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化学工学会 第52回秋季大会 (岡山)

Last modified: 2021-09-22 15:10:12

講演プログラム(セッション別) : ST-22

ST-25,SY-56,SY-64,SY-65,SY-70は双方向ライブ配信利用予定からオンライン実施に変更されました(本変更を最後とします)。
双方向ライブ配信利用はプログラム一覧表で黄色・赤色背景のセッションです。
赤色のセッションは岡山のライブ配信会場にオーガナイザー不在の予定です。黄色は不在となる可能性があります。いずれの場合も会場は開設しますのでご来場いただいて発表・聴講いただけます。
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講演要旨は講演番号からリンクしています(クリックかタップしてください)。
参加登録者(一般公開企画のみ参加者を除く)およびご招待者にメールでお知らせしたID/PWが必要です。
講演プログラム集冊子(PDF)の閲覧を開始しました(9/17)。
会期中GOING VIRTUALにてダウンロード可能です。

ST-22 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス -構造・機能制御の反応工学-

オーガナイザー:河瀬 元明(京都大学)玉置 直樹(キオクシア(株))齊藤 丈靖(大阪府立大学)三宅 雅人(奈良先端科学技術大学院大学)

CVD等のドライプロセスはエレクトロニクス,太陽電池,MEMS,機能性コーティング等の分野において重要な基幹技術となっている。本シンポジウムでは,CVDとALDその他のドライプロセスを利用した薄膜形成,微粒子合成,微細加工において反応工学的見地より反応メカニズムを理解し,論理的で効率的な反応プロセスや反応装置の開発を目指し議論することを目的とします。なお,優秀な発表をされた若手研究者には,CVD反応分科会奨励賞を贈呈します.37才未満の正会員の希望者を対象とし,優秀な発表に対して粒子・流体プロセス部会シンポジウム賞の「奨励賞」を贈呈します.

VC 会場 ・ 第 1 日 | VC 会場 ・ 第 2 日

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
VC 会場(オンライン)第 1 日(9月22日(水))
(10:40~12:00) (座長 玉置 直樹河瀬 元明)
10:4011:20VC106[展望講演] 半導体メモリの技術・経済・産業の現在と発展する未来
(マイクロンメモリジャパン) 青砥 なほみ
CVD
semiconductor memory
industry
ST-22517
11:2011:40VC108次世代半導体用配線材料としての MAX化合物の製膜と評価
(阪府大院工) ○(学)若松 和伸(阪府大工) 上田 和貴(阪府大院工) (正)岡本 尚樹(正)齊藤 丈靖
Max Phase
semiconductor
ST-22864
11:4012:00VC109ビスマスを原料とした太陽電池用ペロブスカイト薄膜CVDプロセスの開発
(京大工) ○(学)戸上 敬登(学)松田 萌楊 紫光(正)河瀬 元明
CVD
perovskite
methylammonium bismuth iodide
ST-22375
(13:20~14:40) (座長 河瀬 元明舩門 佑一)
13:2013:40VC114超臨界CO2を反応場とした有機修飾酸化鉄ナノ結晶の直接合成
(東工大物質理工) ○(正)織田 耕彦苅谷 啓杜(学)Wijakmatee Thossaporn(正)下山 裕介
Supercritical carbon dioxide
iron oxide nanocrystals
organic modification
ST-22629
13:4014:00VC115超臨界流体薄膜堆積法で作製した酸化チタンの光触媒活性と結晶性への添加物の効果
(東大院工) ○(学)安治 遼祐(正)出浦 桃子(東工大物質理工) (正)下山 裕介(東大院工) (正)霜垣 幸浩(正)百瀬 健
supercritical fluid deposition
photocatalyst
crystallinity
ST-22142
14:0014:20VC116パルス供給ALDにおける原料気化特性の検討
(東大院工) ○(学)山口 潤(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(ダイキン工業) (法)松永 隆行(法)山内 昭佳(法)岸川 洋介(東大院工) (正)霜垣 幸浩
ALD
precursor
vaporization
ST-22594
14:2014:40VC117三塩化ホウ素ガスとモノメチルシランガスによる薄膜形成
(横国大院工) 室井 光子(正)羽深 等
Chemical vapor deposition
Silicon-Boron film
Mechanism
ST-2240
14:4015:10休憩
(15:10~17:00) (座長 三宅 雅人川上 雅人)
15:1015:40VC119[招待講演] 長尺・高密カーボンナノチューブ(CNT)・アレイから作製するCNT乾式紡績糸の物性制御とエネルギー・メカニカルデバイスへの応用
(岡山大院自然) 林 靖彦
Carbon nanotube (CNT) arrays
Dry Spinning CNT yarns
Energy and mechanical devices
ST-22516
15:4016:00VC121[注目講演] Enhanced CO2-assisted growth of single-wall carbon nanotube arrays with Fe/AlOx catalyst annealed without CO2
(早大理工総研) ○(正)李 墨宸(早大先進理工) (学)安井 浩太郎(近畿大) (正)杉目 恒志(早大先進理工) (正)野田 優
chemical vaper deposition
thermal annealing
single-wall carbon nanotubes
ST-22672
16:0016:20VC122SiCf/SiC CMC合成のための排出ガス改質再利用を含むSiC含浸プロセスの提案
(東大院工) ○(学)大高 雄平(正)佐藤 登(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
reuse
CVI
ST-22689
16:2016:40VC123多結晶SiC-CVDプロセス設計を目指した総括反応モデルの構築と検証
(東大院工) ○(学)師井 滉平(学)奥 友則(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
Chemical Vapor Deposition
silicon carbide
macrocavity method
ST-22792
16:4017:00VC124CVI法を用いたセラミックス基複合材料製造反応器内の数値シミュレーション
(名大) ○(学)小川 達也(正)福本 一生(正)町田 洋(正)則永 行庸
CVI
Numerical simulation
MTS
ST-22562
VC 会場(オンライン)第 2 日(9月23日(木))
(9:00~11:40) (座長 齊藤 丈靖玉置 直樹)
9:009:40VC201[展望講演] 反応性プラズマを用いたナノ粒子の成長制御とその応用展開
(九大シス情) 古閑 一憲
CVD
nano-particles
growth control
ST-22514
9:4010:00VC203One-step fabrication of CuO-loaded TiO2 nanoparticulate thin film for photocatalytic application under visible light irradiation
(Hiroshima U.) ○(学)Hudandini MedithaJiang Dianping(ITS) Kusdianto K(Hiroshima U.) (正)Kubo Masaru(正)Shimada Manabu
PECVD-PVD
nanocomposite
heterojunction
ST-22154
10:0010:20VC204Ti[N(CH3)2]4を用いたプラズマCVD法によるTiCN膜の作製
(阪府大院工) ○(学)竹内 陸(正)岡本 尚樹(正)齊藤 丈靖
plasma CVD
TDMAT
TiCN
ST-22863
10:2010:50休憩
10:5011:20VC206[招待講演] プラズマ照射下の空間ミクロかつ時間マクロな構造変化の再現計算への挑戦
(核融合研) 伊藤 篤史
CVD
plasma
numerical simulation
ST-22519
11:2011:40VC208理論的検討に基づいたTiAlN-CVDプロセスにおける気相素反応機構構築
(東大院工) ○(正)佐藤 登(学)山口 潤(京セラ) (法)久保 隼人(法)杉山 貴悟(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(京セラ) (法)谷渕 栄仁(東大院工) (正)霜垣 幸浩
TiAlN
CVD
Elementary reaction model
ST-22785

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