BD会場・第1日 - 講演プログラム（会場・日程別）

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`化学工学会第49回秋季大会`

Last modified: 2017-09-06 10:00:00

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BD 会場(2号館南 3F 232) ・第 1 日(9月20日(水))

ST-26

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
ST-26 [部会横断型シンポジウム] CVD・ドライプロセス ―デバイス構造・機能制御の反応工学―
(13:00～14:20) (座長川上雅人)
13:00～ 13:40	BD113	[展望講演] 最先端プラズマ科学に基づいたプロセス制御と未来産業への展望 (名大工) ○堀勝・石川健治・関根誠	Plasma Deposition Etching	ST-26	770
13:40～ 14:00	BD115	シリカプラズマCVDにおける気相種の質量分析 (京大工) ○(学)田中茉莉亜・ (正)河瀬元明	plasma CVD silica mass spectrometry	ST-26	618
14:00～ 14:20	BD116	ECR放電を用いたプラズマCVD法によるカーボンナノウォールの合成と並列化手法の検討 (東工大物質理工) ○(学)鈴木諒・ (正)森伸介	carbon nanowalls plasma enhanced CVD	ST-26	875
(14:20～15:20) (座長下山裕介)
14:20～ 14:40	BD117	単層カーボンナノチューブの火炎合成:反応場・流れ場・触媒供給制御による高品質化 (早大先進理工) ○(学)岡田翔平・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)大沢利男・ (富士フイルム) (法)杉浦寛記・ (法)片岡祥平・ (法)五十嵐達也・ (早大先進理工) (正)野田優	single-wall carbon nanotubes flame synthesis reaction field control	ST-26	61
14:40～ 15:00	BD118	CVD法を用いたカーボンナノチューブ合成に対する硫黄の影響 (東工大院理工) ○(学)鈴木俊介・ (東工大物質理工) (正)森伸介	carbon nanotube sulfur chemical vapor deposition	ST-26	62
15:00～ 15:20	BD119	導電性基板上での高密度カーボンナノチューブフォレストの低温成長技術の開発 (早大高等研) (正)杉目恒志	chemical vapor deposition low temperature growth lithography	ST-26	1003
(15:20～16:40) (座長百瀬健)
15:20～ 15:40	BD120	塩化物介在CVD法による多層CNT成長における一酸化炭素添加効果 (静大院工) ○(学)小松原孝太・山梨博美・苅田基志・中野貴之・井上翼・ (JNC) (法)長岡宏一	carbon nanotube carbon monoxide chemical vapor deposition	ST-26	769
15:40～ 16:00	BD121	コンビナトリアル手法による二元系触媒の最適化とカーボンナノチューブのカイラリティ選択的合成 (早大先進理工) ○(学)江戸倫子・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)野田優	chemical vapor deposition carbon nanotubes chirality control	ST-26	883
16:00～ 16:20	BD122	浮遊コーティングプロセスでMWCNT上に形成したTiO₂層の形態に及ぼす反応条件の影響 (広大院工) ○(学·技基)福本善彦・ (正)久保優・ (広大院工/ITS Surabaya) (正)Kusdianto K・ (広大院工) (正)島田学	Nanocomposite Plasma-enhanced chemical vapor deposition Aerosolization	ST-26	681
16:20～ 16:40	BD123	[招待講演] 化学気相浸透法による複合材料製造の数値シミュレーション (名大院工) (正)則永行庸	chemical vapor infiltration composite materials numerical simulation	ST-26	805

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BD 会場(2号館南 3F 232) ・第 1 日(9月20日(水))