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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

Last modified: 2017-02-20 10:00:00

講演プログラム検索結果 : Fukushima Yasuyuki : 4件

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ローマ字氏名 が『Fukushima Yasuyuki』と一致する講演：3件該当しました。
座長・司会氏名 が『Fukushima Yasuyuki』と一致するセッション：1件該当しました。
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講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 3 日
9:00～ 10:20		   座長 福島 康之・吉原 直記
G301マイクロバブルで誘起される超音波キャビテーションからのラジカル生成機構に関する研究
(長岡高専) ○(正)村上 能規・ 小林 祐馬・ 丸山 彩
microbubble
ultrasound
radical
5-b179
G302Fe/TiO2光触媒のCO2還元性能向上のためのFe担持条件および還元剤の検討
(三重大院) ○(正)西村 顕・ (学)石田 教晃・ 立松 大智・ 廣田 真史・ 小塩 明・ 小海 文夫
Photocatalyst
CO2 Reduction Performance
Reductants
5-c104
G303CHAゼオライト膜によるエタノール脱水反応の促進
(宇都宮大院工) ○(正)伊藤 直次・ (学)菊池 修平・ (宇都宮大工) 廣瀬 拓也・ (宇都宮大院工) (正)佐藤 剛史
zeolite
ethanol dehydration
membrane reactor
5-d774
G304管壁型メンブレンリアクターによるアンモニアの低温分解
(宇都宮大院工) ○(正)伊藤 直次・ (学)加藤 崇文・ (宇都宮大工) (正)佐藤 剛史
wall-tube reactor
palladium membrane
ammonia
5-d776
第 3 日
11:20～ 11:40		G308SiC-CVIプロセスの合理設計による超均一含浸の実現および複合材料特性への影響
(東大院工) ○(学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (学)中 智明・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
CMC
5-h552
第 3 日
11:40～ 12:00		G309モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築 (4)
(東大院工) ○(学)舩門 佑一・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)中 智明・ (正)福島 康之・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
Reaction model
CVD
5-h664
第 3 日
13:20～ 15:20		PE383SiC-CVIプロセスにおけるマルチスケールでの均一成長を目指したHClガス添加及び高濃度原料供給効果
(東大院工) ○(学)中 智明・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
5-h478

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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

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