(U. Tokyo) ○(学)Huang Yuyuan(正)Deura Momoko(Tokyo Tech) (正)Shimoyama Yusuke(U. Tokyo) (正)Shimogaki Yukihiro(正)Momose Takeshi
supercritical fluid deposition
sub-millimeter-scale features
SY-73685
第 2 日
11:2011:40
VC208理論的検討に基づいたTiAlN-CVDプロセスにおける気相素反応機構構築
(東大院工) ○(正)佐藤 登(学)山口 潤(京セラ) (法)久保 隼人(法)杉山 貴悟(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(京セラ) (法)谷渕 栄仁(東大院工) (正)霜垣 幸浩
TiAlN
CVD
Elementary reaction model
ST-22785
第 3 日
13:3014:00
VN314[依頼講演] 超臨界流体薄膜堆積法(SCFD):速度論からデバイス応用まで
(東大院工) (正)百瀬 健
Supercritical fluids
deposition
thin film
SY-73190

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