分類番号 が『5-h』から始まる講演:14件該当しました。
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講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目/発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
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第 1 日 | F113 | ビスマス系ペロブスカイト薄膜の化学気相成長速度制御による太陽光発電性能の向上 | Chemical vapor deposition Methylammonium bismuth iodide Molten bismuth | 5-h | 554 |
第 1 日 | F114 | パラフィン、オレフィンからのコーク生成速度 | fouling coking CVD | 5-h | 528 |
第 1 日 | F115 | トリエチルアルミニウムからのCVD法によるAlN薄膜の作製 | CVD triethylaluminum AlN | 5-h | 540 |
第 1 日 | F116 | 分子シミュレーションによるIII族前駆体がIII-V 化合物結晶成長に与える影響の検討 | MOCVD molecular simulations III-V compound | 5-h | 547 |
第 1 日 | F118 | ジクロロシラン、三塩化ホウ素とモノメチルシラン混合ガスによる化学気相堆積過程 | dihlorosilane boron trichloride monomethylsilane | 5-h | 7 |
第 1 日 | F119 | 理論的検討に基づいたSiC-CVIプロセスにおける表面反応モデルの改良 | SiC CVI surface reaction model | 5-h | 245 |
第 1 日 | F120 | 高下地選択性Co-ALDプロセス設計のための可視光反射率その場観察手法の構築 | ALD in-situ observation reflectance | 5-h | 597 |
第 1 日 | F122 | 密度汎関数法によるビス(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト)銅(II)の銅(111)表面への吸着に関する研究 | Atomic Layer Depositon Density Function Theory Surface Adsorption | 5-h | 217 |
第 1 日 | F123 | 超臨界流体薄膜堆積法を用いた誘電体上の低抵抗率銅薄膜形成に向けた前処理条件の検討 | SCFD Polymer resistivity | 5-h | 705 |
第 3 日 | PD357 | ホウ酸をホウ素源に用いた窒化ホウ素ナノチューブの合成 | Boron nitride nanotube Chemical vapor deposition Template coating | 5-h | 79 |
第 3 日 | PD363 | アルカリエッチングによるシリコン基板上のテクスチャ形成と評価 | alkaline etching silicon substrates texture | 5-h | 312 |
第 3 日 | PD373 | 超軽量X線望遠鏡への原子層堆積法による Co 成膜の研究 | Atomic Layer Deposition micropore optics x-ray | 5-h | 516 |
第 3 日 | PD372 | 急速蒸着法による多孔質シリコン表面上への単結晶シリコン膜の作製 | Mono-crystalline Si film Rapid vapor deposition Porous Si | 5-h | 157 |
第 3 日 | PD376 | MTS/H2を原料ガスとしたCVD反応炉のSiC成長簡略化機構による数値流体解析 | CVD MTS CFD | 5-h | 676 |
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化学工学会第88年会(東京)