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化学工学会第88年会(東京)

Last modified: 2023-12-13 19:10:32

講演プログラム（会場・日程別） : F会場・第1日 : F112

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F 会場(講義棟 2階 L0023) ・ 第 1 日(3月15日(水))

5 反応工学

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
5. 反応工学
(12:40～13:00) (司会 二井 晋)
12:40～ 13:00F112[研究賞] 活性表面を有する固体光触媒の創出と高難度還元反応への応用
(阪大) ○(正)白石 康浩・ (正)平井 隆之
The SCEJ Award for Outstanding Research Achievement
0-b770
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
(13:00～14:20) (座長 西田 哲・清水 秀治)
13:00～ 13:20F113ビスマス系ペロブスカイト薄膜の化学気相成長速度制御による太陽光発電性能の向上
(京大工) ○(海)楊 紫光・ (学)戸上 敬登・ (学)田邉 舞香・ (正)河瀬 元明
Chemical vapor deposition
Methylammonium bismuth iodide
Molten bismuth
5-h554
13:20～ 13:40F114パラフィン、オレフィンからのコーク生成速度
(京大工) ○(学)仲野 真治・ (正)藤墳 大裕・ (正)河瀬 元明
fouling
coking
CVD
5-h528
13:40～ 14:00F115トリエチルアルミニウムからのCVD法によるAlN薄膜の作製
(京大工) ○(学)村橋 孝亮・ (学)李 亜飛・ (正)河瀬 元明
CVD
triethylaluminum
AlN
5-h540
14:00～ 14:20F116分子シミュレーションによるIII族前駆体がIII-V 化合物結晶成長に与える影響の検討
(京大工) ○(学)李 亜飛・ (学)村橋 孝亮・ (正)河瀬 元明
MOCVD
molecular simulations
III-V compound
5-h547
(14:40～15:40) (座長 河瀬 元明)
14:40～ 15:00F118ジクロロシラン、三塩化ホウ素とモノメチルシラン混合ガスによる化学気相堆積過程
(横国大院理工) 大谷 真奈・ 室井 光子・ ○(正)羽深 等
dihlorosilane
boron trichloride
monomethylsilane
5-h7
15:00～ 15:20F119理論的検討に基づいたSiC-CVIプロセスにおける表面反応モデルの改良
(東大院工) ○(正)佐藤 登・ (学)木村 俊介・ (学)大高 雄平・ (東大工) 脇山 知也・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
surface reaction model
5-h245
15:20～ 15:40F120高下地選択性Co-ALDプロセス設計のための可視光反射率その場観察手法の構築
(東大院工) ○(学)木村 俊介・ (学)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
ALD
in-situ observation
reflectance
5-h597
(16:00～16:40) (座長 羽深 等)
16:00～ 16:20F122密度汎関数法によるビス(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト)銅(II)の銅(111)表面への吸着に関する研究
(東大工) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)佐藤 登・ (学)山口 潤・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
Atomic Layer Depositon
Density Function Theory
Surface Adsorption
5-h217
16:20～ 16:40F123超臨界流体薄膜堆積法を用いた誘電体上の低抵抗率銅薄膜形成に向けた前処理条件の検討
(東大院工) ○(学)中嶋 佑介・ Huang Yuyuan・ (正)霜垣 幸浩・ (正)百瀬 健
SCFD
Polymer
resistivity
5-h705
(16:40～17:00) (司会 河瀬 元明)
16:40～ 17:00CVD反応分科会奨励賞授賞式

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