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化学工学会 第48回秋季大会

Last modified: 2016-09-07 09:49:00

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講演プログラム(セッション別) : ST-17

ST-12 電池・電気化学エネルギー変換とその未来 (D会場)の3日目午後、D316以降のスケジュールが20分繰上げとなりました(ST-13ポスターセッションの表彰式も繰り上がります)。当該部分は黄色バックで表示されます。ST-12 プログラム

ST-17 【部会横断型シンポジウム】 CVD・ドライプロセス  -構造・機能制御の反応工学-

オーガナイザー:杉山 正和(東京大学)島田 学(広島大学)川上 雅人(東京エレクトロン)

CVDをはじめとするドライプロセスは,エレクトロニクス,太陽電池,MEMS,機能性コーティング等の分野において,基幹技術となっている。本シンポジウムでは,CVDと類縁技術を利用した薄膜形成,微粒子合成,微細加工における製品の構造と機能を制御するために,反応メカニズムの理解による論理的な最適化を目指し議論することを目的とします。なお,優秀な発表をされた若手研究者には,CVD反応分科会奨励賞を贈呈します。

M 会場 ・ 第 1 日 | M 会場 ・ 第 2 日

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
M 会場(教養教育4/5号館 2F 4-201)第 1 日(9月6日(火))
(10:40~12:00) (座長 百瀬 健)
10:4011:00M106[招待講演] ミストを用いた大気圧下で大面積に亘り高品質な機能薄膜を作製する技術の開発
(高知工大) ○川原村 敏幸Giang T. Dang須和 祐太佐藤 翔太松﨑 俊祐
mist CVD
Leidenfrost effect
metal oxide functional thin film
ST-17601
11:0011:20M107超音波霧化プロセスによるペロブスカイト太陽電池の作製
(東大院工) ○(学)小南 雄紀(東大環安セ/東大院工) (正)辻 佳子
perovskite solar cell
TiO2
spray-deposition
ST-17641
11:2011:40M108プラズマジェットCVD法によるシリコンナノ粒子凝集体の高速製膜に関する研究
(岐阜大院工) 永井 祐輔細川 寛人(岐阜大工) ○(正)西田 哲小宮山 正治
CVD
plasma
nanoparticle
ST-17533
11:4012:00M109[優秀論文賞] エアロゾルナノ粒子堆積によって作製した多孔質TiO2薄膜の形態と空隙率に焼成が与える影響
(広大院工) ○(正)久保 優萬谷 勇樹(正)島田 学
Phase transformation
Plasma-enhanced CVD
Sintering
ST-17263
(13:00~14:00) (座長 川上 雅人)
13:0013:20M113[招待講演] 複雑形状への高性能水蒸気不透過を実現する全ALD構成バリア膜の開発
(アルバック超材研) ○座間 秀昭本田 和広
atomic layer despoition
gas barrier film
water vapor transmission rate
ST-17412
13:2013:40M114SiC-CVIプロセスの初期成長に対する下地材料の影響
(東大院工) ○(学)嶋 紘平(学)佐藤 登(学)舩門 佑一(IHI基盤研) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
methyltrichlorosilane
ST-17718
13:4014:00M115均一含浸を目指したSiC-CVIプロセスへのHClガス添加効果
(東大院工) ○(学)中 智明(学)佐藤 登(学)嶋 紘平(学)舩門 佑一(IHI基盤研) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
ST-17972
(14:00~15:00) (座長 野田 優)
14:0014:20M116気固原料PECVD法による高アスペクト比粒子包埋膜の合成
(広大院工) ○(学·技基)重松 祐紀(正)久保 優(正)島田 学
Nanocomposite film
Carbon nanotube
Abnormal growth
ST-17264
14:2014:40M117超臨界流体を用いたBi4Ti3O12製膜における反応機構解析
(東大院工) ○(学)チョウ ユウ(正)下山 裕介(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
supercritical fluid deposition
reaction mechanism
Bi4Ti3O12
ST-17924
14:4015:00M118Ultra-porous carbon electrode fabricated from supercritical drying and application for lithium-air battery
(東工大院理工) ○(学)Kunanusont Nattanai(東工大物質理工) (正)下山 裕介
porous carbon electrode
supercritical drying
lithium-air battery
ST-17678
