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化学工学会 第83年会

Last modified: 2018-02-27 10:00:00

講演プログラム検索結果 : Momose Takeshi : 7件

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ローマ字氏名 が『Momose Takeshi』と一致する講演：5件該当しました。
司会・座長氏名 が『Momose Takeshi』と一致するセッション：2件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 2 日
11:00～ 11:20		M207テラヘルツデバイス作製に向けたポリマー表面への超臨界流体を用いたCu薄膜堆積
(東大院工) (正)趙 ユウ・ (東大工) 森下 広隆・ (東大院理) 小西 邦昭・ 安河内 裕之・ 添田 建太郎・ 湯本 潤司・ 五神 真・ (東大院工) (正)下山 裕介・ (正)霜垣 幸浩・ ○(正)百瀬 健
supercritical fluid
metal film
polymer surface
8-e611
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
第 3 日
9:00～ 10:20		   座長 百瀬 健・河瀬 元明
K301気相浮遊コーティングプロセスによるポリマー被覆カーボンナノチューブの調製
(広大院工) ○(正)島田 学・ (学·技基)西原 啓太・ Hemanth L. R.・ (正)久保 優・ (広大院工/ITS Surabaya) (正)Kusdianto K
PECVD
polymerization reaction
dry coating process
5-h313
K302ディーゼルエンジンを用いたカーボンナノチューブの合成機構および生成機構に関する研究
(東工大院理工) ○(学)鈴木 俊介・ (東工大物質理工) (正)森 伸介
carbon nanotube
diesel engine
growth mechanism
5-h432
K303活性化窒素気相／水相の相界面反応場における無触媒アンモニア合成
(九工大) ○(正)春山 哲也・ (学)酒倉 辰弥・ (学)上村 進太朗・ 日野 睦章・ 清松 将太郎・ 高辻 義行・ 村上 直也
Plasma
Ammonia
Non-catalytic
5-c538
K304熱CVD法による高Al組成fcc-TiAlN膜の合成
(東大院工) ○(学)佐藤 宏樹・ (東大工) 山口 潤・ (東大院工) 平原 智子・ (京セラ) (法)久保 隼人・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (京セラ) (法)谷渕 栄仁・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
CVD
TiAlN
cutting tool
5-h639
第 3 日
10:00～ 10:20		K304熱CVD法による高Al組成fcc-TiAlN膜の合成
(東大院工) ○(学)佐藤 宏樹・ (東大工) 山口 潤・ (東大院工) 平原 智子・ (京セラ) (法)久保 隼人・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (京セラ) (法)谷渕 栄仁・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
CVD
TiAlN
cutting tool
5-h639
第 3 日
10:40～ 11:00		K306SiC-CVIプロセスにおける高濃度原料供給条件下での製膜モデルの検討(2)
(東大院工) ○(学)中 智明・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVI
SiC
5-h191
第 3 日
10:40～ 11:40		   座長 河瀬 元明・百瀬 健
K306SiC-CVIプロセスにおける高濃度原料供給条件下での製膜モデルの検討(2)
(東大院工) ○(学)中 智明・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVI
SiC
5-h191
K307CVIにおける繊維へのSiC含浸過程シミュレーション
(東大院工) ○(学)舩門 佑一・ (学)佐藤 登・ (学)中 智明・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
Multiscale
5-h502
(K308)[分科会奨励賞] CVD反応分科会奨励賞受賞式
第 3 日
11:00～ 11:20		K307CVIにおける繊維へのSiC含浸過程シミュレーション
(東大院工) ○(学)舩門 佑一・ (学)佐藤 登・ (学)中 智明・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
Multiscale
5-h502
第 3 日
13:20～ 15:20		PE393SiC-CVIプロセスにおける炭化水素ガス添加効果
(東大院工) ○(学)根東 佳史・ (学)佐藤 登・ (学)中 智明・ (学)舩門 佑一・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVI
SiC
5-h542

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