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化学工学会第87年会(神戸)

Last modified: 2022-03-04 12:00:00

講演プログラム(会場・日程別) : L会場・第3日 : L321

CS-2,SS-6のプログラムが一部変更されました。
講演要旨を公開しました(3/2)。講演番号をクリックしてください。
(参加登録者[第一期・第二期]およびご招待者にメールでお知らせしたID/PWが必要です。第三期参加登録の方は事前閲覧できません。)
講演プログラム一覧表で黄色背景のセッションが双方向ライブ配信利用予定ですが、今後の情勢により変更になる可能性もあります。HQ-21がオンライン実施に変更されました(3/3)。

L 会場(オンライン)第 3 日(3月18日(金))

5 反応工学

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
5. 反応工学
(13:00~14:20) (座長 古澤 毅藤墳 大裕)
13:0013:20L313固体高分子形燃料電池の多孔質部材の構造・輸送解析技術
(豊田中研) ○(正)加藤 悟(法)山口 聡(法)吉宗 航(法)松岡 世里子(法)鈴木 孝尚(法)長井 康貴(法)加藤 晃彦
Polymer electrolyte fuel cells
Pores
Transport phenomena
5-a369
13:2013:40L314固体高分子形燃料電池の多孔質部材の構造・輸送解析(7)時分割Ex-situ X線CTによる撥水層の動的な濡れ挙動の観察
(豊田中研) ○(正)加藤 悟(法)山口 聡(法)加藤 晃彦(法)松岡 世里子(法)鈴木 孝尚(法)長井 康貴
Polymer electrolyte fuel cells
Pores
Transport phenomena
5-i667
13:4014:00L315エキシマランプによるCO2光分解の光子利用効率
(ウシオ電機) ○(正)中村 謙介島本 章弘三浦 真毅相浦 良徳(正)大塚 優一
carbon dioxide
photochemical reaction
vacuum ultraviolet light
5-e48
14:0014:20L316熱化学水素製造法ISプロセスにおける重液精製の反応条件
(原子力機構) ○(正)杉本 千紘(正)田中 伸幸野口 弘喜上地 優Myagmarjav Odtsetseg小野 正人竹上 弘彰
hydrogen production
IS process
5-i545
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
(14:40~15:40) (座長 下山 裕介西田 哲)
14:4015:00L318Co-ALDプロセスにおける原料の比較検討
(東大院工) ○(学)山口 潤(正)佐藤 登(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
ALD
cobalt
precursor
5-h585
15:0015:20L319密度汎関数法による銅(II)アセチルアセトナートの銅(111)表面への吸着に関する研究
(U. Tokyo) ○(学)Wu Yuxuan(正)Sato Noboru(学)Yamaguchi Jun(正)Deura Momoko(正)Momose Takeshi(正)Shimogaki Yukihiro
Atomic Layer Depositon
Density Function Theory
Surface Adsorption
5-h110
15:2015:40L320溶融ビスマスを用いたヨウ化メチルアンモニウムビスマスペロブスカイトのCVD
(京大工) ○(正)河瀬 元明(学)戸上 敬登楊 紫光
CVD
perovskite
methylammonium bismuth iodide
5-h649
(15:40~17:00) (座長 河瀬 元明舩門 佑一)
15:4016:00L321Preparation of Ag-embedded TiO2 film by reducing metal ions via plasma-enhanced chemical vapor deposition
(Hiroshima U.) ○(学)Lang J.(技基)Takahashi K.(正)Kubo M.(正)Shimada M.
nanoparticles
photocatalytic activity
morphology
5-h492
16:0016:20L322理論的検討に基づいたTiAlN-CVDプロセスの表面反応モデル構築
(東大院工) ○(正)佐藤 登(京セラ) (法)古藤 雅大(法)久保 隼人(法)杉山 貴悟(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(京セラ) (法)谷渕 栄仁(東大院工) (正)霜垣 幸浩
TiAlN
CVD
Surface reaction kinetics
5-h578
16:2016:40L323MTS/H2を原料としたSiC-CVIにおけるSiCl4添加による微細構造内製膜均一化の原因考察
(東大院工) ○(学)大高 雄平(東大工) 木村 俊介(東大院工) (正)佐藤 登(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
CMC
5-h511
16:4017:00CVD反応分科会奨励賞授賞式

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