講演題目 が『成長新技術』を含む講演:1件該当しました。
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講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目/発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
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第 2 日 | K213 | [招待講演] 高品質GaN基板を実現するHVPE成長新技術;マスクレス3D法 | GaN substrate, HVPE low dislocation density | ST-22 | 112 |
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化学工学会 第51回秋季大会 (2020)