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化学工学会 第51回秋季大会 (2020)

Last modified: 2020-09-26 20:28:04

講演プログラム(会場・日程別) : K会場・第3日

全てのセッションはオンライン学会会場で実施されます。
(9/10) 講演要旨を公開しました(参加登録者、ご招待者限定)。講演番号をクリックしてください。
(ID/PWは事前参加登録者には9/10に,当日参加登録者には9/23に(オンライン学会会場のID/PWと併せて)お知らせしました。)
(8/8) SY-69のフラッシュ発表は中止となりました。
(8/24,8/27) SY-74のX306,X307、HQ-11のD301の時間が変わりました。

K 会場()第 3 日(9月26日(土))

ST-22

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
ST-22 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス -構造・機能制御の反応工学-
(9:00~10:20) (座長 野田 優羽深 等)
9:009:20K301アセチレンの高温熱分解によるナノ粒子・ナノチューブ炭素複合体の連続合成
(早大先進理工) ○(学)浦田 結文大田原 綾哉(正)大沢 利男(正)杉目 恒志(デンカ) 名古 裕輝岡田 拓也(早大先進理工) (正)野田 優
Carbon nanoparticle
Carbon nanotube
CVD
ST-22175
9:209:40K302X線管用カーボンナノチューブ電界放出電子源の作製と階層構造制御
(早大先進理工) ○(学)安井 浩太郎北川 紗映(正)杉目 恒志(明電舎) 越智 隼人高橋 大造(早大先進理工) (正)野田 優
carbon nanotube
electron field emitter
hierarchical structure control
ST-22230
9:4010:00K303浮遊PECVD法によるカーボンナノチューブのZnOコーティング
(広大院先進理工) ○(学)吉武 春樹(広大院工) (学)Hemanth Lakshmipura R.(広大院先進理工) (正)久保 優(正)島田 学
plasma-enhanced chemical vapor deposition
nanocoating
aerosol
ST-22310
10:0010:20K304シリコンミニマルCVD装置内ガス移動の水晶振動子による観察
(横国大院) 大谷 真奈(正)羽深 等(ミニマルファブ) 池田 伸一石田 夕起原 史朗
CVD
QCM
Minimal
ST-2262
10:2010:40休憩
(10:40~12:00) (座長 羽深 等)
10:4011:00K306多結晶SiC-CVDの高速・均一化に向けた反応機構解析
(東大院工) ○(学)奥 友則(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
Reaction model
SiC
CVD
ST-22499
11:0011:20K307Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation
(東大院工) ○(学)Zhang Jin(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
multiscale simulation
chemical vapor deposition
level set method
ST-22504
11:2012:00K308[展望講演] 原子層堆積法の諸課題とセミバッチ法の展開・展望
(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ) ○加藤 寿瀬下 裕志
ALD
Equipment
Semi-Batch
ST-22111
(13:00~14:20) (座長 杉目 恒志)
13:0013:20K313[招待講演] プラズマ化学気相成長法によるケイ素および窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン薄膜の特性評価
(弘前大院理工) 中澤 日出樹
diamond-like carbon
plasma-enhanced chemical vapor deposition
silicon
ST-22248
13:2013:40K314プラズマCVD法で作製したシリカ系ガスバリア膜の残留応力
(京大工) ○(正)河瀬 元明(学)平田 桑一朗(学)脇坂 知樹
CVD
Residual stress
Silica gas barrier film
ST-2213
13:4014:00K315SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討
(東大院工) ○(学)佐藤 登(学)大高 雄平(学)安治 遼祐(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CH3SiCl3
SiC CVI
surface reaction
ST-22665
14:0014:20K316SiC-CVIプロセスにおける理論的検討に基づいた表面反応モデルの構築
(東大院工) ○(学)佐藤 登(学)根東 佳史(学)大高 雄平(学)安治 遼祐(正)福島 康之(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC-CVI
Surface reaction mechanism
CH3SiCl3
ST-22682

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