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化学工学会 第49回秋季大会

Last modified: 2017-09-06 10:00:00

講演プログラム(セッション別) : ST-26

講演要旨は各講演番号からリンクしています。(要ID/PW)詳細

ST-26 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス ―デバイス構造・機能制御の反応工学―

オーガナイザー:下山 裕介(東京工業大学)西田 哲(岐阜大学)池田 圭((株)アテナシス)

太陽電池,エレクトロニクス,MEMS,機能性コーティング等の分野において,大面積かつ低コストでの薄膜・微粒子形成技術が求められています。本シンポジウムでは,CVD・ドライプロセスを利用した薄膜形成・微粒子合成・微細加工における構造・機能制御について,経験的なトライアル&エラーではなく,反応メカニズムの理解による論理的な最適化を目指し議論することを目的とします。なお,優秀な発表をされた若手研究者には,CVD反応分科会奨励賞を贈呈します.

BD 会場 ・ 第 1 日 | BD 会場 ・ 第 2 日

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
BD 会場(2号館南 3F 232)第 1 日(9月20日(水))
(13:00~14:20) (座長 川上 雅人)
13:0013:40BD113[展望講演] 最先端プラズマ科学に基づいたプロセス制御と未来産業への展望
(名大工) ○堀 勝石川 健治関根 誠
Plasma
Deposition
Etching
ST-26770
13:4014:00BD115シリカプラズマCVDにおける気相種の質量分析
(京大工) ○(学)田中 茉莉亜(正)河瀬 元明
plasma CVD
silica
mass spectrometry
ST-26618
14:0014:20BD116ECR放電を用いたプラズマCVD法によるカーボンナノウォールの合成と並列化手法の検討
(東工大物質理工) ○(学)鈴木 諒(正)森 伸介
carbon nanowalls
plasma enhanced CVD
ST-26875
(14:20~15:20) (座長 下山 裕介)
14:2014:40BD117単層カーボンナノチューブの火炎合成:反応場・流れ場・触媒供給制御による高品質化
(早大先進理工) ○(学)岡田 翔平(早大高等研) (正)杉目 恒志(早大先進理工) (正)大沢 利男(富士フイルム) (法)杉浦 寛記(法)片岡 祥平(法)五十嵐 達也(早大先進理工) (正)野田 優
single-wall carbon nanotubes
flame synthesis
reaction field control
ST-2661
14:4015:00BD118CVD法を用いたカーボンナノチューブ合成に対する硫黄の影響
(東工大院理工) ○(学)鈴木 俊介(東工大物質理工) (正)森 伸介
carbon nanotube
sulfur
chemical vapor deposition
ST-2662
15:0015:20BD119導電性基板上での高密度カーボンナノチューブフォレストの低温成長技術の開発
(早大高等研) (正)杉目 恒志
chemical vapor deposition
low temperature growth
lithography
ST-261003
(15:20~16:40) (座長 百瀬 健)
15:2015:40BD120塩化物介在CVD法による多層CNT成長における一酸化炭素添加効果
(静大院工) ○(学)小松原 孝太山梨 博美苅田 基志中野 貴之井上 翼(JNC) (法)長岡 宏一
carbon nanotube
carbon monoxide
chemical vapor deposition
ST-26769
15:4016:00BD121コンビナトリアル手法による二元系触媒の最適化と カーボンナノチューブのカイラリティ選択的合成
(早大先進理工) ○(学)江戸 倫子(早大高等研) (正)杉目 恒志(早大先進理工) (正)野田 優
chemical vapor deposition
carbon nanotubes
chirality control
ST-26883
16:0016:20BD122浮遊コーティングプロセスでMWCNT上に形成したTiO2層の形態に及ぼす反応条件の影響
(広大院工) ○(学·技基)福本 善彦(正)久保 優(広大院工/ITS Surabaya) (正)Kusdianto K(広大院工) (正)島田 学
Nanocomposite
Plasma-enhanced chemical vapor deposition
Aerosolization
ST-26681
16:2016:40BD123[招待講演] 化学気相浸透法による複合材料製造の数値シミュレーション
(名大院工) (正)則永 行庸
chemical vapor infiltration
composite materials
numerical simulation
