講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目/発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
K 会場 ・ 第 2 日 |
(9:20~10:20) (座長 森 伸介) |
9:20~ 9:40 | K202 | 固体原料併用PECVD法における分散媒が合成された複合薄膜に及ぼす影響
| titanium dioxide carbon nanotube photocatalyst
| ST-22 | 213 |
9:40~ 10:00 | K203 | 直接噴霧型管状火炎を用いたナノ構造化微粒子の合成
| Nanostructured particle Flame spray pyrolysis Tubular flame
| ST-22 | 55 |
10:00~ 10:20 | K204 | 管状火炎を用いた金属微粒子合成
| Metal particles Flame spray pyrolysis Tubular flame
| ST-22 | 174 |
10:20~ 10:40 | 休憩
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(10:40~12:00) (座長 島田 学) |
10:40~ 11:00 | K206 | ペロブスカイト薄膜の中心金属種が構造に与える影響
| CVD perovskite central metals
| ST-22 | 414 |
11:00~ 11:20 | K207 | 火炎噴霧熱分解法によるNi担持CeO2のNi微粒化と高担持量化
| Ni CeO2 Flame spray pyrolysis
| ST-22 | 686 |
11:20~ 12:00 | K208 | [展望講演] プラズマ成膜技術の将来展望
| plasma enhanced deposition plasma equipment design reactive species control
| ST-22 | 110 |
(13:00~14:20) (座長 西田 哲) |
13:00~ 13:20 | K213 | [招待講演] 高品質GaN基板を実現するHVPE成長新技術;マスクレス3D法
| GaN substrate, HVPE low dislocation density
| ST-22 | 112 |
13:20~ 13:40 | K214 | MTS/H2を原料としたSiC-CVDプロセスにおけるSiCl4添加効果の検討
| CVD SiC Recycle
| ST-22 | 556 |
13:40~ 14:00 | K215 | テトラメチルシランを用いた塩素フリーな化学気相含浸法によるSiCf/SiCの製造
| SiC chemical vapor infiltration tetramethylsilane
| ST-22 | 822 |
14:00~ 14:20 | K216 | 二酸化炭素を用いた超臨界溶体急速膨張(RESS)法による有機薄膜創製と薄膜特性評価
| RESS Organic thin films Supercritical CO2
| ST-22 | 781 |
(14:20~15:20) (座長 川上 雅人) |
14:20~ 14:40 | K217 | TiAlN-CVDプロセスの反応モデル構築に向けた速度過程解析(2)
| CVD TiAlN cutting tool
| ST-22 | 153 |
14:40~ 15:00 | K218 | ミストCVD法によるAlOx薄膜の作製とFETゲート絶縁膜への応用
| mist-CVD AlOx
| ST-22 | 306 |
15:00~ 15:20 | K219 | 超音波霧化法によるSiO2, Al2O3絶縁薄膜の作製
| insulator thin-film-transistor mist chemical vapor deposition
| ST-22 | 135 |
K 会場 ・ 第 3 日 |
(9:00~10:20) (座長 野田 優・羽深 等) |
9:00~ 9:20 | K301 | アセチレンの高温熱分解によるナノ粒子・ナノチューブ炭素複合体の連続合成
| Carbon nanoparticle Carbon nanotube CVD
| ST-22 | 175 |
9:20~ 9:40 | K302 | X線管用カーボンナノチューブ電界放出電子源の作製と階層構造制御
| carbon nanotube electron field emitter hierarchical structure control
| ST-22 | 230 |
9:40~ 10:00 | K303 | 浮遊PECVD法によるカーボンナノチューブのZnOコーティング
| plasma-enhanced chemical vapor deposition nanocoating aerosol
| ST-22 | 310 |
10:00~ 10:20 | K304 | シリコンミニマルCVD装置内ガス移動の水晶振動子による観察
| CVD QCM Minimal
| ST-22 | 62 |
10:20~ 10:40 | 休憩
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(10:40~12:00) (座長 羽深 等) |
10:40~ 11:00 | K306 | 多結晶SiC-CVDの高速・均一化に向けた反応機構解析
| Reaction model SiC CVD
| ST-22 | 499 |
11:00~ 11:20 | K307 | Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation
| multiscale simulation chemical vapor deposition level set method
| ST-22 | 504 |
11:20~ 12:00 | K308 | [展望講演] 原子層堆積法の諸課題とセミバッチ法の展開・展望
| ALD Equipment Semi-Batch
| ST-22 | 111 |
(13:00~14:20) (座長 杉目 恒志) |
13:00~ 13:20 | K313 | [招待講演] プラズマ化学気相成長法によるケイ素および窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン薄膜の特性評価
| diamond-like carbon plasma-enhanced chemical vapor deposition silicon
| ST-22 | 248 |
13:20~ 13:40 | K314 | プラズマCVD法で作製したシリカ系ガスバリア膜の残留応力
| CVD Residual stress Silica gas barrier film
| ST-22 | 13 |
13:40~ 14:00 | K315 | SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討
| CH3SiCl3 SiC CVI surface reaction
| ST-22 | 665 |
14:00~ 14:20 | K316 | SiC-CVIプロセスにおける理論的検討に基づいた表面反応モデルの構築
| SiC-CVI Surface reaction mechanism CH3SiCl3
| ST-22 | 682 |