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化学工学会 第48回秋季大会

Last modified: 2016-09-07 09:49:00

講演プログラム（会場・日程別） : N会場・第1日

ST-12 電池・電気化学エネルギー変換とその未来 (D会場)の3日目午後、D316以降のスケジュールが20分繰上げとなりました（ST-13ポスターセッションの表彰式も繰り上がります）。当該部分は黄色バックで表示されます。ST-12 プログラム

N 会場(教養教育4/5号館 2F 4-202) ・ 第 1 日(9月6日(火))

SY-82

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
SY-82 【エレクトロニクス部会シンポジウム】 エレクトロニクス材料とプロセス
(11:00～11:20) (司会 近藤 和夫)
11:00～ 11:20N107Detection of cuprous ions by micro ring electrodes on a TSV side wall
(阪府大) ○(正)Hoang Van Ha・ (正)近藤 和夫
Cuprous detection
micro electrode
TSV
SY-82588
(11:20～12:00) (司会 折田 伸昭)
11:20～ 12:00N108[招待講演] 電解槽の電流分布解析技術の進展
(ムサシ技研) (部)小原 勝彦
electrolytic cell
current distribution analysis
calculation
SY-82650
(13:00～13:20) (司会 近藤 和夫)
13:00～ 13:20N113マイクロコンタクト印刷法による核剤インクの印刷とめっきによる微細導体パターンの作製
(産総研) ○(部)所 和彦・ 尾上 美紀・ 白川 直樹・ 牛島 洋史・ (日産化学) (法)小島 圭介・ (法)近間 克己
printed electronics
micro-contact printing
electrodeposition
SY-82101
(13:20～14:20) (座長 所 和彦)
13:20～ 13:40N114磁気センサーおよび磁気コンパス向けNiFe電解めっき膜
(東設) ○(正)三宅 裕子・ (部)清水 さなえ・ (部)松井 康介・ (部)丸山 隆文・ (部)小泉 裕一
NiFe
electroplating
magnetic sensor
SY-82926
13:40～ 14:00N115パターン付きウェハーへのめっきの最先端解析
(計測エンジニアリング) ○(法)トン リチュ・ (法)永山 達彦・ (COMSOL AB) Henrik Ekstrom
Electroplating
Patterned wafer
Numerical analysis
SY-821
14:00～ 14:20N116高速銅めっき膜のφ12インチウェハ用電解めっき装置での成膜
(東設) ○(正)三宅 裕子・ (部)小泉 裕一・ (部)松井 康介・ (部)丸山 隆文
High speed Cu plating
electrodeposition
electrolytic plating apparatus
SY-82993
(14:40～15:20) (司会 折田 伸昭)
14:40～ 15:20N118[招待講演] IoT時代における半導体パッケージ技術の進展
(グローバルネット) (部)武野 泰彦
IoT
Semiconductor Package
3D
SY-82776
(15:20～16:40) (座長 武野 泰彦)
15:20～ 16:00N120[招待講演] 超高純度めっきによるナノ構造制御超低抵抗率Cu配線
(茨城大院理工) ○大貫 仁・ 玉橋 邦裕・ 伊藤 雅彦・ 小沼 重春・ 稲見 隆・ 滑川 孝・ 本間 喜夫
Nano-level Cu Wire
High Purity Electrolyte
Microstructure Analysis
SY-82679
16:00～ 16:40N122[招待講演] Determination of reaction rate constants of copper electrodeposition on a rotating disk electrode and using for simulation of the cuprous concentration inside TSVs
(阪府大) ○(正)Hoang Van Ha・ (正)近藤 和夫
Copper electrodeposition
TSV filling
cuprous
SY-82585

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化学工学会 第48回秋季大会

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