F会場・第1日 - 講演プログラム（会場・日程別） - 化学工学会第88年会(東京)

SCEJ

`化学工学会第88年会(東京)`

Last modified: 2023-12-13 19:10:32

大会情報
プログラム
セッション別
- セッション一覧
- 式典
  - 開会式
  - 学会賞
- 一般講演(口頭)
- 一般講演(ポスター)
  - Poster A
  - Poster B
  - Poster C
  - Poster D
  - Poster E
- ビジョン/特別
  - SV-1
  - SP-1
  - SP-2
  - SP-3
- 化学産業技術F
  - F-1
- 産業セッション
  - SS-1
  - SS-2
  - SS-3
  - SS-4
  - SS-5
  - SS-6
  - SS-7
  - SS-8
- 国際シンポジウム
  - K-1
  - K-2
  - K-3
  - K-4
  - K-5
- 本部等企画
  - HC-11
  - HC-12
  - HQ-21
- 部会企画
  - X-51
  - X-52
会場別
検索・一覧

講演プログラム（会場・日程別） : F会場・第1日

講演要旨閲覧は講演番号をクリックしてください。
(有料参加登録者およびご招待者にメールでお知らせしたID/PWが必要です。)

F 会場(講義棟 2階 L0023) ・第 1 日(3月15日(水))

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
5. 反応工学
(12:40～13:00) (司会二井晋)
12:40～ 13:00	F112	[研究賞] 活性表面を有する固体光触媒の創出と高難度還元反応への応用 (阪大) ○(正)白石康浩・ (正)平井隆之	The SCEJ Award for Outstanding Research Achievement	0-b	770
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
(13:00～14:20) (座長西田哲・清水秀治)
13:00～ 13:20	F113	ビスマス系ペロブスカイト薄膜の化学気相成長速度制御による太陽光発電性能の向上 (京大工) ○(海)楊紫光・ (学)戸上敬登・ (学)田邉舞香・ (正)河瀬元明	Chemical vapor deposition Methylammonium bismuth iodide Molten bismuth	5-h	554
13:20～ 13:40	F114	パラフィン、オレフィンからのコーク生成速度 (京大工) ○(学)仲野真治・ (正)藤墳大裕・ (正)河瀬元明	fouling coking CVD	5-h	528
13:40～ 14:00	F115	トリエチルアルミニウムからのCVD法によるAlN薄膜の作製 (京大工) ○(学)村橋孝亮・ (学)李亜飛・ (正)河瀬元明	CVD triethylaluminum AlN	5-h	540
14:00～ 14:20	F116	分子シミュレーションによるIII族前駆体がIII-V 化合物結晶成長に与える影響の検討 (京大工) ○(学)李亜飛・ (学)村橋孝亮・ (正)河瀬元明	MOCVD molecular simulations III-V compound	5-h	547
(14:40～15:40) (座長河瀬元明)
14:40～ 15:00	F118	ジクロロシラン、三塩化ホウ素とモノメチルシラン混合ガスによる化学気相堆積過程 (横国大院理工) 大谷真奈・室井光子・ ○(正)羽深等	dihlorosilane boron trichloride monomethylsilane	5-h	7
15:00～ 15:20	F119	理論的検討に基づいたSiC-CVIプロセスにおける表面反応モデルの改良 (東大院工) ○(正)佐藤登・ (学)木村俊介・ (学)大高雄平・ (東大工) 脇山知也・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC CVI surface reaction model	5-h	245
15:20～ 15:40	F120	高下地選択性Co-ALDプロセス設計のための可視光反射率その場観察手法の構築 (東大院工) ○(学)木村俊介・ (学)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	ALD in-situ observation reflectance	5-h	597
(16:00～16:40) (座長羽深等)
16:00～ 16:20	F122	密度汎関数法によるビス(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト)銅(II)の銅(111)表面への吸着に関する研究 (東大工) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)佐藤登・ (学)山口潤・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	Atomic Layer Depositon Density Function Theory Surface Adsorption	5-h	217
16:20～ 16:40	F123	超臨界流体薄膜堆積法を用いた誘電体上の低抵抗率銅薄膜形成に向けた前処理条件の検討 (東大院工) ○(学)中嶋佑介・ Huang Yuyuan・ (正)霜垣幸浩・ (正)百瀬健	SCFD Polymer resistivity	5-h	705
(16:40～17:00) (司会河瀬元明)
16:40～ 17:00		CVD反応分科会奨励賞授賞式

講演発表プログラム
講演プログラム一覧(横長) (同縦長表示)
セッション一覧
講演プログラムの検索
化学工学会第88年会(東京)

(C) 2023 公益社団法人化学工学会 The Society of Chemical Engineers, Japan. All rights reserved.
For more information contact 化学工学会第88年会実行委員会
E-mail: inquiry-88a

www3.scej.org

E会場(第1日) G会場(第1日) 第2日(F会場)