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化学工学会 第49回秋季大会

Last modified: 2017-09-06 10:00:00

講演プログラム(会場・日程別) : BD会場・第2日

講演要旨は各講演番号からリンクしています。(要ID/PW)詳細

BD 会場(2号館南 3F 232)第 2 日(9月21日(木))

ST-26

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
ST-26 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス ―デバイス構造・機能制御の反応工学―
(9:00~10:00) (座長 森 伸介)
9:009:20BD201[招待講演] 超臨界水熱合成への反応工学的アプローチ
supercritical hydrothermal synthesis
metal oxide nanoparticles
reaction engineering
ST-26813
9:209:40BD202Porous carbon electrode fabricated from supercritical drying for Li-O2/CO2 battery
supercritical drying
porous carbon electrode
Li-O2/CO2 battery
ST-26666
9:4010:00BD203SiC-CVIプロセスにおける高濃度原料供給条件下での製膜モデル検討
(東大院工) ○(学)中 智明(学)佐藤 登(正)嶋 紘平(学)舩門 佑一(IHI) (法)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CVI
SiC
process
ST-26810
(10:00~11:00) (座長 池田 圭)
10:0010:20BD204SiC-CVD総括反応モデル構築検証
(東大院工) ○(学)舩門 佑一(学)佐藤 登(正)嶋 紘平(学)中 智明(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
modeling
ST-26923
10:2010:40BD205CVDトレンチ埋込プロセスマルチスケール解析シミュレーション
(東大院工) ○(学)舩門 佑一(学)佐藤 登(正)嶋 紘平(学)中 智明(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CVD
trench
Multiscale
ST-26942
10:4011:00BD206[招待講演] ガス成長法による4H-SiCバルク単結晶成長開発
4H-SiC
gas-source method
fast growth
ST-26806
(11:00~12:00) (座長 野田 優)
11:0011:20BD207熱CVD法により合成したTi1-xAlxN膜の結晶構造原料ガス分圧依存性
CVD
TiAlN
cutting tool
ST-26367
11:2011:40BD208不活性表面でのベンゼンからの炭素CVD速度解析
CVD
Carbon
Benzene
ST-26609
11:4012:00BD209塩素-ケイ素含化合物を用いたCVDにおける添加ガスによる副生成物低減
(東大院工) ○(学)佐藤 登(IHI) (法)福島 康之(東大院工) (学)舩門 佑一(正)嶋 紘平(正)百瀬 健(学位授与機構) 越 光男(東大院工) (正)霜垣 幸浩
silicon chlorine compounds
by-product
elementary reaction simulation
ST-26729
(13:00~14:40) (座長 西田 哲)
13:0013:40BD213[展望講演] 次世代高効率シリコン太陽電池用薄膜技術展望
Solar cells
passivation
CVD
ST-26800
13:4014:00BD215[招待講演] 高密度基材包囲プラズマ基材へのガス吹付による超高速DLC成膜
Diamond-Like Carbon
Microwave
Plasma CVD
ST-26187
14:0014:20BD216WC-Coの表面改質によるTiC系硬質膜密着性改善
adhesion strength
hard coating
cemented carbide
ST-26711
14:2014:40BD217噴霧法による多孔性配位高分子HKUST-1薄膜形成メカニズム
(広大院工) ○(正)久保 優(学)菅原 拓哉(正)島田 学
Porous materials
Crystal growth
Carbon nanotube composite
ST-26658

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