ST-26805
BD 会場(2号館南 3F 232)第 2 日(9月21日(木))
(9:00~10:00) (座長 森 伸介)
9:009:20BD201[招待講演] 超臨界水熱合成への反応工学的アプローチ
(名大院工) (正)高見 誠一
supercritical hydrothermal synthesis
metal oxide nanoparticles
reaction engineering
ST-26813
9:209:40BD202Porous carbon electrode fabricated from supercritical drying for Li-O2/CO2 battery
(東工大物質理工) ○(学)Kunanusont Nattanai(正)下山 裕介
supercritical drying
porous carbon electrode
Li-O2/CO2 battery
ST-26666
9:4010:00BD203SiC-CVIプロセスにおける高濃度原料供給条件下での製膜モデルの検討
(東大院工) ○(学)中 智明(学)佐藤 登(正)嶋 紘平(学)舩門 佑一(IHI) (法)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CVI
SiC
process
ST-26810
(10:00~11:00) (座長 池田 圭)
10:0010:20BD204SiC-CVD総括反応モデルの構築と検証
(東大院工) ○(学)舩門 佑一(学)佐藤 登(正)嶋 紘平(学)中 智明(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
modeling
ST-26923
10:2010:40BD205CVDトレンチ埋込プロセスのマルチスケール解析とシミュレーション
(東大院工) ○(学)舩門 佑一(学)佐藤 登(正)嶋 紘平(学)中 智明(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CVD
trench
Multiscale
ST-26942
10:4011:00BD206[招待講演] ガス成長法による4H-SiCバルク単結晶成長の開発
(デンソー) ○(法)牧野 英美(法)徳田 雄一郎(法)神田 貴裕(法)杉山 尚宏(法)久野 裕也(電中研) 星乃 紀博鎌田 功穂土田 秀一(デンソー) (法)小島 淳
4H-SiC
gas-source method
fast growth
ST-26806
(11:00~12:00) (座長 野田 優)
11:0011:20BD207熱CVD法により合成したTi1-xAlxN膜の結晶構造の原料ガス分圧依存性
(東大工) ○(学)佐藤 宏樹平原 智子(京セラ) (法)久保 隼人(東大工) (正)百瀬 健(京セラ) (法)谷渕 栄仁(東大工) (正)霜垣 幸浩
CVD
TiAlN
cutting tool
ST-26367
11:2011:40BD208不活性表面でのベンゼンからの炭素CVD速度の解析
(京大院工) ○(学)上村 修平(京大工) (正)河瀬 元明
CVD
Carbon
Benzene
ST-26609
11:4012:00BD209塩素-ケイ素含化合物を用いたCVDにおける添加ガスによる副生成物の低減
(東大院工) ○(学)佐藤 登(IHI) (法)福島 康之(東大院工) (学)舩門 佑一(正)嶋 紘平(正)百瀬 健(学位授与機構) 越 光男(東大院工) (正)霜垣 幸浩
silicon chlorine compounds
by-product
elementary reaction simulation
ST-26729
(13:00~14:40) (座長 西田 哲)
13:0013:40BD213[展望講演] 次世代高効率シリコン太陽電池用薄膜技術の展望
(豊田工大) ○大下 祥雄(明治大) 中村 京太郎(豊田工大) Lee Hyunju神岡 武文
Solar cells
passivation
CVD
ST-26800
13:4014:00BD215[招待講演] 高密度・基材包囲プラズマと基材へのガス吹付による超高速DLC成膜
(岐阜大工) 上坂 裕之
Diamond-Like Carbon
Microwave
Plasma CVD
ST-26187
14:0014:20BD216WC-Coの表面改質によるTiC系硬質膜の密着性改善
(阪府大院工) ○(学)田中 千尋(阪府大工) (学)清川 大地(阪府大院工) (正)岡本 尚樹(正)齊藤 丈靖(阪大産研) 樋口 宏二北島 彰
adhesion strength
hard coating
cemented carbide
ST-26711
14:2014:40BD217噴霧法による多孔性配位高分子HKUST-1薄膜の形成メカニズム
(広大院工) ○(正)久保 優(学)菅原 拓哉(正)島田 学
Porous materials
Crystal growth
Carbon nanotube composite
ST-26658

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