5-h - 講演プログラム検索結果 - 化学工学会第83年会

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`化学工学会第83年会`

Last modified: 2018-02-27 10:00:00

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講演プログラム検索結果 : 5-h : 14件

講演要旨は各講演番号からリンクしています。(要ID/PW)
閲覧に必要なID/PWは受付でお配りするプログラム集冊子の1ページに記載しているほか、
事前参加登録者・ご招待者には2月27日にメールでお知らせしています。詳細

分類番号が『5-h』から始まる講演：14件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
第 3 日 9:00～ 9:20	K301	気相浮遊コーティングプロセスによるポリマー被覆カーボンナノチューブの調製 (広大院工) ○(正)島田学・ (学·技基)西原啓太・ Hemanth L. R.・ (正)久保優・ (広大院工/ITS Surabaya) (正)Kusdianto K	PECVD polymerization reaction dry coating process	5-h	313
第 3 日 9:20～ 9:40	K302	ディーゼルエンジンを用いたカーボンナノチューブの合成機構および生成機構に関する研究 (東工大院理工) ○(学)鈴木俊介・ (東工大物質理工) (正)森伸介	carbon nanotube diesel engine growth mechanism	5-h	432
第 3 日 10:00～ 10:20	K304	熱CVD法による高Al組成fcc-TiAlN膜の合成 (東大院工) ○(学)佐藤宏樹・ (東大工) 山口潤・ (東大院工) 平原智子・ (京セラ) (法)久保隼人・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (京セラ) (法)谷渕栄仁・ (東大院工) (正)霜垣幸浩	CVD TiAlN cutting tool	5-h	639
第 3 日 10:40～ 11:00	K306	SiC-CVIプロセスにおける高濃度原料供給条件下での製膜モデルの検討(2) (東大院工) ○(学)中智明・ (学)佐藤登・ (学)舩門佑一・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	CVI SiC	5-h	191
第 3 日 11:00～ 11:20	K307	CVIにおける繊維へのSiC含浸過程シミュレーション (東大院工) ○(学)舩門佑一・ (学)佐藤登・ (学)中智明・ (IHI基盤研) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC CVI Multiscale	5-h	502
第 3 日 13:20～ 15:20	PE383	浮遊触媒を用いた単層カーボンナノチューブの気相合成と反応場・流れ場の解析 (早大先進理工) ○(学)並木克也・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)大沢利男・ (正)野田優	single-wall carbon nanotube reaction field control computational fluid dynamics ( CFD )	5-h	130
第 3 日 13:20～ 15:20	PE384	浮遊担持触媒によるカーボンナノチューブの高生産性連続合成 (早大先進理工) ○(学)馮愷晟・ (学)岡田翔平・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)大沢利男・ (保土谷化学工業) (法)塚田高行・ (早大先進理工) (正)野田優	carbon nanotube floating supported catalyst chemical vapor deposition	5-h	336
第 3 日 13:20～ 15:20	PE385	低濃度高活性種と高濃度低活性種の複合原料によるカーボンナノチューブの大面積均一合成 (早大先進理工) ○(学·技基)佐藤俊裕・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)野田優	carbon nanotubes catalytic chemical vapor deposition carbon source	5-h	125
第 3 日 13:20～ 15:20	PE386	Al基板上でのカーボンナノチューブ合成、集合形態制御と伝熱応用 (早大先進理工) ○(学)安積茉由・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (デンソー) (法)太田アウン・ (法)大島久純・ (早大先進理工) (正)野田優	carbon nanotubes aluminum substrate chemical vapor deposition	5-h	382
第 3 日 13:20～ 15:20	PE387	多孔性シリカで被覆されたNi 粒子あるいはNi 板からのCNT生成 (九大院工) ○(学)山本隼也・ (正)松根英樹・ (正)山本剛・ (正)岸田昌浩	carbon nanotube Ni catalyst silica coating	5-h	641
第 3 日 13:20～ 15:20	PE388	化学気相成長法によるグラフェン合成の高速化と反応場の三次元化 (早大先進理工) ○(学)永井款也・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)野田優	chemical vapor deposition graphene	5-h	213
第 3 日 13:20～ 15:20	PE389	固体炭素源を用いたプラズマCVDによるグラフェン膜の合成 (静大院工) ○(学)張磊・ (静大) 小林健吉郎・ (静大院工) (正)孔昌一	graphene plasma CVD	5-h	575
第 3 日 13:20～ 15:20	PE391	耐熱基材上での多結晶Si膜の高速製膜と機械剥離技術の開発 (早大先進理工) ○(学)藤田誠・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)大沢利男・ (正)野田優	polycrystalline silicon films separation layer lift-off process	5-h	104
第 3 日 13:20～ 15:20	PE393	SiC-CVIプロセスにおける炭化水素ガス添加効果 (東大院工) ○(学)根東佳史・ (学)佐藤登・ (学)中智明・ (学)舩門佑一・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	CVI SiC	5-h	542

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