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化学工学会 第83年会

Last modified: 2018-02-27 10:00:00

講演プログラム検索結果 : 5-h : 14件

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分類番号 が『5-h』から始まる講演:14件該当しました。
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講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
第 3 日
9:009:20
K301気相浮遊コーティングプロセスによるポリマー被覆カーボンナノチューブの調製
(広大院工) ○(正)島田 学(学·技基)西原 啓太Hemanth L. R.(正)久保 優(広大院工/ITS Surabaya) (正)Kusdianto K
PECVD
polymerization reaction
dry coating process
5-h313
第 3 日
9:209:40
K302ディーゼルエンジンを用いたカーボンナノチューブの合成機構および生成機構に関する研究
(東工大院理工) ○(学)鈴木 俊介(東工大物質理工) (正)森 伸介
carbon nanotube
diesel engine
growth mechanism
5-h432
第 3 日
10:0010:20
K304熱CVD法による高Al組成fcc-TiAlN膜の合成
(東大院工) ○(学)佐藤 宏樹(東大工) 山口 潤(東大院工) 平原 智子(京セラ) (法)久保 隼人(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(京セラ) (法)谷渕 栄仁(東大院工) (正)霜垣 幸浩
CVD
TiAlN
cutting tool
5-h639
第 3 日
10:4011:00
K306SiC-CVIプロセスにおける高濃度原料供給条件下での製膜モデルの検討(2)
(東大院工) ○(学)中 智明(学)佐藤 登(学)舩門 佑一(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CVI
SiC
5-h191
第 3 日
11:0011:20
K307CVIにおける繊維へのSiC含浸過程シミュレーション
(東大院工) ○(学)舩門 佑一(学)佐藤 登(学)中 智明(IHI基盤研) (正)福島 康之(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
Multiscale
5-h502
第 3 日
13:2015:20
PE383浮遊触媒を用いた単層カーボンナノチューブの気相合成と反応場・流れ場の解析
(早大先進理工) ○(学)並木 克也(早大高等研) (正)杉目 恒志(早大先進理工) (正)大沢 利男(正)野田 優
single-wall carbon nanotube
reaction field control
computational fluid dynamics ( CFD )
5-h130
第 3 日
13:2015:20
PE384浮遊担持触媒によるカーボンナノチューブの高生産性連続合成
(早大先進理工) ○(学)馮 愷晟(学)岡田 翔平(早大高等研) (正)杉目 恒志(早大先進理工) (正)大沢 利男(保土谷化学工業) (法)塚田 高行(早大先進理工) (正)野田 優
carbon nanotube
floating supported catalyst
chemical vapor deposition
5-h336
第 3 日
13:2015:20
PE385低濃度高活性種と高濃度低活性種の複合原料によるカーボンナノチューブの大面積均一合成
(早大先進理工) ○(学·技基)佐藤 俊裕(早大高等研) (正)杉目 恒志(早大先進理工) (正)野田 優
carbon nanotubes
catalytic chemical vapor deposition
carbon source
5-h125
第 3 日
13:2015:20
PE386Al基板上でのカーボンナノチューブ合成、集合形態制御と伝熱応用
(早大先進理工) ○(学)安積 茉由(早大高等研) (正)杉目 恒志(デンソー) (法)太田 アウン(法)大島 久純(早大先進理工) (正)野田 優
carbon nanotubes
aluminum substrate
chemical vapor deposition
5-h382
第 3 日
13:2015:20
PE387多孔性シリカで被覆されたNi 粒子あるいはNi 板からのCNT生成
(九大院工) ○(学)山本 隼也(正)松根 英樹(正)山本 剛(正)岸田 昌浩
carbon nanotube
Ni catalyst
silica coating
5-h641
第 3 日
13:2015:20
PE388化学気相成長法によるグラフェン合成の高速化と反応場の三次元化
(早大先進理工) ○(学)永井 款也(早大高等研) (正)杉目 恒志(早大先進理工) (正)野田 優
chemical vapor deposition
graphene
5-h213
第 3 日
13:2015:20
PE389固体炭素源を用いたプラズマCVDによるグラフェン膜の合成
(静大院工) ○(学)張 磊(静大) 小林 健吉郎(静大院工) (正)孔 昌一
graphene
plasma
CVD
5-h575
第 3 日
13:2015:20
PE391耐熱基材上での多結晶Si膜の高速製膜と機械剥離技術の開発
(早大先進理工) ○(学)藤田 誠(早大高等研) (正)杉目 恒志(早大先進理工) (正)大沢 利男(正)野田 優
polycrystalline silicon films
separation layer
lift-off process
5-h104
第 3 日
13:2015:20
PE393SiC-CVIプロセスにおける炭化水素ガス添加効果
(東大院工) ○(学)根東 佳史(学)佐藤 登(学)中 智明(学)舩門 佑一(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CVI
SiC
5-h542

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