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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

Last modified: 2017-02-20 10:00:00

講演プログラム検索結果 : SiC : 3件

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キーワード が『SiC』と一致する講演：3件該当しました。
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講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 3 日
11:20～ 11:40		G308SiC-CVIプロセスの合理設計による超均一含浸の実現および複合材料特性への影響
(東大院工) ○(学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (学)中 智明・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
CMC
5-h552
第 3 日
11:40～ 12:00		G309モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築 (4)
(東大院工) ○(学)舩門 佑一・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)中 智明・ (正)福島 康之・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
Reaction model
CVD
5-h664
第 3 日
13:20～ 15:20		PE383SiC-CVIプロセスにおけるマルチスケールでの均一成長を目指したHClガス添加及び高濃度原料供給効果
(東大院工) ○(学)中 智明・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
5-h478

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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

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