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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

Last modified: 2017-02-20 10:00:00

講演プログラム検索結果 : Momose Takeshi : 8件

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ローマ字氏名 が『Momose Takeshi』と一致する講演：7件該当しました。
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講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
Day 1
15:30～ 16:00		B120[Invited lecture] Thin film deposition using chemical reaction in supercritical fluid for high-aspect-ratio 3-dimensional features
(U. Tokyo) (Ful)Momose Takeshi
Deposition
Supercritical fluid
Process development
K-1335
Day 2
10:20～ 10:40		E205[Requested talk] Reaction Mechanism and Growth-rate Distribution in Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy of GaN
(U. Tokyo) *(Ful)Sugiyama Masakazu, (Ful)Momose Takeshi, (Politecnico Di Milano) Ravasio Stefano, Cavallotti Carlo, (U. Tokyo) (Ful)Shimogaki Yukihiro
GaN
MOVPE
reaction mechanism
K-2324
第 2 日
10:20～ 10:40		G205超臨界流体を用いた三次元立体構造キャパシタ形成プロセスの開発
(東大院工) ○(学)チョウ ユウ・ (正)下山 裕介・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
supercritical fluid deposition
3-demontional
capacitor
8-e151
Day 2
13:00～ 15:20		   Chair: Momose Takeshi
E213[The SCEJ Award for Outstanding Asian Researcher and Engineer] Vapor-phase deposition of functional polymer films and their applications
(KAIST) Im Sung Gap
initiated chemical vapor deposition
functional polymer films
electronic, separation, and biomedical applications
K-226
E215[Invited lecture] Application of Cat-CVD technology to crystalline silicon solar cells
(JAIST) *Ohdaira Keisuke, Trinh Cham Thi, Oikawa Takafumi, Seto Junichi, Koyama Koichi, Matsumura Hideki
catalytic chemical vapor deposition
crystalline Si solar cell
passivation
K-285
E217[Requested talk] Synthesis of carbon nitride using microwave plasma CVD
(Gifu U.) *Tanaka Ippei, (Chiba Inst. Tech.) Sakamoto Yukihiro
plasma
CVD
carbon nitride
K-2477
E218[Requested talk] PEALD-TiO2 films synthesized via CCRF discharges
(Tokyo Electron Yamanashi) Iwashita Shinya
TiO2
PEALD
deposition
K-2217
E219[Requested talk] Surface coating of carbon nanotubes by aerosol process with plasma enhanced chemical vapor deposition
(Hiroshima U.) *(Ful)Shimada Manabu, (Ful)Kubo Masaru, (Hiroshima U./ITS Surabaya) (Ful)Kusdianto K.
PECVD
carbon nanotube
dry coating process
K-2396
第 3 日
11:20～ 11:40		G308SiC-CVIプロセスの合理設計による超均一含浸の実現および複合材料特性への影響
(東大院工) ○(学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (学)中 智明・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
CMC
5-h552
第 3 日
11:40～ 12:00		G309モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築 (4)
(東大院工) ○(学)舩門 佑一・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)中 智明・ (正)福島 康之・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
Reaction model
CVD
5-h664
第 3 日
13:20～ 15:20		PE383SiC-CVIプロセスにおけるマルチスケールでの均一成長を目指したHClガス添加及び高濃度原料供給効果
(東大院工) ○(学)中 智明・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
5-h478
第 3 日
13:20～ 15:20		PE386熱CVD法によるTi1-xAlxNの合成と評価
(東大工) ○(学)佐藤 宏樹・ 平原 智子・ (京セラ) 久保 隼人・ (東大工) (正)百瀬 健・ (京セラ) 谷渕 栄仁・ (東大工) (正)霜垣 幸浩
CVD
coating
TiAlN
5-h321

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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

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