M 会場(教養教育4/5号館 2F 4-201)第 2 日(9月7日(水))
(9:00~10:00) (座長 河瀬 元明)
9:009:20M201熱CVD法による立方晶窒化ホウ素膜合成に向けた検討
(東大工) ○(学)佐藤 宏樹(正)百瀬 健(京セラ) 谷渕 栄仁(東大工) (正)霜垣 幸浩
CVD
boron nitride
coating
ST-17626
9:209:40M202化学的表面処理を施したWC-Co基板上へのTiC硬質膜の作製と評価
(阪府大院工) ○(学)田中 千尋(学)鈴木 聡一郎(正)岡本 尚樹(正)齊藤 丈靖(阪大産研) 樋口 宏二北島 彰
adhesion strength
TiC hard coating
Cemented carbide
ST-17634
9:4010:00M203超臨界流体を用いた銅薄膜堆積における流体中反応を活用した下地選択性の制御
(東大院工) ○(正)百瀬 健河村 洋佑(正)下山 裕介(正)霜垣 幸浩
Supercritical fluid deposition
Cu
underlayer selectivity
ST-17769
(10:00~11:00) (座長 三浦 豊)
10:0010:20M204スパッタによるAlドープZnO電極を有する強誘電体キャパシタの作製と評価
(阪府大院工) ○(学·技基)高田 瑶子(学)玉野 梨加(正)岡本 尚樹(正)齊藤 丈靖吉村 武藤村 紀文(阪大産研) 樋口 宏二北島 彰
ferroelectric capacitor
Al-doped ZnO
sputtering
ST-17903
10:2010:40M205再利用サファイア基板上へのCuの急速エピタキシーとCVDによるグラフェンの精密合成
(早大先進理工) ○(学)永井 款也(正)長谷川 馨(正)野田 優
graphene
chemical vapor deposition
epitaxial growth
ST-17429
10:4011:00M206高純度・高配向性Co薄膜形成を目指したホットワイヤALDプロセスの最適化
(東大院工) ○(学)中 智明(学)嶋 紘平(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
Hot-wire-assisted ALD
Cobalt
ST-171002
(11:00~12:00) (座長 島田 学)
11:0011:20M207ドデカン/エタノール混合燃料を用いたディーゼルエンジンにおけるカーボンナノチューブの合成
(東工大院理工) ○(学)鈴木 俊介(正)森 伸介
carbon nanotube
diesel engine
flame synthesis
ST-1720
11:2011:40M208C5~C7炭化水素からの炭素CVDにおける金属基板への浸炭速度の解析
(京大工) ○(正)河瀬 元明(学)馬場 翔平
CVD
Carbon
Solid-phase diffusion
ST-17303
11:4012:00M209[招待講演] 分子篩炭素のin silico合成による気体分離特性制御の検討
(京大工) ○(正)田中 秀樹足立 平山根 康之(正)宮原 稔
CVD
Molecular simulation
Air separation
ST-17395
(13:00~14:00) (座長 齊藤 丈靖)
13:0013:40M213[展望講演] Li-ion電池の現状と課題、正極材に求められる特性
(日亜化学) 住友 威史
Li-ion
Large format battery
Positive Electrode Materials
ST-17176
13:4014:00M215Si-Cu/カーボンナノチューブ/Cu複合電極の急速蒸着とリチウム二次電池負極応用
(早大先進理工) ○(学·修習)青井 慈喜(正)長谷川 馨(正)野田 優
lithium secondary battery
physical vapor deposition
carbon nanotube
ST-17912
(14:00~15:20) (座長 杉山 正和)
14:0014:20M216Effect of heat treatments on the photocatalytic activity of Ag-TiO2 nanocomposite films prepared by a one-step gas-phase deposition process
(広大院工) ○(正)Kusdianto K.Jiang Dianping(正)Kubo Masaru(正)Shimada Manabu
PECVD
Annealing
Crystal-phase
ST-17267
14:2014:40M217モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築 (3)
(東大院工) ○(学)舩門 佑一(学)佐藤 登(学)嶋 紘平(学)中 智明(IHI基盤研) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
Methyltrichlorosilane
Modelization
ST-17868
14:4015:20M218[展望講演] III-V族半導体量子ドット成長のその場観察と成長メカニズム
(阿南高専) 塚本 史郎
MBE
STM
in-situ
ST-1735

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化学工学会 第48回秋季大会


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